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正極片

正極片は全部で 500 項標準に関連している。

正極片 国際標準分類において、これらの分類：バッテリーと蓄電池、鉄鋼製品、粉末冶金、真空技術、導体材料、集積回路、マイクロエレクトロニクス、半導体材料、半導体ディスクリートデバイス、工作機械、品質、冶金設備、電子管、電子表示装置、オプトエレクトロニクス、レーザー装置、電気工学総合、無機化学、非鉄金属製品、航空宇宙システムおよび操作装置、チップレス加工装置、電気、磁気、電気および磁気測定、電灯および関連器具、商品の総合的な梱包と輸送、電気機器部品、総合電子部品、抵抗器、電子および通信機器用の電気機械部品、分析化学、無駄、溶接、ロウ付け、低温溶接、金属腐食、放射線測定、語彙、非鉄金属、情報技術の応用、環境を守ること、柔軟な伝達と伝達、医療機器、検査・修理・試験設備、無線通信、光学および光学測定、建物の構造、データストレージデバイス、コンデンサ、エネルギー・伝熱工学総合、ファスナー、航空宇宙製造用の材料。

Group Standards of the People's Republic of China, 正極片

T/ZZB 1302-2019 リチウムイオン電池正極・負極水系バインダー
T/QGCML 306-2022 ナトリウムイオン電池正極材
T/SSEA 0202-2022 リチウム電池ポールピース圧延機ロール
T/QDAS 050-2020 ダイオードディフューザーの研究開発手順
T/ZZB 2408-2021 リチウム電池正極材用水酸化ナトリウム
T/HBZXL 011-2023 バッテリーポールピースローラープレスの技術的条件
T/CAS 455-2020 リチウムイオン電池自動電極スクレーパー塗布機
T/QGCML 097-2021 ダイオードディフューザーパッケージの技術仕様
T/QGCML 030-2020 ダイオードディフューザーの一般的な電気規格
T/CEMIA 028-2022 チップ抵抗器用表面電極ペースト仕様
T/CEMIA 027-2022 チップ抵抗器用裏面電極ペースト仕様
T/SSEA 0201-2022 リチウム電池ポールピース圧延機用ロールブランク
T/FSYY 0048-2021 廃リチウム電池前処理品正極材粉末
T/QGCML 2162-2023 リン酸鉄リチウム正極材料生産ラインの仕様要件
T/DCB 003-2023 リチウムイオン電池正極材リン酸鉄マンガンリチウム
T/ZZB 1912-2020 積層チップセラミックコンデンサ電極ニッケル粉
T/CASME 901-2023 リチウム電池ポールピース打ち抜き金型の技術要件
T/CEMIA 031-2022 有機ELディスプレイ用ポジ型ゲル現像液
T/CIAPS 0029-2023 リチウムイオン電池用リン酸鉄マンガンリチウム正極材
T/QDAS 070-2021 ダイオードディフューザーボロン拡散液体ソース配合
T/COEMA 004LCD-2022 テレビ用有機発光ダイオード (OLED) 偏光板
T/ZZB 2332-2021 発光ダイオード用研磨サファイア基板
T/CIET 264-2023 リチウムイオン電池正極材料企業向けの炭素管理ガイド
T/CAB 0265-2023 廃棄されたリン酸鉄リチウム正極材料を修理するための技術要件
T/CEEIA 506-2021 リチウムイオン電池正極材料のグリーンファクトリー評価要件
T/FSYY 0035-2021 炭素排出削減プロセスの技術仕様リチウムイオン電池正極材料
T/DCB 004-2023 ナトリウムイオン電池正極材第1部：分類と命名
T/ZZB 2407-2021 単結晶正極材料用ニッケル・コバルト・マンガン三元系複合水酸化物
T/QGCML 654-2023 新エネルギー発電用リン酸鉄リチウムリチウム正極材用特殊鉄
T/DZJN 184-2023 使用済みリチウムイオン電池正極材の再生プロセスの技術要件
T/SQIA 058-2023 リチウム電池の正極および負極機能材料のカーボンフットプリント評価技術要件
T/GERS 0036-2023 急速充電リチウムイオン電池用正極材料の技術仕様
T/COEMA 003LCD-2022 中小型有機発光ダイオード（OLED）ディスプレイ用偏光子
T/DZJN 114-2022 使用済みリチウムイオン電池電極材料のリサイクルに関する技術仕様
T/WHAS 050-2023 バイポーラ電気凝固鉗子の刃の成形・製造工程の仕様
T/GDBIA 06-2023 リチウムイオン電池用三元正極材料の安全性試験の技術仕様
T/CIAPS 0026-2023 電池産業におけるエネルギー効率ベンチマークの実施ガイドライン第 3 部正極材料
T/DCB 007-2023 ナトリウムイオン電池の正極材料第 4 部: 遷移金属酸化物
T/FSYY 0027-2021 リチウムイオン電池正極材料の製品二酸化炭素排出量の計算および報告要件
T/FSYY 0036-2021 炭素排出削減プロセスの技術仕様リチウムイオン電池正極材料前駆体
T/DCB 006-2023 ナトリウムイオン電池正極材料その3 プルシアンブルー化合物
T/DCB 005-2023 ナトリウムイオン電池正極材料その2：ポリアニオン化合物
T/FSYY 0028-2021 リチウムイオン電池正極材料前駆体の製品二酸化炭素排出量の計算および報告要件
T/FSYY 0037-2021 リチウムイオン電池正極材料メーカーに対する炭素排出量の計算方法と報告要件
T/DZJN 112-2022 リチウムイオン電池マルチ複合正極材料のグリーンデザイン製品評価技術仕様
T/DZJN 216-2023 リチウムイオン電池製品のカーボンフットプリント評価ガイドライン第 2 部：正極材 - リン酸鉄リチウム

