Erinnerung

Für die Erinnerung gibt es insgesamt 381 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Erinnerung die folgenden Kategorien: Wortschatz, grafische Symbole, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Anwendungen der Informationstechnologie, Nichteisenmetallprodukte, Prüfung von Metallmaterialien, Nichteisenmetalle, Elektrische und elektronische Prüfung, Leitermaterial, Textilprodukte, Datenspeichergerät, Zerstörungsfreie Prüfung, Textiltechnik, erziehen, Ergonomie, Kraftwerk umfassend, Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Ferrolegierung, Pulvermetallurgie, Stahlprodukte, Unterhaltungsausrüstung, medizinische Ausrüstung, Drahtlose Kommunikation, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Essen umfassend, Land-und Forstwirtschaft, Teile für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Bodenservice- und Reparaturausrüstung, Chemikalien, Umfangreiche Testbedingungen und -verfahren, Herstellungsformverfahren, Audio-, Video- und audiovisuelle Technik, Integrierte Luft- und Raumfahrzeuge, fotografische Fähigkeiten, Zeichensätze und Nachrichtenkodierung, Allgemeine Methoden der Lebensmittelprüfung und -analyse.

U.S. Military Regulations and Norms, Erinnerung

ARMY MIL-C-70490 NOTICE 1-1995 SCHALTKARTENBAUGRUPPE, SPEICHER
ARMY MIL-C-70490 (1)-1986 SCHALTKARTENBAUGRUPPE, SPEICHER
ARMY MIL-C-70490-1985 SCHALTKARTENBAUGRUPPE, SPEICHER
ARMY MIL-H-2987 B NOTICE 1-1997 HIDER, FLASH
ARMY MIL-H-2987 B-1975 HIDER, FLASH
ARMY MIL-C-63526 NOTICE 1-1996 KARTUSCHE, 105 MM, TANKGEWEHR-BLITZ-SIMULATOR, XM23
ARMY MIL-C-63526-1981 KARTUSCHE, 105 MM, TANKGEWEHR-BLITZ-SIMULATOR, XM23

RO-ASRO, Erinnerung

STAS 12326/1-1985 SPEICHEROSZILLOSKOPE Terminologie
STAS 12326/2-1985 SPEICHEROSZILLOSKOPE Allgemeine Anforderungen und besondere Prüfmethoden

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Erinnerung

KS D 0057-2004 Glossar der für Formgedächtnislegierungen verwendeten Begriffe
KS D 0057-2001 Glossar der für Formgedächtnislegierungen verwendeten Begriffe
KS D 0057-2019 Glossar der für Formgedächtnislegierungen verwendeten Begriffe
KS D 0057-2004(2019) Glossar der für Formgedächtnislegierungen verwendeten Begriffe
KS B ISO 24497-1-2008(2013) Zerstörungsfreie Prüfung – Magnetisches Metallgedächtnis – Teil 1: Vokabular
KS D 0058-2019 Verfahren zur Bestimmung der Umwandlungstemperatur von Formgedächtnislegierungen
KS D 0058-2004(2019) Verfahren zur Bestimmung der Umwandlungstemperatur von Formgedächtnislegierungen
KS D 0058-2001 Verfahren zur Bestimmung der Umwandlungstemperatur von Formgedächtnislegierungen
KS D 0058-2004 Verfahren zur Bestimmung der Umwandlungstemperatur von Formgedächtnislegierungen
KS D 0304-2004 Verfahren zur Prüfung der festen Dehnung von Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS B ISO 24497-2-2008(2013) Zerstörungsfreie Prüfung – Metallisches magnetisches Gedächtnis – Teil 2: Allgemeine Anforderungen
KS D 0304-1995 Methode der festen Dehnungsprüfung für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS D 0072-2002 Methode des Zugversuchs bei fester Temperatur für Drähte aus Ti-Ni-Formgedächtnislegierungen
KS D 0072-1993 Methode des Zugversuchs bei fester Temperatur für Drähte aus Ti-Ni-Formgedächtnislegierungen
KS D 0304-2004(2019) Verfahren zur Prüfung der festen Dehnung von Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS D 0072-2002(2017) Methode des Zugversuchs bei fester Temperatur für Drähte aus Ti-Ni-Formgedächtnislegierungen
KS D 0302-2019 Verfahren zur Belastungsprüfung bei fester Temperatur für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS D 0304-2019 Verfahren zur Prüfung der festen Dehnung von Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS D 0072-2022 Methode des Zugversuchs bei fester Temperatur für Drähte aus Ti-Ni-Formgedächtnislegierungen
KS D 0302-2004 Verfahren zur Belastungsprüfung bei fester Temperatur für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS B ISO 24497-3-2008(2013) Zerstörungsfreie Prüfung – Magnetisches Metallgedächtnis – Teil 3: Prüfung von Schweißverbindungen
KS D 0302-1993 Verfahren zur Belastungsprüfung bei fester Temperatur für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS D 0303-2004 Verfahren zur thermischen Wechselprüfung bei fester Spannung für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS D 0302-2004(2019) Verfahren zur Belastungsprüfung bei fester Temperatur für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS D 0303-2004(2019) Verfahren zur thermischen Wechselprüfung bei fester Spannung für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS D 0303-1995 Verfahren zur thermischen Wechselprüfung bei fester Belastung für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS D 0072-2002(2022) Methode des Zugversuchs bei fester Temperatur für Drähte aus Ti-Ni-Formgedächtnislegierungen
KS D 0303-2019 Verfahren zur thermischen Wechselprüfung bei fester Spannung für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
KS A ISO 12234-2:2006 Elektronische Standbilderzeugung – Wechselspeicher – Teil 2: TIFF/EP-Bilddatenformat
KS A ISO 12234-1:2011 Elektronische Standbilddarstellung – Wechselspeicher – Teil 1: Grundmodell mit Wechselspeicher
KS A ISO 12234-1:2016 Elektronische Standbilddarstellung – Wechselspeicher – Teil 1: Grundmodell mit Wechselspeicher

