关键词 硅相对灵敏度因子二次离子质谱定量分析预溅射1.1 仪器与测试条件仪器:CAMECA IMS-4F-e7型动态双聚焦二次离子质谱仪,配有铯一次离子源,电子倍增器和法拉第杯检测器,具备检测负二次离子的能力。对于氧、碳元素的测量,典型的测试条件为:采用Cs+作为一次离子束来检测氧和碳的负二次离子,一次离子能量为14.5kV,束流为400nA,扫描面积为250μm×250μm。...
在这两种情况下,均仅使用数平方厘米大小的硅衬底,并使用纯CF4溶液和CF4/O2蚀刻混合物在不同的压力和衬底温度下运行蚀刻试验。图3显示了典型的纯CF4 RIE蚀刻下的低质量数质谱谱图。值得注意的是,尽管使用的是简单的蚀刻化学物和最基本的硅衬底,但采集到的谱图上仍有非常密集的峰分布。图4显示了当等离子体开启和关闭以及CF4等离子体中的O2含量增加时,质谱图中相关物质信号时序变化。...
直拉晶体硅中掺氮可用来调控原生氧沉淀和空洞型缺陷,从而提高硅晶体的质量,已经在产业界广泛应用,除了间隙氧、代位碳、III-V族元素检测以外,氮的测量也是硅材料界的一个热点课题。众所周知,直拉单晶硅中含有较高浓度(浓度范围1017-1018cm-3)的间隙氧(Oi),当氮掺入直拉硅单晶中时,除了以氮-氮对(N-N)形式存在以外,氮还会和氧作用形成氮氧复合体(N-O complexes)。...
secondary electron flood 二次电子流secondary ion mass spectrometry(SIMS) 二次离子质谱(法)seed’s model SEED模型selective etching 选择性刻蚀selective oxidation 选择性氧化selectivity 选择性semiconductor grade silicon 半导体极硅semiconductor...
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