Defense Logistics Agency, 正極片

DLA SMD-5962-98640 REV B-2009 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、15 ボルト、ポジティブ、固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98643 REV C-2012 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、5 ボルト、プラス、固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-91523 REV C-2013 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、プラス、20 V 固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98647 REV B-2010 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98648 REV B-2011 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98650 REV B-2011 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98649 REV C-2012 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-02524 REV G-2013 マイクロ回路、リニア、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89520 REV D-2008 マイクロ回路、リニア、調整可能な正、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89521 REV F-2008 マイクロ回路、リニア、調整可能、ポジティブ、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88646 REV G-2008 マイクロ回路、リニア、調整可能、ポジティブ、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-05219 REV D-2011 マイクロ回路、ハイブリッド、デュアル電圧レギュレーター、正および負、調整可能
DLA SMD-5962-09206-2009 マイクロ回路、ハイブリッド、電圧レギュレーター、正および負、調整可能
DLA SMD-5962-09206 REV A-2012 マイクロ回路、ハイブリッド、電圧レギュレーター、正および負、調整可能
DLA SMD-5962-05219 REV C-2008 マイクロ回路、ハイブリッド、デュアル電圧レギュレーター、正および負、調整可能
DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 低電力ショーケントトランジスタ、ポジティブ NAND ゲート、シングルシリコンダイを備えた高度なバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路アノード用の5V調整可能な高精度電圧リファレンス
DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路正固定2.5V低ドロップアウト電圧レギュレータ
DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路3.3V低ドロップアウト電圧レギュレータ、固定正極付き
DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路5V低ドロップアウト電圧レギュレータ、固定正極付き
DLA SMD-5962-89479 REV C-2002 シリコンモノリシックアノード 10 ボルト調整可能な高精度電圧基準リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-88677 REV B-2004 シリコンモノリシック 4 ビットバイポーラマイクロプロセッサチップ
DLA SMD-5962-09201-2009 マイクロ回路、ハイブリッド、デュアル電圧レギュレーター、正および負、低ドロップアウト、調整可能
DLA SMD-5962-09201 REV A-2009 マイクロ回路、ハイブリッド、デュアル電圧レギュレーター、正および負、低ドロップアウト、調整可能
DLA MS90311 REV K (1)-2010 スイッチ、トグル、ポジティブブレーク、マイクロトグルシール、はんだラグ、バイポーラ、.469 取り付けスリーブ
DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 シリコンモノリシックバイポーラ高性能10ビットバッファ付きバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-10213-2012 マイクロ回路、ハイブリッド、デュアル電圧レギュレータ、3アンペア、正および負、低ドロップアウト、調整可能
DLA SMD-5962-10213 REV A-2013 マイクロ回路、ハイブリッド、デュアル電圧レギュレータ、3アンペア、正および負、低ドロップアウト、調整可能
DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 デュアル正および負の 15 ボルト、12 ボルト、および 5 ボルトレギュレータリニアハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-11231-2011 マイクロ回路、ハイブリッド、リニア、ポジティブ、スイッチ、電圧レギュレータ
DLA MS21351 REV G-2011 スイッチ、トグル、ポジティブブレーク、特殊回路、小型トグルシール、はんだラグ、単極、.469 取り付けスリーブ
DLA SMD-5962-88677 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、4 ビットバイポーラマイクロプロセッサチップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 シリコンモノリシック、8 ビットバストランシーバー、スリーステートフォワード出力、バイポーラデジタルマイクロ回路を装備
DLA SMD-5962-88598 REV A-1990 シリコンモノリシックバイポーラクロックジェネレータ/マイクロサイクル長制御バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA DSCC-DWG-04052-2006 マルチアノードポリマータンタルチップ固定コンデンサ
DLA MIL-M-38510/10 D VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、デコーダモノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/13 G VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、カウンターモノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86727 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、BCDカウンターモノリシックシリコン
DLA SMD-5962-13203-2013 マイクロ回路、ハイブリッド、電圧レギュレーター超低ドロップアウト、ポジティブ、調整可能
DLA SMD-5962-13203 REV A-2013 マイクロ回路、ハイブリッド、電圧レギュレーター超低ドロップアウト、ポジティブ、調整可能
DLA MIL-M-38510/210 F-2013 マイクロ回路、デジタル、16,384 ビットショットキーダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03658 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、クワッド 2 入力ポジティブまたは TTL 互換入力付きゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 マイクロ回路、デジタル、32,768 ビットショットキーダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/161 A-2005 モノリシックシリコンバイポーラTTL通常のORゲートデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87791 REV B-1989 シリコンモノリシック先入れ先出し極性デジタルマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/3 G VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、Nandバッファモノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/503 B VALID NOTICE 4-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジック、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/505 C VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラプログラマブルロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86715 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、D レジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86728 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高速レジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87755 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、バッファレジスタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/3 G (1)-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、NANDバッファモノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87683 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ ALS TTL、デコーダ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88730 REV B-2008 モノリシックシリコンクワッド 2 入力、改良型ショットキー TTL クワッド 2 入力、ポジティブ OR ドライバー、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 シリコンモノリシックデュアル JK ポジティブエッジトリガー高速相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-99551 REV B-2007 マイクロ回路、リニア、放射線強化、アノード、電圧レギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85065 REV A-1988 シリコンモノリシックプログラマブルロジック、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87755 REV B-2005 シリコンモノリシックバッファカウンター双極デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88515-1988 シリコンモノリシックプログラマブルロジック極性デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 シリコンモノリシック、バイポーラトラッキングレギュレータ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-88604 REV B-2007 シリコンモノリシック双方向トランシーバー二重偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88666-1988 シリコンモノリシック割り込みハンドラーバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88763-1990 シリコンモノリシックバイポーラトラッキングレギュレータリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-89549-1989 シリコンモノリシックシェーディングトンネルバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ 256 ビット RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ 64 ビット RAM、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ TTL、シフトレジスタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/150 D VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、振幅コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86725 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、オクタルバッファ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/22 D VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高速 TTL、フリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/80 F VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキー TTL およびゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、メモリ、64 ビット RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 マイクロ回路、リニア、バイポーラトラッキングレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 マイクロ回路、リニア、バイポーラトラッキングレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 マイクロ回路、リニア、バイポーラトラッキングレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88590 REV C-2008 高度な低消費電力ショットキー TTL シリーズ (ALS) バイポーラデジタルマイクロエレクトロニクスポジティブ NAND ゲートおよびモノリシックシリコンの詳細仕様
DLA MIL-PRF-19500/199 D VALID NOTICE 1-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、順電圧レギュレータ、タイプ 1N816、JAN