International Electrotechnical Commission (IEC), Erinnerung

IEC TR 61352:2006 Mnemonik und Symbole für integrierte Schaltkreise
IEC TR 61352:2000 Mnemonik und Symbole für integrierte Schaltkreise

British Standards Institution (BSI), Erinnerung

BS ISO/IEC 11694-6:2006 Identifikationskarten - Optische Speicherkarten - Lineares Aufzeichnungsverfahren - Verwendung biometrischer Daten auf einer optischen Speicherkarte
BS ISO/IEC 11694-6:2014 Identifikationskarten. Optische Speicherkarten. Lineare Aufzeichnungsmethode. Nutzung biometrischer Daten auf einer optischen Speicherkarte
BS ISO/IEC 11694-4:1997 Identifikationskarten. Optische Speicherkarten. Lineare Aufzeichnungsmethode. Logische Datenstrukturen
BS ISO/IEC 11694-3:2008 Identifikationskarten - Optische Speicherkarten - Lineares Aufzeichnungsverfahren - Optische Eigenschaften und Merkmale
BS ISO/IEC 11694-3:2015 Identifikationskarten. Optische Speicherkarten. Lineare Aufzeichnungsmethode. Optische Eigenschaften und Eigenschaften
BS ISO 24497-1:2020 Zerstörungsfreie Prüfung. Magnetisches Metallgedächtnis – Wortschatz und allgemeine Anforderungen
BS EN 4819:2012 Luft- und Raumfahrtserie. Contact Memory Button (CMB)-Tags für den Einsatz in Flugzeugen
BS ISO/IEC 11694-2:2012 Identifikationskarten. Optische Speicherkarten. Abmessungen und Lage des zugänglichen optischen Bereichs
BS ISO/IEC 11694-5:2014 Identifikationskarten. Optische Speicherkarten. Lineare Aufzeichnungsmethode. Datenformat für den Informationsaustausch für Anwendungen, die ISO/IEC 11694-4 verwenden
18/30358882 DC BS ISO 24497-2. Zerstörungsfreie Prüfung. Magnetischer Metallspeicher. Teil 2. Inspektion von Schweißverbindungen
18/30358879 DC BS ISO 24497-1. Zerstörungsfreie Prüfung. Magnetischer Metallspeicher. Teil 1. Wortschatz und allgemeine Anforderungen
BS ISO/IEC 11694-5:2006 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Datenformat für den Informationsaustausch für Anwendungen unter Verwendung von ISO/IEC 11694-4, Anhang B
BS ISO/IEC 15962:2013 Informationstechnologie. Radiofrequenzidentifikation (RFID) für die Artikelverwaltung. Datenprotokoll: Datenkodierungsregeln und logische Speicherfunktionen

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Erinnerung

JIS H 7107:2003 Drähte aus einer Ti-Ni-Formgedächtnislegierung
JIS H 7001:2009 Glossar der für Formgedächtnislegierungen verwendeten Begriffe
JIS H 7001:2002 Glossar der für Formgedächtnislegierungen verwendeten Begriffe
JIS H 7101:2002 Verfahren zur Bestimmung der Umwandlungstemperatur von Formgedächtnislegierungen
JIS H 7107:2009 Drähte, Bänder und Schläuche aus einer Ti-Ni-Formgedächtnislegierung
JIS H 7105:1993 Methode der festen Dehnungsprüfung für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
JIS H 7105:2002 Methode der festen Dehnungsprüfung für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
JIS H 7104:2002 Verfahren zur Belastungsprüfung bei fester Temperatur für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
JIS H 7105:2012 Methode zur Prüfung konstanter Belastung für Schraubenfedern aus Ti-Ni-Formgedächtnislegierungen
JIS H 7103:2002 Methode des Zugversuchs bei fester Temperatur für Drähte aus Ti-Ni-Formgedächtnislegierungen
JIS H 7103:2012 Zugversuchsmethode für Ti-Ni-Formgedächtnislegierungen
JIS H 7106:1993 Verfahren zur thermischen Wechselprüfung bei fester Belastung für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen
JIS H 7106:2002 Verfahren zur thermischen Wechselprüfung bei fester Belastung für Schraubenfedern aus Formgedächtnislegierungen

