GB/T 13539.4-2016
低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses.Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

GBT13539.4-2016, GB13539.4-2016


 

 

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标准号
GB/T 13539.4-2016
别名
GBT13539.4-2016, GB13539.4-2016
发布
2016年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 13539.4-2016
 
 
引用标准
GB 13539.1-2015 GB 13539.3-2008 GB/T 13539.2-2015 GB/T 321-2005 GB/T 5465.2-2008
被代替标准
GB/T 13539.4-2009
适用范围
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。 本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了: a)熔断体的下列特性: 1)额定值; 2)正常工作时的温升; 3)耗散功率; 4)时间-电流特性; 5)分断能力; 6)截断电流特性和I2t特性; 7)电弧电压特性。 b)验证熔断体特性的型式试验; c)熔断体标志; d)应提供的技术数据(见附录BB)。

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