DLA SMD-5962-81035 REV E-1988 シリコンモノリシックプログラマブルロジックバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-78017 REV G-2006 シリコンモノリシックマイクロプログラムコントローラー、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87769 REV A-2001 シリコンモノリシックデュアルラインドライバー双極デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-87772-1988 シリコンモノリシック加算器トランシーバー双極デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95567 REV A-2002 閉ループ超高速バッファシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-98641 REV B-2009 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、15 ボルト、マイナス、固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98642 REV B-2009 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、5 ボルト、マイナス、固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98642 REV C-2012 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、5 ボルト、マイナス、固定、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87671 REV F-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラムロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86714 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、クワッドバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/25 E VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、低電力、カウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/21 F VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、低電力、フリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87534 REV D-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、クワッドバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96843 REV D-2008 マイクロ回路、リニア、電圧基準ダイオード、1.2 V、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 マイクロ回路、リニア、バイポーラ、AGC 付き RF/IF アンプ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-DWG-13008-2013 コンデンサ、固定、マルチアノードタンタル、チップ、コンフォーマルコーティングケース
DLA SMD-5962-90739 REV D-2000 シリコンモノリシック電圧レギュレータ、固定正5ボルトリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 シリコンモノリシック高速電圧コンパレータ、バイポーラリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 シリコンモノリシックプログラマブルロジック、バイポーラデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-88507 REV A-2001 シリコンモノリシックフィールドプログラマブル偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 シリコンモノリシックバイポーラヘックスNTDSドライバリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 シリコンモノリシックバイポーラ16進数NTDSレシーバーリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-81036 REV M-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、512 X 4 ビット PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87791 REV D-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、先入れ先出し (FIFO)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル 256 X 4 ビット、バイポーラ PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、1024 x 8 ビットバイポーラ PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、2048 x 8 ビットバイポーラ PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-84129 REV F-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジック、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87791 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、先入れ先出し (FIFO)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高性能 10 ビットバッファ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、トライステートプライオリティエンコーダ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、8 ビット等価コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/75 C VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキー TTL、専用 OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86868 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、オクタルバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/600 VALID NOTICE 4-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、セミカスタム (ゲートアレイ) デバイス、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 順方向トライステート出力、16ビットバストランシーバー、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシックチップ
DLA SMD-5962-87602 REV A-1988 シリコンモノリシック 16 ビットエラー監視および修正ユニット、バイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-91667 REV E-2006 シリコンモノリシック正電圧レギュレータ、1アンペア調整可能なリニアマイクロ回路
DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 固定分極電解質酸化アルミニウムとSNAP実装チップコンデンサ
DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 シリコンモノリシックプログラマブルロジックバイポーラデジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-90513-1990 シリコンモノリシック、パリティおよび偶数ビットバストランシーバー、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 シリコンモノリシック、クワッドショットキーダイオードアレイ、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-90573-1991 シリコンモノリシック、ECLプログラマブルロジック設定、バイポーラメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 シリコンモノリシックダイナミックメモリコントローラデュアル偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93226 REV H-2006 シリコンモノリシック、デュアルチャネルバストランシーバー、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-97548 REV A-2006 同期 4 ビットカウンタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、デコーダ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高速先読みキャリージェネレーター、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/12 J VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、単安定マルチバイブレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/81 D VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキーTTL、ラインドライバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/82 C VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキー TTL、振幅コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/74 C VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキー TTL および/または反転ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/310 D VALID NOTICE 2-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力 Shotley TTL およびモノリシックシリコンゲート
DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、デコーダ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88550 REV D-2008 モノリシックシリコン D タイプフリップフロップ、エッジトリガーバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力、8 ビットバストランシーバー、低電力修正ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力8ビットバッファ/ドライバ、修正ショットキーTTLバイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力および 8 ビットバストランシーバ、低電力修正ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95527-1994 7チャンネル共通ソースパワーアレイシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-88550 REV C-2001 シリコンモノリシック D タイプフリップフロップエッジトリガー偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 シリコンモノリシックバイポーラヘックスNTDS高速ドライバリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 倍 2 入力専用シリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-85065 REV B-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87528 REV A-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラプログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87530 REV A-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラプログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、2K x 8 ビット、レジスタード PROM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87794 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、NOR ドライバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、専用 OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87711 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、デュアル単安定マルチバイブレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/151 B VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、シュミットトリガー NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-76020 REV H-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力ショットキー TTL、NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ 256 ビットランダムアクセスメモリ (RAM) モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86726 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、12 入力パリティチェック/ジェネレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/302 D VALID NOTICE 2-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力ショットキー TTL、バッファ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、カウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、専用 OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87767 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、オープンコレクタ出力を備えたオクタルバッファおよびラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87767 REV A-2001 オープンコレクタ出力を備えたシリコンモノリシックオクタルバッファおよびラインドライバ TTLショットキーによりデジタルマイクロ回路の分極化が促進