Defense Logistics Agency, Erinnerung

DLA SMD-5962-02517 REV A-2004 MIKROKIRCUIT-SPEICHER CMOS, DIGITAL, 128 M X 8 BIT STACKED DIE (1 GBIT) SYNCHRONES DRAM (SDRAM), MODUL
DLA SMD-5962-02518-2003 MIKROCIRCUIT-SPEICHER CMOS, DIGITAL, 256 M X 8 BIT STACKED DIE (2 GBIT) SYNCHRONES DRAM (SDRAM), MODUL
DLA SMD-5962-89841 REV L-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARE ARRAY-LOGIK (EEPLD), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 MIKROKREISE, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96893 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 9-KANAL-DIFFERENZ-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, STATISCHER RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) 256K X 16-BIT
DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89839 REV F-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, EE-PROGRAMMIERBARE ARRAY-LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90573-1991 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, BIPOLAR, ECL-PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITALER BIPOLARER DYNAMISCHER SPEICHERCONTROLLER AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-94634-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 8000 GATE-KONFIGURIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89823 REV H-2007 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 9000 GATE PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97631-1998 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, CMOS, 32K X 9 PARALLEL SYNCHRONES FIFO, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96892 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, 12-BIT-D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97610 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, DIGITAL, FLASH-EPROM, 2M X 16-BIT
DLA SMD-5962-92338-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER SPEICHER, BICMOS, EINMAL PROGRAMMIERBAR, PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98586 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BICMOS, 512 X 8-BIT BENUTZERDEFINIERTES MASKIERTES ROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94763 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ELEKTRISCH löschbares, programmierbares Logikgerät, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 Mikroschaltkreis, digitaler Speicher, bipolarer 64-Bit-RAM, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-94537-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-BIT-SPEICHERVERARBEITUNGSEINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-81015 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, DYNAMISCHER 16K-RANDOM-ACCESS-SPEICHER (RAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84132 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 16K STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93008-1994 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 16K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93091 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, 512K X 8-BIT, ELEKTRISCH LÖSCHBARER PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER
DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 32K x 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88776 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, LINEAR, 8-BIT, FLASH, ANALOG-DIGITAL-KONVERTER
DLA SMD-5962-98509 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 28000 GATE PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98510 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 36000 GATE PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98511 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 62000 GATE PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-98579-1999 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY, 10.000 GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96795 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 256K X 16 STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 MIKROSCHALTUNGSPEICHER, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4M x 1 DYNAMISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (DRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94549 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 256K X 16 MULTIPORT-VIDEO-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94567-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, X 9 GESTALTETE FIFOS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, EE-PROGRAMMIERBARE ARRAY-LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89892 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 16K X 4 SRAM MIT OE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93154 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, 128K X 8-BIT, ELEKTRISCH LÖSCHBARER PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER
DLA SMD-5962-93155 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, 256K X 8-BIT, ELEKTRISCH LÖSCHBARER PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER
DLA SMD-5962-99514 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 1-MEG
DLA SMD-5962-99527 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY, 20.000 GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99569 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY, 16.000 GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99585 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY, 36.000 GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99586 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY, 32.000 GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-82005 REV E-2005 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, 65.536 (8KX8), UV-LÖSCHBARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-82009 REV K-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR 64K (8K X 8) PROGRAMMIERBARER NUR-Lese-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-01529 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 16K X 1 STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, CMOS, 4K X 9 PARALLEL SYNCHRONES FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, EINMALIG PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 5000 GATE PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 10000 GATE PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92344-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BICMOS, 8K X 8 RÜCKSETZBARER SRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93124 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2K X 9 PARALLEL-FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93138 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, CMOS, 1K X 8 PARALLEL SYNCHRONES FIFO, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93173-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512 x 9 PARALLEL-FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93177 REV E-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16K x 9 PARALLEL-FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96840 REV A-2005 Mikroschaltkreis, digital, Speicher, strahlungsgehärtet, CMOS, 4 x 32 K x 40 SRAM, Multichip-Modul (MCM)
DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 128 X 8-BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94573 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, HISTOGRAMMIERER/SAKKUMULIERENDER PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-BIT TTL/BTL REGISTRIERTER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94585 REV J-2003 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, DIGITAL, 128K X 32-BIT, ELEKTRISCH LÖSCHBARER/PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER
DLA SMD-5962-94614 REV E-2003 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, DIGITAL, 32K X 32-BIT, ELEKTRISCH LÖSCHBARER UND PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER
DLA SMD-5962-92324 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 NICHTFLÜCHTIGER STATISCHER RAM MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, DIGITAL, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER, CMOS, 128K X 8-BIT
DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS ELEKTRISCH LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93221 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY, 4000 GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93235 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 256K X 8 BIT EEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96796 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, 128K X 8-BIT, ELEKTRISCH löschbarer, programmierbarer Nur-Lese-Speicher, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-96901 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, 512K X 16-BIT, SRAM UND FLASH-EPROM
DLA SMD-5962-97597 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ELEKTRISCH ÄNDERBARES FLASH-PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97599 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ELEKTRISCH ÄNDERBARES FLASH-PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97609 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, FLASH-EPROM, 2M X 8-BIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03202-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 1024 X 8-BIT BIPOLARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03203-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 2048 X 8-BIT BIPOLAR PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89661-1989 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, KASKADIERBARER 64 x 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89664 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, KASKADIERBARER 64 x 8 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 MIKROKREISE, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 2K X 9 FIFO PARALLELSERIE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 PARALLEL SERIELLER FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, NMOS, 256 x 4 STATISCHER RAM (SRAM) MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ELEKTRISCH löschbares, programmierbares Logikarray, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-93189 REV C-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4K X 18 PARALLEL SYNCHRONES FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93249 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512 x 9 PARALLEL SYNCHRONES FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-80012 REV H-2005 MIKROSCHALTEN, SPEICHER, DIGITAL, NMOS 4K X 8 UV-LÖSCHBARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-82008 REV K-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, SCHOTTKY BIPOLAR 32K PROGRAMMIERBARER NUR-Lese-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78016 REV G-2005 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 8K x 8 UV-LÖSCHBARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89666 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 256 x 9 PARALLEL-FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER, CMOS
DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 STATISCHER RAM (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL CMOS, 8K, DLA SMD-5962-38294 REV E, DLA SMD-5962-38294 REV D, DLA
DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16K x 4 STATISCHER RAM (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16 x 4 SRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16K X 4 BITS SRAM, (STD POWER), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89863 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PARALLEL 512 x 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 8K x 9 SRAM (STANDARDPOWER), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 16K X 4 SRAM MIT OE UND DUAL CE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 4M x 1 DYNAMISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (DRAM) MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 4MEG x 4 DRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93225-1994 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 64K x 4 SRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS ELEKTRISCH LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89855 REV A-1992 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, EINMAL PROGRAMMIERBAR, ASYNCHRONES REGISTRIERTES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-82025 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 16K x 8 UV-LÖSCHBARER PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (EPROM), MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16K (2048 X 8) BIT STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84111 REV E-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER SPEICHER, 262, 144-BIT (32K x 8), UV-LÖSCHBARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, FERNBEDIENUNG UND MONITOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92172-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BICMOS, 16K x 4 STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), SEPARATE E/A, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, HYBRID UND MONOLITHISCH, DIGITAL, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER, CMOS, 256K X 8-BIT
DLA SMD-5962-98644 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, SOI, STRAHLENGEHÄRTET, 32K X 8-BIT-MASKENPROGRAMMIERBARER ROM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97522 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97523 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97524 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97525 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 256 x 4 STATISCHER RAM (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90555 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, EINMAL PROGRAMMIERBAR, ASYNCHRON PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2K
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBAR, PROGRAMMIERBAR, LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 DUAL PORT, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99541 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 256K X 8-BIT STATISCHER RAM, MULTICHIP-MODUL
DLA SMD-5962-96836 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY 2000 GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96837-2000 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY 8000 GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, NMOS 16K (16.384 x 1) BIT STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89598 REV R-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 128K
DLA SMD-5962-94588-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 32K X 9 FIFO MIT PROGRAMMIERBAREN FLAGS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93056 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 NICHTFLÜCHTIGER STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93123-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 2K X 16-BIT STATE MACHINE PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93248-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98537 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS/SOI, 128K X 8 STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 128K
DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, NMOS, 65.536 X 1 BIT DYNAMISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03235 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512K x 8-BIT (4M), STRAHLUNGSGEHÄRTETER SRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 MIKROKREISE, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512 x 8 BIT SERIELLER EEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 MIKROKREISE, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2048 x 8 SERIELLES EEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89951-1990 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, NMOS 256 X 4 BIT, NICHTFLÜCHTIGER STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, REGISTRIERTER 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER NIEDRIGER ENERGIE-SHOTTKY, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, REMOTE-TERMINAL FÜR GESCHÄFTE MIT 1K X 16 RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 1MEG X 8 BIT EEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, LEISTUNGSGESCHALTET, 32K x 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93245-1993 Mikroschaltkreise, digital, Speicher, CMOS, erweiterte Spannung, UV-löschbar, programmierbares Logik-Array, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-98615 REV A-2006 MIKROKREISKREIS, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS, NIEDERSPANNUNG, 128K X 8-BIT STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99572 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ELEKTRISCH ÄNDERBAR (IN-SYSTEM REPROGRAMMIERBAR), 322.970 GATE, PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99573 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ELEKTRISCH ÄNDERBAR (IN-SYSTEM REPROGRAMMIERBAR), 661.111 GATE, PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99574 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ELEKTRISCH ÄNDERBAR (IN-SYSTEM REPROGRAMMIERBAR), 1.124.022 GATE, PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-79024 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 8192 BIT, SCHALTBAR, SCHOTTKY, BIPOLARER PROM MIT TRI-STATE-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, NMOS 16K (2048 X 8) BIT STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 32K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92322-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 64K X 8-BIT SCHNELLER SPALTENZUGANG UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4K x 8 UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93244-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 512K X 8 BIT 5-VOLT-PROGRAMMIER-EEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON

