ZH
RU
EN
ES

メモリストレージ

メモリストレージは全部で 51 項標準に関連している。

メモリストレージ 国際標準分類において、これらの分類：集積回路、マイクロエレクトロニクス、データストレージデバイス、オーディオ、ビデオ、およびオーディオビジュアルエンジニアリング、航空機と宇宙船の統合。

Defense Logistics Agency, メモリストレージ

DLA SMD-5962-93091 REV D-2005 512K X 8 ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、メモリハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 シリコンモノリシック64ビットバイポーラランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-93154 REV A-2005 128K X 8 ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、メモリハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-93155 REV B-2005 256K X 8 ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、メモリハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-81015 REV C-2006 シリコンモノリシック 16 キロビットダイナミックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-84132 REV C-2005 シリコンモノリシック 16 キロバイトのスタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-96901 REV D-2004 512K X 16 ビットのスタティックメモリと消去可能プログラマブル読み取り専用メモリのハイブリッドメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-94549 REV D-2006 シリコンモノリシック、256K X 16 マルチポートビデオランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89892 REV B-2007 シリコンモノリシックチップ、OE16K X 4スタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-92344-1993 シリコンモノリシック、8K X 8 再構成可能なスタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-92324 REV B-2006 シリコンモノリシック、8K X 8 不揮発性スタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-82005 REV E-2005 シリコンモノリシック 65536 (8KX8) マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 シリコンモノリシック、OE およびデュアル CE16K X 4 スタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-94585 REV J-2003 128K X 32 ビット電気的に消去可能/プログラム可能な読み取り専用メモリ、デジタルメモリハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-94614 REV E-2003 32K X 32 ビット電気的に消去可能/プログラム可能な読み取り専用メモリ、デジタルメモリハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-93235 REV A-2005 シリコンモノリシック、256K X 8ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-92172-1993 シリコンモノリシック、独立した I/O アドレス 16K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、BICMOS デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-82009 REV K-2005 シリコンモノリシック 64 キロビットプログラマブル読み取り専用メモリ、バイポーラデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-80012 REV H-2005 シリコンモノリシック 8 キロバイト x 8 マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-78016 REV G-2005 シリコンモノリシック 8 キロバイト x 8 マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-03202-2003 シリコンモノリシック 1024 x 8 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-03203-2003 シリコンモノリシック 1048 x 8 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-82025 REV H-2005 シリコンモノリシック 16k x 8 マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-84111 REV E-2004 シリコンモノリシック 262,144 ビット (32K X 8) マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-94599 REV B-2006 シリコンモノリシック、自己保存型 8K
DLA SMD-5962-90594 REV A-1995 シリコンモノリシックチップ、透過書き込みおよび独立した I/O アドレッシングを備えた 16K X 4 スタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-90664-1992 シリコンモノリシック、透過書き込みおよび独立した I/O アドレッシングを備えた 64K X 4 スタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 スタティックランダムアクセスメモリ 256K X 16 ビットハイブリッドメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-96795 REV C-2004 256K × 16 スタティックランダムメモリレジスタシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 4M X 1ダイナミックランダムアクセスメモリシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-01529 REV A-2007 モノリシックシリコンデジタルメモリマイクロ回路 CMOS 16K X 1 スタティックランダムアクセスメモリ (SRAM)
DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K×8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体メモリハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 シリコンモノリシック、2K X 8 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 シリコンモノリシック、8K×8スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 シリコンモノリシック、16K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 シリコンモノリシック、16K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 シリコンモノリシック、16K X 4BITS スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 シリコンモノリシック、8K × 9 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 シリコンモノリシック、4M X 1ダイナミックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 シリコンモノリシック、4M x 4ダイナミックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-93225-1994 シリコンモノリシック、64K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-02517 REV A-2004 デジタルメモリ CMOS マイクロ回路 128M X 8 BIT スタックモールド (1GBIT) 同期メモリ (メモリ) モジュール
DLA SMD-5962-02518-2003 デジタルメモリ CMOS マイクロ回路 256M X 8 BIT スタックモールド (2GBIT) 同期メモリ (メモリ) モジュール
DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 シリコンモノリシック、16キロビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体メモリハイブリッドおよびモノリシックマイクロ回路
DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 シリコンモノリシック8KX8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 シリコンモノリシック、2K X 8 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 シリコンモノリシック、4K × 9 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-99541 REV A-2005 マイクロ回路、メモリ付き、デジタルタイプ、耐放射線性CMOS、256K X8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、単一シリコン
DLA SMD-5962-96840 REV A-2005 X 32K X 40 スタティックメモリマルチチップコンポーネントシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路