DLA SMD-5962-76018 REV H-2005 シリコンモノリシックラッチショットキー低電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76032 REV E-2005 シリコンモノリシック電卓ショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76036 REV E-2006 シリコンモノリシック電卓ショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-77001 REV G-2005 シリコンモノリシック電卓ショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-77010 REV G-2005 シリコンモノリシックカウンターショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 モノリシックシリコン放射線硬化リニアマイクロ回路2.5Vシャントダイオードレギュレータ
DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 非常に高速なシリコンモノリシック回路電流フィードバック（フィードバック）増幅リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-88504 REV D-2006 シリコンモノリシックフィールドプログラマブルロジックアレイ (FPLA) バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92319 REV A-2004 シリコンモノリシック、XORゲート、低電力ショットキーTTL、バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96756 REV B-2007 非常に調整可能な電流フィードバックアンプシリコンモノリシックリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 倍 2 入力ポジティブ AND ゲートシリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 倍 2 入力ポジティブ AND ゲートシリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 トリプル 3 入力ポジティブ AND ゲートシリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、16ワード、4ビット、2ポート、RAM、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90573 REV A-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、ECL、プログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88731 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、ヘックスドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95580 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、データセレクター/マルチプレクサー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、オクタルバッファ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、AND またはインバータゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86836 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、パリティチェッカー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87595 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/375 A VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88752 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、ヘックスインバーター、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88707 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、PI-BUS トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 マイクロ回路、デジタルリニア、耐放射線性、8 チャンネルソースドライバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、オクタルバッファ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラの高度なショットキー TTL および/または反転ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 マイクロ回路、デジタルリニア、耐放射線性、8 チャンネルソースドライバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、パリティチェッカー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、2.5 V シャントダイオードレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、2.5 V シャントダイオードレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、2.5 V シャントダイオードレギュレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-PRF-19500/205 B NOTICE 1-1999 JAN、JANTX、および JANTXV タイプ 1N3287 順電圧基準低レベルゲルマニウムダイオード半導体デバイス
DLA SMD-5962-91671 REV C-2003 シリコンモノリシック降圧スイッチングレギュレータ、ポジティブリニアマイクロ回路のデバッグが可能
DLA SMD-5962-92167 REV B-2007 シリコンモノブロック勾配電圧レギュレータ 12 ワット固定正リニアマイクロ回路
DLA MS21141 REV J (1)-1998 95 KSI FSU 耐食鋼製突き出しヘッド、ポジティブメカニカルロック式高張力片面ファスナー
DLA MS21141 REV J-1998 95 KSI FSU 耐食鋼製突き出しヘッド、ポジティブメカニカルロック式高張力片面ファスナー
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 シリコンモノリシックバイポーラ電界効果トランジスタ計算用ラウドスピーカー、リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-01507-2001 モノリシックシリコンバイポーラデジタルマイクロ回路高速予測キャリージェネレーター
DLA SMD-5962-89558 REV A-2005 シリコンモノリシックショットキーTTLファシリテーターレシーバー/レギュレーターバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88555 REV C-2001 シリコンモノリシック D タイプレギュレータショットキー TTL が二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 バイポーラトランジスタクワッド 2 入力ポジティブシリコンモノリシック回路線形マイクロ回路
DLA SMD-5962-88698 REV D-2006 シリコンモノリシック同期4ビットアップ/ダウンカウンターデュアル偏波デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88707 REV C-1992 シリコンモノリシック PI バストランシーバショットキー TTL がバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89525 REV B-2004 シリコンモノリシックバスインターフェースフリップフロップショットキーがバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-97547 REV A-2006 低消費電力 4 ビット数量コンパレータシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 単安定マルチバイブレータトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8入力正ANDゲートトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-91761 REV A-2008 マイクロ回路、デジタルエミッタ結合ロジック 200MHz 10/11 モノリシックデュアルモード分周器
DLA SMD-5962-88507 REV B-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、フィールドプログラマブルシーケンサ (FPLS)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/202 B VALID NOTICE 3-2010 マイクロ回路、デジタル、1024 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリ (P-ROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95583 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、並列負荷 8 ビットシフトレジスタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、パリティチェッカー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/338 B VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、算術論理演算ユニット、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、D タイプレジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86838 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、NOR ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な、ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、バイナリカウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、ディケイドカウンタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-76037 REV G-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、マルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88709 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、2 入力 NOR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88712 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、8 ビット ID コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86840 REV F-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、カウンタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88774 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、デュアル AND またはインバータゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89438 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、10 個の非反転レジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89558 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トランシーバー/レジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86844 REV E-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、NOR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86865 REV E-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86866 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、デコーダ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、パリティチェッカー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87544 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ同期 4 ビットバイナリアップダウンカウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な、ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、バイナリカウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、ディケイドカウンタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-84011 