工业和信息化部, Erinnerung

YS/T 1307.1-2019 Prüfverfahren für Gedächtniseigenschaften von Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen Teil 1: Zugprüfverfahren
YS/T 1307.2-2019 Testmethode für die Gedächtnisleistung einer Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung, Teil 2: Biegetestmethode
YS/T 1136-2016 Medizinischer nahtloser Schlauch aus Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung
JB/T 13468-2018 Zerstörungsfreie Prüfung mit integriertem Wirbelstrom-Magnetspeicher-Prüfverfahren

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Erinnerung

YS/T 971-2014 Drähte aus Titan-Nickel-Formgedächtnislegierung
YS/T 1064-2015 Terminologie für Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen
YS/T 970-2014 Methode zur Phasenänderungstemperaturmessung für Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen
YS/T 969-2014 Verfahren zur Zugprüfung bei konstanter Temperatur für Drähte aus einer Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Erinnerung

GB/T 20296-2006 Mnemonik und Symbole für integrierte Schaltkreise
GB/T 20296-2012 Mnemonik und Symbole für integrierte Schaltkreise
GB/T 26641-2011 Zerstörungsfreie Prüfung. Magnetische Gedächtnisprüfung. Allgemeine Grundsätze
GB/T 12604.10-2011 Zerstörungsfreie Prüfung.Terminologie.Begriffe, die bei der Prüfung des magnetischen Gedächtnisses verwendet werden
GB/T 17551-1998 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Allgemeine Eigenschaften
GB/T 12604.10-2023 Terminologie der zerstörungsfreien Prüfung, Teil 10: Prüfung des magnetischen Gedächtnisses
GB/T 17550.1-1998 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 1: Physikalische Eigenschaften
GB/T 24627-2023 Verarbeitungsmaterialien aus Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen für chirurgische Implantate
GB/T 5009.198-2003 Schalentiere – Testmethode für Domonsäure bei amnesischer Schalentiervergiftung
GB/T 17550.3-1998 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 3: Optische Eigenschaften und Merkmale
GB/T 17550.4-2000 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 4: Logische Datenstrukturen
GB 24627-2009 Standardspezifikation für geformte Nickel-Titan-Knetlegierungen für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
GB/T 17550.2-1998 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 2: Abmessungen und Lage des zugänglichen optischen Bereichs
GB/T 42516-2023 Chemische Analysemethode für Hochtemperatur-Formgedächtnislegierungen. Bestimmung des Platingehalts. Thioharnstoff-Komplex-Ausfällungsmethode

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Erinnerung

CNS 10322-1983 Testmethode für Ferritkerne für Speichergeräte
CNS 13939-1997 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Allgemeine Eigenschaften
CNS 13940-3-1997 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 3: Optische Eigenschaften und Merkmale
CNS 13940.3-1997 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 3: Optische Eigenschaften und Eigenschaften
CNS 13940-1-1997 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 1: Physikalische Eigenschaften
CNS 13940.1-1997 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 1: Physikalische Eigenschaften
CNS 13940.2-1997 Ausweiskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 2: Abmessungen und Lage des zugänglichen optischen Bereichs
CNS 13940-2-1997 Ausweiskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 2: Abmessungen und Lage des zugänglichen optischen Bereichs

Professional Standard - Textile, Erinnerung

FZ/T 43053-2019 Formgedächtnisgewebe aus Polyesterfasern

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Erinnerung

GB/T 39985-2021 Platte aus Titan-Nickel-Formgedächtnislegierung
GB/T 26641-2021 Zerstörungsfreie Prüfung – Prüfung des magnetischen Gedächtnisses – Allgemeine Anforderungen
GB/T 41420-2022 Textilien – Bestimmung und Bewertung der Formgedächtniseigenschaft
GB/T 39989-2021 Stab und Draht aus superelastischer Titan-Nickel-Formgedächtnislegierung
GB/T 34370.10-2020 Zerstörungsfreie Prüfung von Vergnügungsgeräten – Teil 10: Prüfung des magnetischen Gedächtnisses

Association Francaise de Normalisation, Erinnerung

NF EN 111101:1991 Spezielle Rahmenspezifikation: Memory-Sichtröhren
NF EN 111100:1991 Mittlere Spezifikation: Speicher-Betrachtungsröhren
NF A51-080:1991 Formgedächtnislegierungen (SMA). Wortschatz und Maße.
NF EN 4819:2017 Luft- und Raumfahrtserie – Kontaktspeichertaste (CMB) für den Einsatz in der Luftfahrt
NF L50-004*NF EN 4819:2017 Luft- und Raumfahrtserie – Contact Memory Button (CMB)-Tags für den Einsatz in Flugzeugen

CZ-CSN, Erinnerung

CSN 01 3349-1989 Grafische Symbole für elektrische Diagramme. Speichereinheiten

International Organization for Standardization (ISO), Erinnerung

ISO/IEC 11693:2000 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Allgemeine Merkmale
ISO 24497-1:2007 Zerstörungsfreie Prüfung – Magnetisches Metallgedächtnis – Teil 1: Wortschatz
ISO/IEC 11694-1:2000 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 1: Physikalische Eigenschaften
ISO/IEC 11694-1:2005 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 1: Physikalische Eigenschaften
ISO/IEC 11694-1:2012 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 1: Physikalische Eigenschaften
ISO/IEC 11694-3:2001 Identifikationskarten - Optische Speicherkarten; Lineares Aufnahmeverfahren – Teil 3: Optische Eigenschaften und Charakteristika
ISO/IEC 11694-4:2001 Identifikationskarten - Optische Speicherkarten; Lineare Aufzeichnungsmethode – Teil 4: Logische Datenstrukturen
ISO 24497-2:2020 Zerstörungsfreie Prüfung – Magnetisches Metallgedächtnis – Teil 2: Prüfung von Schweißverbindungen
ISO/IEC 11694-2:2000 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 2: Abmessungen und Lage des zugänglichen optischen Bereichs
ISO/IEC 11694-2:2005 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 2: Abmessungen und Lage des zugänglichen optischen Bereichs

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Erinnerung

GJB 8518-2015 Spezifikation für Befestigungsringe aus Formgedächtnislegierung
GJB 8620-2015 Spezifikation für Stäbe aus Nickel-Titan-Niob-Formgedächtnislegierungen

Group Standards of the People's Republic of China, Erinnerung

T/QGCML 1174-2023 Technische Spezifikationen für die Herstellung von Memoryschaum-Matratzen
T/HCPA 007-2023 Effiziente Beurteilung der beruflichen Fähigkeiten von Gedächtnislehrern
T/GDAQI 011-2019 Magnetisches Gedächtnistestverfahren für die Belastung oberirdischer Metallrohrleitungen
T/CALAS 74-2019 Versuchstiere – Leitfaden für Lern- und Gedächtnisverhaltenstests
T/CSBM 0015-2021 Methode zur Bewertung der Formwiederherstellbarkeit von Knochenplatten aus Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung
T/CSBM 0017-2021 Bewertungsmethode zur Bewertung der Formwiederherstellbarkeit eines Herzverschlusses aus einer Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung
T/CSBM 0016-2021 In-vitro-Testverfahren für die Nickelionenfreisetzung von Knochenimplantaten aus einer Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung
T/GAMA 19-2021 Additive Fertigung – Prüfmethode für Formgedächtniseigenschaften von Polymermaterialien – Biegeprüfung
T/GAMA 20-2021 Additive Fertigung – Antriebsmethode für das Formgedächtnis von Polymermaterialien – thermische UV-Antriebsmethode
T/SDAS 639-2023 Material- und Prozessanforderungen für additiv gefertigte orthopädische Implantate aus einer Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung
T/CSBM 0018-2021 Testverfahren zur Bewertung der Formwiederherstellbarkeit von selbstexpandierenden Gefäßstents aus einer Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung
T/SNHFA 020.2-2023 Schnelle Bewertungsmethode für gesunde Lebensmittelfunktionen basierend auf dem Zebrafischmodell Teil 2: Trägt zur Verbesserung der Gedächtnisfunktion bei