REV G-2005 シリコンモノリシック、リセットクリアキーを備えたDタイプダブルポジティブエッジトリガーフリップフロップ、TTLショットキー高度な低消費電力バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76014 REV G-2005 シリコンモノリシック先読み加算器ショットキー低電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76016 REV J-2005 シリコンモノリシックマルチプレクサショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76019 REV H-2005 シリコンモノリシックマルチプレクサショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-76037 REV F-2003 シリコンモノリシックマルチプレクサショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 シリコンモノリシック64ビットバイポーラランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-83022 REV J-2005 シリコンモノリシックカウンタ、TTLショットキー高度な低消費電力バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-84013 REV F-2005 シリコンモノリシックトランシーバー、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-84154 REV D-2005 シリコンモノリシック自己記録デバイス、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88710-1988 シリコンモノリシック 8 ビット ID コンパレータショットキー TTL がバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-88752 REV C-2003 シリコンモノリシックヘックスインバーターショットキーTTLがバイポーラデジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-88774 REV B-2005 シリコンモノリシックデュアルまたは反転チャネルショットキーTTLにより、二重偏波デジタルマイクロ回路が容易になります
DLA SMD-5962-88729 REV B-2008 モノリシックシリコン 6 反転ドライバー修正ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95575 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、プリセットと透明なモノリシックシリコンを備えたデュアル JK フリップフロップ
DLA SMD-5962-95581 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、4 ラインから 16 ラインのデコーダ/デマルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/320 D (1)-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力ショットキー TTL、カウンタ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/09610-2008 マイクロ回路、デジタル、トリプルバッファ/ドライバ、オープンドレイン出力付き、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、クワッド、2 入力 OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88522 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、2 入力およびドライバーのモノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87543 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、9 入力パリティチェッカー/ジェネレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能なモノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビット ID コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88710 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビット ID コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/331 A VALID NOTICE 4-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89553 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、オクタルバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/320 D VALID NOTICE 1-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低電力ショットキー TTL カウンタ、カスケード可能なモノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、カスケードラッチ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力、ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高度ショットキー TTL、クワッド、2 入力 OR ゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ低消費電力ショットキー TTL、フリップフロップ、カスケード可能なモノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビット ID コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA MS90310 REV J (1)-2012 スイッチ、トグル、アクティブ切断、小型、トグルシール、はんだラグ、ユニポーラ、.469 取り付けスリーブ
DLA MS90311 REV M (1)-2012 スイッチ、トグル、アクティブディスコネクト、マイクロトグルシール、はんだラグ、バイポーラ、.469 取り付けスリーブ
DLA SMD-5962-91672 REV D-2004 シリコンモノリシック降圧コンバータレギュレータ、固定正5ワットリニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-91673 REV B-2004 シリコンモノリシック降圧コンバータレギュレータ、固定正12ワットリニアマイクロ回路
DLA MS21434 REV C-2011 スイッチ、トグル、ポジティブブレーク、ミニチュア、トグルシール、バイポーラ、PCB 端子、ライトアングルマウント
DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 シリコンモノリシック、正トライステート出力、TTL 互換入力 16 ビットバッファ/ドライバ、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 シリコンモノリシック、フォワードトライステート出力、TTL互換入力10ビットバッファ/ドライバ、改良酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 シリコンモノリシック、フォワードトライステート出力、TTL互換入力8ビットバストランシーバー、改良された酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 シリコンモノリシック、正トライステート出力、TTL 互換入力 16 ビットバッファ/ドライバ、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
DLA SMD-5962-77009 REV E-2005 シリコンモノリシックディケイドカウンターショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-78026 REV D-2004 シリコンモノリシック10進カウンタ、ショットキー低電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-84145 REV D-2005 シリコンモノリスまたはドライバー、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-00507 REV A-2004 モノリシックシリコンデジタルマイクロ回路バイポーラ化TTL/DTL互換プログラマブルタイマー/カウンター
DLA SMD-5962-89573 REV D-2006 シリコンモノリシック、8ビット汎用レジスタ、改良されたショットキーバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89754 REV B-2004 シリコンモノリシック、トランシーバー/レジスタ、改良されたショットキーTTLバイポーラデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88522 REV A-2001 シリコンモノリシック 2 入力およびドライバーにより、デジタルマイクロ回路のショットキー TTL 偏波が容易になります
DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 シリコンモノリシック 512 x 4 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 シリコンモノリシックバイポーラクワッドヘックスNTDS高速/再受信機リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-88709-1988 非チャネルレスショットキーTTLを備えたシリコンモノリシック2入力により、バイポーラデジタルマイクロ回路が容易になります
DLA SMD-5962-88722-1988 シリコンモノリシックバッファ/ラインドライバショットキーにより二重偏波デジタルマイクロ回路を促進
DLA SMD-5962-89438 REV A-2004 シリコンモノリシック 10 倍拡大鏡がショットキー TTL を調整し、二重偏波デジタルマイクロ回路を促進します
DLA SMD-5962-89553 REV A-2005 シリコンモノリシックオクタルバストランシーバーショットキーTTLによりバイポーラデジタルマイクロ回路が促進
DLA SMD-5962-89555 REV B-1992 シリコンモノリシックオクタル調整トランシーバーショットキーTTLによりバイポーラデジタルマイクロ回路が促進
DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 倍 2 入力正 AND ゲートトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 トリプル 3 入力正 AND ゲートトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
DLA SMD-5962-90937 REV C-2008 TTL互換モノリシックシリコン4バスバッファゲートトライステート出力バイポーラCMOSデジタルマイクロ回路
DLA MIL-M-38510/204 F-2009 マイクロ回路、デジタル、2048 ビット、ショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/209 E VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、8192 ビットショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (Prom)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/210 E VALID NOTICE 1-2011 マイクロ回路、デジタル、16,384 ビットショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM) モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/203 E VALID NOTICE 1-2012 マイクロ回路、デジタル、1024 ビットショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (Prom)、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/209 G-2013 マイクロ回路、デジタル、8192 ビット、ショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88718 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、オープンドレイン出力付きヘックスインバーター、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95582 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、デュアル 2 線式から 4 線式デコーダ/デマルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、シフトレジスタ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89555 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、オクタルレジスタートランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88627 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビットバイナリカウンタ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/502 A VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラフィールドプログラマブルロジックアレイ (FPLA) 16 x 48 x 8、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88556 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、アナログマルチプレクサ/デマルチプレクサ、バイポーラ 4 ビット、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、バスインターフェイスフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、シフトレジスタ、カスケード可能、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、超低ノイズクワッドチャネル、オペアンプ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、超低ノイズクワッドチャネル、オペアンプ、モノリシックシリコン