U.S. Air Force, Erinnerung

AIR FORCE MIL-W-6873 C NOTICE 1-1997 SCHWEISSEN; FLASH-, KOHLENSTOFF- UND LEGIERTER STAHL
AIR FORCE MIL-W-6873 C-1991 SCHWEISSEN; FLASH-, KOHLENSTOFF- UND LEGIERTER STAHL

American Society for Testing and Materials (ASTM), Erinnerung

ASTM F2005-05 Standardterminologie für Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen
ASTM F2005-00 Standardterminologie für Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen
ASTM F2005-05(2010) Standardterminologie für Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen
ASTM F2005-05(2015) Standardterminologie für Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen
ASTM F2005-21 Standardterminologie für Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen
ASTM E3097-23 Standardtestmethode für einachsige thermische Wechselwirkung mit konstanter Kraft von Formgedächtnislegierungen
ASTM F2063-05 Standardspezifikation für geschmiedete Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
ASTM F2063-00 Standardspezifikation für geschmiedete Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
ASTM E3097-17 Standardtestmethode für mechanische einachsige thermische Wechselwirkung mit konstanter Kraft von Formgedächtnislegierungen
ASTM E3414-23 Standardtestverfahren für thermische Zyklen mit konstantem Drehmoment an zylindrischen Formgedächtnislegierungsproben
ASTM F2063-18 Standardspezifikation für geschmiedete Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
ASTM F2063-12 Standardspezifikation für geschmiedete Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
ASTM E3098-17 Standardtestverfahren für die mechanische uniaxiale Vordehnung und thermisch freie Erholung von Formgedächtnislegierungen
ASTM F2633-07 Standardspezifikation für nahtlos geschmiedete Rohre aus Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
ASTM F2633-13 Standardspezifikation für nahtlos geschmiedete Rohre aus Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
ASTM F2082-01 Standardtestmethode zur Bestimmung der Transformationstemperatur von Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen durch Biegung und freie Erholung
ASTM F2082-15 Standardtestmethode zur Bestimmung der Transformationstemperatur von Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen durch Biegung und freie Erholung
ASTM F2082/F2082M-16 Standardtestmethode zur Bestimmung der Transformationstemperatur von Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen durch Biegung und freie Erholung
ASTM F2082/F2082M-23 Standardtestmethode zur Bestimmung der Transformationstemperatur von Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen durch Biegung und freie Erholung
ASTM F2082-03 Standardtestmethode zur Bestimmung der Transformationstemperatur von Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen durch Biegung und freie Erholung
ASTM F2633-19 Standardspezifikation für nahtlos geschmiedete Rohre aus Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
ASTM F2082-06 Standardtestmethode zur Bestimmung der Transformationstemperatur von Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen durch Biegung und freie Erholung

Canadian Standards Association (CSA), Erinnerung

CSA ISO/IEC 11694-6-06:2006 Identifikationskarten Optische Speicherkarten Lineares Aufzeichnungsverfahren Teil 6: Verwendung biometrischer Daten auf einer optischen Speicherkarte ISO/IEC 11694-6:2006
CSA ISO/IEC 11693-06:2006 Identifikationskarten Optische Speicherkarten Allgemeine Eigenschaften ISO/IEC 11693:2005
CSA ISO/IEC 10373-5-06:2006 Ausweiskarten Testmethoden Teil 5: Optische Speicherkarten Zweite Ausgabe
CSA ISO/IEC 11694-1-06:2006 Identifikationskarten Optische Speicherkarten Lineares Aufzeichnungsverfahren Teil 1: Physikalische Eigenschaften ISO/IEC 11694-1:2005
CSA ISO/IEC-11694-3-02:2002 Identifikationskarten Optische Speicherkarten Lineares Aufzeichnungsverfahren Teil 3: Optische Eigenschaften und Merkmale ISO/IEC 11694-3:2001
CSA ISO/IEC-11694-4-02:2002 Identifikationskarten – Optische Speicherkarten – Lineares Aufzeichnungsverfahren – Teil 4: Logische Datenstrukturen ISO/IEC 11694-4:2001
CSA ISO/IEC 11694-2-06:2006 Identifikationskarten Optische Speicherkarten Lineares Aufzeichnungsverfahren Teil 2: Abmessungen und Lage des zugänglichen optischen Bereichs ISO/IEC 11694-2:2005
CSA ISO/IEC 11694-5-06:2006 Identifikationskarten Optische Speicherkarten Teil 5: Datenformat für den Informationsaustausch für Anwendungen unter Verwendung von ISO/IEC 11694-4, Anhang B ISO/IEC 11694-5:2006

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, Erinnerung

GJB 5913-2006 Spezifikation für Stäbe aus NiTiNb-Formgedächtnislegierung

FI-SFS, Erinnerung

SFS 5233-1986 Rohr installieren. Isolationsanforderungen für Memory-Isolierrohre

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Erinnerung

JEDEC JESD21-C-1998 Konfigurationen für Solid-State-Speicher Version 8 ***MÜSSEN DIREKT AN JEDEC, 703.907.7559*** RICHTEN

RU-GOST R, Erinnerung

GOST 21480-1976 Mnemoschemata des „Mensch-Maschine“-Systems. Allgemeine ergonomische Anforderungen
GOST 25492-1982 Erinnerungen an digitale Computer. Begriffe und Definitionen
GOST R 52081-2003 Zerstörungsfreie Prüfung. Methode des magnetischen Metallgedächtnisses. Begriffe und Definitionen