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 正極片

CNS 7218-1981 磁極用珪素鋼板
CNS 13808-1997 LEDチップ
CNS 13806-1997 発光ダイオードチップの発光波長と輝度の測定方法

工业和信息化部, 正極片

YS/T 1030-2017 リチウムリッチマンガン系正極材料
JB/T 14230-2022 リチウムイオン電池ポールピース塗装機
SJ/T 11794-2022 リチウムイオン電池正極材料中の遊離リチウムの試験方法

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 正極片

KS B 6314-1-2002 正極、オイルシール回転真空ポンプ容量、到達圧力測定
KS B 6314-1-2002(2017) 容積型油回転真空ポンプの到達圧力測定
KS B 6314-2-2002 正極オイルシール回転真空ポンプ容量流量測定（ポンプ速度）
KS M 1077-2008 リチウム二次電池用正極活物質中の鉛およびカドミウムの定量方法
KS F ISO 4356-2002(2012) 構造設計の基礎：通常の使用限界状態における建物の変形

Professional Standard - Electron, 正極片

SJ/T 11470-2014 LEDエピタキシャルウエハ
SJ/T 11471-2014 発光ダイオードエピタキシャルウェーハの検査方法
SJ/T 11399-2009 半導体発光ダイオードチップの検査方法
SJ/T 11396-2009 窒化ガリウム系発光ダイオードサファイア基板
SJ 2354.4-1983 PINとアバランシェフォトダイオードの順方向電圧降下の試験方法
SJ 2214.2-1982 半導体フォトダイオードの順方向電圧降下試験方法
SJ/T 11398-2009 パワー半導体発光ダイオードチップの技術仕様
SJ 2215.3-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の順電流試験方法
SJ 2215.2-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の順電圧降下試験方法
SJ 1673-1980 3DG254 タイプ NPN シリコンフォワード自動利得制御高周波低電力トランジスタ
SJ 1672-1980 3DG253 タイプ NPN シリコンフォワード自動利得制御高周波低電力トランジスタ
SJ/T 31210-1994 カソードディスク溶接機の完全性要件と検査および評価方法
SJ/T 11868-2022 シリコン基板ブルーパワー発光ダイオードチップの詳細仕様
SJ/T 11818.2-2022 半導体 UV 発光ダイオードパート 2: チップ仕様
SJ/T 11869-2022 シリコン基板白色光パワー発光ダイオードチップの詳細仕様
SJ/T 11867-2022 シリコン基板青色光低消費電力発光ダイオードチップの詳細仕様
SJ/T 2658.2-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法その2：順電圧
SJ 2658.2-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法順電圧降下試験方法
SJ/T 31321-1994 ポールピースパンチングマシンおよびカバーコンビネーションリベットマシンの完全性要件と検査および評価方法
SJ/T 31212-1994 カソードアウタースリーブおよびセラミックプレートリベット打ち機の完全性要件と検査および評価方法
SJ 2658.5-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法順直列抵抗の試験方法