Professional Standard - Electricity, Erinnerung

DL/T 370-2010 Metallmagnetische Gedächtnisprüfung von Schweißverbindungen an Druckgeräten
DL/T 1105.4-2009 Die technische Richtlinie zur zerstörungsfreien Prüfung von Kehlnähten an Düsenstutzen mit kleinem Durchmesser an Kesselköpfen in Kraftwerken – Teil 4: Diagnosetechnik für Magnetgedächtnismetalle
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Professional Standard - Machinery, Erinnerung

JB/T 11611-2013 Zerstörungsfreies Prüfgerät. Integriertes Prüfgerät für Wirbelstrom und Magnetspeicher
JB/T 11605-2013 Geräte für die zerstörungsfreie Prüfung. Spezifikationen für Geräte mit magnetischem Metallspeicher
JB/T 11606-2013 Instrumente zur zerstörungsfreien Prüfung. Überprüfung von Instrumenten mit magnetischem Metallspeicher

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, Erinnerung

GS LIS 002-2013 Localisation Industry Standards (LIS); Translation Memory eXchange (TMX) (V1.4.2)

GSO, Erinnerung

GSO ISO 24497-2:2021 Zerstörungsfreie Prüfung – Magnetisches Metallgedächtnis – Teil 2: Allgemeine Anforderungen
BH GSO ISO 24497-2:2022 Zerstörungsfreie Prüfung – Magnetisches Metallgedächtnis – Teil 2: Allgemeine Anforderungen
GSO ISO 24497-3:2021 Zerstörungsfreie Prüfung – Magnetisches Metallgedächtnis – Teil 3: Prüfung von Schweißverbindungen
BH GSO ISO 24497-3:2022 Zerstörungsfreie Prüfung – Magnetisches Metallgedächtnis – Teil 3: Prüfung von Schweißverbindungen
GSO ASTM F2063:2023 Standardspezifikation für geschmiedete Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
BH GSO ASTM F2063:2023 Standardspezifikation für geschmiedete Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
BH GSO ASTM F2633:2023 Standard-Spezifikation für geschmiedete nahtlose Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungsrohre für medizinische Geräte und chirurgische Implantate
GSO ASTM F2633:2022 Standardspezifikation für nahtlos geschmiedete Rohre aus Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung für medizinische Geräte und chirurgische Implantate

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Erinnerung

TIA-136-005-C-2004 TDMA – Drahtlose Einführung, Identifizierung und semipermanenter Speicher der dritten Generation

European Telecommunications Standards Institute (ETSI), Erinnerung

ETSI GS LIS 002-2013 Lokalisierungsindustriestandards (LIS); Translation Memory eXchange (TMX) (V1.4.2)

VDI - Verein Deutscher Ingenieure, Erinnerung

VDI 2248 BLATT 4-2017 Produktentwicklung mit Formgedächtnislegierungen – Simulation und Modellentwicklung
VDI 2248 BLATT 5-2017 Produktentwicklung mit Formgedächtnislegierungen – Entwicklungsmethoden
VDI 2248 BLATT 3-2017 Produktentwicklung mit Formgedaechtnislegierungen (FGL) - Pruef- und Messmethoden
VDI 2248 BLATT 2-2017 Produktentwicklung mit Formgedächtnislegierungen (FGL) - Werkstoffauswahl und Nomenklatur
VDI 2248 BLATT 1-2017 Produktentwicklung mit Formgedaechtnislegierungen (FGL) - Grundlagen und Anwendungsbeispiele

Professional Standard - Commodity Inspection, Erinnerung

SN/T 1070-2002 Methode zur Bestimmung von amnesischem Schalentiergift in Schalentieren für den Import und Export

SCC, Erinnerung

DANSK DS/ISO 24497-1:2020 Zerstörungsfreie Prüfung – Magnetisches Metallgedächtnis – Teil 1: Vokabular und allgemeine Anforderungen
DANSK DS/ISO 24497-2:2020 Zerstörungsfreie Prüfung – Magnetisches Metallgedächtnis – Teil 2: Prüfung von Schweißverbindungen
05/30137582 DC ISO 24497-2. Zerstörungsfreie Prüfung. Magnetischer Metallspeicher. Teil 2. Allgemeine Anforderungen
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05/30137585 DC ISO 24497-1. Zerstörungsfreie Prüfung. Magnetischer Metallspeicher. Teil 1. Begriffe und Definitionen
DANSK DS/EN 4819:2012 Luft- und Raumfahrtserie – Contact Memory Button (CMB)-Tags für den Einsatz in Flugzeugen
NS-EN 4819:2012 Luft- und Raumfahrtserie – Contact Memory Button (CMB)-Tags für den Einsatz in Flugzeugen
ASD-STAN PREN 4819:2011 Contact Memory Button (CMB)-Tags der Luft- und Raumfahrtserie für den Einsatz in Flugzeugen
DIN EN 4819 E:2012 Entwurfsdokument – Luft- und Raumfahrtserie – Contact Memory Button (CMB)-Tags für die Verwendung in Flugzeugen; Deutsche und englische Fassung FprEN 4819:2011

国家药监局, Erinnerung

YY/T 1771-2021 Biegefreie Erholungsmethode zum Testen der Phasenübergangstemperatur einer Nickel-Titan-Formgedächtnislegierung

Lithuanian Standards Office , Erinnerung

LST EN 4819-2012 Luft- und Raumfahrtserie – Contact Memory Button (CMB)-Tags für den Einsatz in Flugzeugen