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 正極片

DB13/T 1513-2012 バッテリーポールピース圧延装置

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 正極片

GB/T 10093-2009 確率的限界状態設計 (ノーマル-ノーマルモード)
GB/T 30835-2014 リチウムイオン電池用炭素複合リチウムリン酸鉄正極材
GB/T 36356-2018 パワー半導体発光ダイオードチップの技術仕様
GB/T 36357-2018 中出力半導体発光ダイオードチップの技術仕様
GB/T 43092-2023 リチウムイオン電池正極材料の電気化学的性能試験のための高温性能試験方法

Professional Standard - Light Industry, 正極片

QB/T 1971.1-1994 乾電池のプラスキャップ普通の銅キャップ
QB/T 2459.1-1999 LR6、LR03 アルカリ亜鉛マンガン電池、正極スチールケース
QB/T 2459.1-2011 アルカリ亜鉛二酸化マンガン電池のスペアパーツパート 1: 正極スチールケース
QB/T 2459.1-2022 アルカリ亜鉛二酸化マンガン電池のスペアパーツパート 1: 正極スチールケース

中国轻工总会, 正極片

QB 1971.1-1994 乾電池のプラスキャップ普通の銅キャップ

RU-GOST R, 正極片

GOST 21106.6-1977 アノード電力損失が 25 W を超える放射変調管および制御管。アノードに対して正の電位およびアノードおよびグリッドのゼロ電流でのアノードおよびグリッド電流の測定方法
GOST 19438.12-1975 小電力電子管、カソードに対して正の電位におけるアノード電流とゲート電流を測定する方法
GOST 21803.3-1976 真空指示計カソードに正電位を与えてゲート電流を測定する方法
GOST 18986.9-1973 半導体ダイオード、パルス順電圧および順方向回復時間の測定方法
GOST 592-1981 チップスプロケット歯形計算と設計方法偏差の限界
GOST R 54107-2010 容積式真空ポンプ性能特性の測定その2: 到達圧力の測定

CZ-CSN, 正極片

CSN 35 8775-1987 導かれた。順方向ノイズ測定
CSN 35 8732-1964 半導体ダイオード。順電流測定
CSN 42 8302-1986 熱間圧延銅および銅合金シート、プレートおよび陽極。サイズ
CSN 35 8766-1976 半導体デバイス。スイッチングダイオード。順電圧測定
CSN 35 8731-1975 半導体装置。ダイオード。直流順電圧の測定
CSN 42 1316-1986 銅および銅合金のシート、プレート、アノード、ストリップ、ストリップ、ディスク、および箔。テクノロジーがコードを提供する
CSN 42 1332-1984 ニッケルおよびニッケル合金。シート、ストリップ、アノード。技術納品コード
CSN 35 8757 Cast.6-1985 エミッタ接地順電流伝達率の静的値の測定方法
CSN 42 1360-1984 錫および錫合金のストリップ、ストリップ、アノードおよび金属箔。テクノロジーがコードを提供する
CSN 35 8757 Cast.2-1985 トランジスタ。微小信号共通放射短絡回路の順電流伝達率の測定方法

RO-ASRO, 正極片

STAS 11200/5-1978 グラフィックシンボル。正極性のグラフィックシンボル
STAS 11200/482-1982 プラズマスプレーガンの電極への接続の図記号 (正極からアースへ流れる電流)
STAS 12191/2-1990 チューブ正極板を備えた鉛酸安定化Y型バッテリーの主な機能と寸法
STAS 10479-1975 アルミナ工業用シリコンアルミニウム高温耐性製品。ポジティブオーブン用に特別に設計されています。品質と技術的条件

HU-MSZT, 正極片

MSZ 7742/2-1970 非金属の無機コーティング。陽性検出

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, 正極片

DB35/T 1193-2011 半導体発光ダイオードチップ
DB35/T 1370-2013 発光ダイオードチップのスポット試験方法

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 正極片

YS/T 611-2023 正の温度係数を持つセラミック電極スラリー

United States Navy, 正極片

NAVY MIL-P-17689 NOTICE 3-2003 N-5 ダブルベースフレーク推進剤
NAVY MIL-P-17689 VALID NOTICE 1-1975 N-5 ダブルベースフレーク推進剤
NAVY MIL-P-17689-1953 N-5 ダブルベースフレーク推進剤
NAVY GG-P-455 B NOTICE 4-2003 （感光性アルミニウム陽極酸化皮膜）写真乾板及び金属箔
NAVY GG-P-455 B (3)-1995 （感光性アルミニウム陽極酸化皮膜）写真乾板及び金属箔
NAVY GG-P-455 B-1967 （感光性アルミニウム陽極酸化皮膜）写真乾板及び金属箔

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 正極片

GB/T 36613-2018 発光ダイオードチップのスポット試験方法

ECIA - Electronic Components Industry Association, 正極片

535ABAE-1987 非固体電解質と多孔質アノードを備えた固定タンタルコンデンサ銀ケーシングアキシャルリードエラストマーシール分極ニッケルプラス銅マイナスリード絶縁