Danish Standards Foundation, Erinnerung

DS/EN 4819:2012 Luft- und Raumfahrtserie – Contact Memory Button (CMB)-Tags für den Einsatz in Flugzeugen

CEN - European Committee for Standardization, Erinnerung

EN 4819:2012 Luft- und Raumfahrtserie – Contact Memory Button (CMB)-Tags für den Einsatz in Flugzeugen

German Institute for Standardization, Erinnerung

DIN EN 4819:2012-09 Luft- und Raumfahrtserie – Contact Memory Button (CMB)-Tags für den Einsatz in Flugzeugen; Deutsche und englische Fassung EN 4819:2012
DIN EN 4819:2012 Luft- und Raumfahrtserie – Contact Memory Button (CMB)-Tags für den Einsatz in Flugzeugen; Deutsche und englische Fassung EN 4819:2012

ES-UNE, Erinnerung

UNE-EN 4819:2012 Luft- und Raumfahrtserie – Contact Memory Button (CMB)-Tags für den Einsatz in Flugzeugen (von AENOR im Juli 2012 empfohlen).

United States Navy, Erinnerung

NAVY MIL-STD-2217 VALID NOTICE 3-2005 SPEICHERLADER/VERIFIER-MULTIPLEX-BUS-SCHNITTSTELLE MIT AVIONISCHEN SYSTEMEN, ANFORDERUNGEN FÜR
NAVY MIL-STD-2217 CHG NOTICE 2-2000 SPEICHERLADER/VERIFIER-MULTIPLEX-BUS-SCHNITTSTELLE MIT AVIONISCHEN SYSTEMEN, ANFORDERUNGEN FÜR

GOSTR, Erinnerung

GOST R ISO 24497-3-2009 Zerstörungsfreie Prüfung. Metallmagnetisches Speicherverfahren. Teil 3. Inspektion von Schweißverbindungen

Aerospace, Security and Defence Industries Association of Europe (ASD), Erinnerung

ASD-STAN PREN 4819-2011 Contact Memory Button (CMB)-Tags der Luft- und Raumfahrtserie für den Einsatz in Flugzeugen (Edition P 1)

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization, Erinnerung

PREN 4819-2011 Contact Memory Button (CMB)-Tags der Luft- und Raumfahrtserie für den Einsatz in Flugzeugen (Edition P 1)

未注明发布机构, Erinnerung

ASTM RR-F04-1009 2006 F2082/F2082M-Testverfahren zur Bestimmung der Transformationstemperatur von Nickel-Titan-Formgedächtnislegierungen durch Biegung und freie Erholung

Standard Association of Australia （SAA）, Erinnerung

AS ISO/IEC 15962:2006 Informationstechnologie – Radiofrequenzidentifikation (RFID) für die Artikelverwaltung – Datenprotokoll: Datenkodierungsregeln und logische Speicherfunktionen

Professional Standard - Energy, Erinnerung

DL/T 1105.4-2020 Technische Richtlinie zur zerstörungsfreien Prüfung von Kehlnähten an Sammlern mit kleinem Durchmesser in Kraftwerkskesseln, Teil 4: Magnetgedächtnisprüfung

Professional Standard - Agriculture, Erinnerung

114药典化学药和生物制品卷-2010 Kapitel 1 Medikamente für das Nervensystem Abschnitt 7 Medikamente zur Verbesserung der Gehirnfunktion (Nootropika) und Anti-Gedächtnis-Medikament Piracetam
112药典化学药和生物制品卷-2010 Kapitel 1 Medikamente für das Nervensystem Abschnitt 7 Medikamente zur Verbesserung der Gehirnfunktion (Nootropika) und Anti-Memory-Medikamente Citicolin
117药典化学药和生物制品卷-2010 Kapitel 1 Medikamente für das Nervensystem Abschnitt 7 Medikamente zur Verbesserung der Gehirnfunktion (Nootropika) und Anti-Gedächtnis-Medikament Nicergolin
119药典化学药和生物制品卷-2010 Kapitel 1 Medikamente für das Nervensystem Abschnitt 7 Medikamente zur Verbesserung der Gehirnfunktion (Nootropika) und Anti-Memory-Medikamente Huperzin A
115药典化学药和生物制品卷-2010 Kapitel 1 Medikamente für das Nervensystem Abschnitt 7 Medikamente zur Verbesserung der Gehirnfunktion (Nootropika) und Anti-Memory-Medikamente Aniracetam
111药典化学药和生物制品卷-2010 Kapitel 1 Medikamente für das Nervensystem Abschnitt 7 Medikamente zur Verbesserung der Gehirnfunktion (Nootropika) und Anti-Memory-Medikamente Pyrithiolhydrochlorid
123药典化学药和生物制品卷-2010 Kapitel 1 Medikamente für das Nervensystem Abschnitt 7 Medikamente zur Verbesserung der Gehirnfunktion (Nootropika) und Anti-Memory-Medikament Memantinhydrochlorid
113药典化学药和生物制品卷-2010 Kapitel 1 Medikamente für das Nervensystem Abschnitt 7 Medikamente zur Verbesserung der Gehirnfunktion (Nootropika) und Anti-Memory-Medikamente Meclofenoxathydrochlorid
120药典化学药和生物制品卷-2010 Kapitel 1 Medikamente für das Nervensystem Abschnitt 7 Medikamente zur Verbesserung der Gehirnfunktion (Nootropika) und Anti-Memory-Medikamente Donepezilhydrochlorid
122药典化学药和生物制品卷-2010 Kapitel 1 Medikamente für das Nervensystem Abschnitt 7 Medikamente zur Verbesserung der Gehirnfunktion (Nootropika) und Anti-Memory-Medikamente Galantaminhydrobromid