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, 正極片

DB44/T 1630-2015 3528/5050 パッケージ化チップ発光ダイオード
DB44/T 1372-2014 電気自動車用リチウムイオン電池の正極材料および負極材料の一般的な技術要件

German Institute for Standardization, 正極片

DIN 42026-4:1982 永久磁石整流子セグメント可視欠陥限界値
DIN 41618-1:1966 ブレード接触面 2.5mm×1mm多極コネクタ外形寸法図
DIN 41622-1:1965-01 ブレードコンタクト付き多極コネクタ 3 × 1 mm、アスペクト
DIN 41618-1:1966-10 ブレードコンタクト付き多極コネクタ 2.5 mm × 1 mm、アスペクト
DIN 40737-3:2015-09 鉛蓄電池 - パート 3: 正極管プレートを備えた定置式通気型電池
DIN EN 2549:2007-02 航空宇宙シリーズボルト通常の六角頭きつい公差通常のロッド短ネジチタン合金アルマイト MoS
DIN 40734:1999 鉛蓄電池正極グリッドプレートを備えた定置式通気型電池プラスチック容器に入った電池定格容量、主要寸法および重量
DIN 40734:1999-05 鉛酸バッテリー固定通気バッテリープラスプレート付きプラスチック容器
DIN 40744:2015-09 鉛酸バッテリー - 正極管プレートと固定電解質 (ゲル) を備えた固定バルブ制御バッテリー
DIN 41618-3:1974-05 ブレードコンタクト 2.5 mm × 1 mm を備えた多極コネクタ、位置決めおよび制動コンポーネント
DIN 40742:2015-09 鉛蓄電池: 管状正極板と固定電解質を備えた固定型の安定した電池
DIN 40744:2015 鉛蓄電池: 管状正極板と固定電解質を備えた固定型の安定した電池
DIN 40744 Berichtigung 1:2020-02 鉛酸バッテリー - 正極管プレートと固定電解質 (ゲル) を備えた固定バルブ制御バッテリー
DIN 40736-1:2015-09 鉛蓄電池 - パート 1: プラスチック容器に入った正極管プレートを備えた定置式通気型電池
DIN 40736-1:2015 鉛蓄電池パート 1: プラスチック容器内の正極板を備えた固定換気アセンブリ
DIN 40739:1999-07 鉛蓄電池正極板付き固定通気型電池定格容量、主要寸法、重量

Standard Association of Australia （SAA）, 正極片

AS 4029.3:1993/Amdt 1:1996 固定式バッテリー鉛酸純鉛正極ペースト板式
AS/NZS 1664.1/AMD 1:1999 アルミニウム構造パート 1: 限界状態設計、修正 1

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 正極片

EIA_ECA-956-2006 高分子陰極アルミ電解チップコンデンサ
EIA/ECA-956-2006 高分子陰極アルミ電解チップコンデンサ
EIA_ECA-953-2006 ポリマーカソードを備えたモールドタンタルチップコンデンサ
EIA/ECA-953-2006 ポリマーカソードを備えたモールドタンタルチップコンデンサ
EIA/ECA-955-2007 ポリマーカソード面実装アルミ電解チップコンデンサ（認定仕様）
ECA EIA/ECA-955-2007 ポリマーカソードを備えた表面実装アルミニウム電子チップコンデンサ (認定仕様)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 正極片

GB/T 33970-2017 抵抗溶接電極用Al2O3分散強化銅板

KR-KS, 正極片

KS M 1077-2008(2023) リチウム電池の正極活物質中の鉛とカドミウムの定量

Association Francaise de Normalisation, 正極片

NF A81-304:1994 手動金属アーク電極用のコーティングされた電極棒化学分析用の溶接金属パッドの堆積
NF EN ISO 2128:2010 アルミニウムとその合金の陽極酸化、陽極層の厚さの決定、光学的切片顕微鏡の非破壊法

International Organization for Standardization (ISO), 正極片

ISO 22426:2020 試験片測定による陰極防食効果の評価
ISO 4356:1977 通常使用限界状態における構造設計基礎建物の変形
ISO/TR 4553:2022 通常の使用限界条件下での建物および建物コンポーネントの変形および変位
ISO 10062:2022/DAmd 1:2023 人工大気中での非常に低濃度の汚染ガスの腐食試験 - 修正 1: 警告脚注

PL-PKN, 正極片

PN E83006-03-1991 鉛蓄電池。正極電池のサイズと容量を貼り付けます
PN E83006-02-1991 鉛蓄電池。チューブ型正極板電池の寸法と容量

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 正極片

QC 300202/US 0005-1985 電子機器での使用の仕様: 詳細仕様: 非固体電解質と多孔質アノードを備えた固定タンタルコンデンサ、弾性シールされた銀ケースのアキシャルリード、分極ニッケルプラス銅、マイナス絶縁リード

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 正極片

JIS Z 4334:2005 表面汚染モニター校正用の基準線源ベータ線エミッタ (0.15 MeV を超える最大ベータ線エネルギー) およびアルファ線エミッタ

Shandong Provincial Standard of the People's Republic of China, 正極片

DB37/T 2751-2016 高度に圧縮されたマンガン酸リチウムニッケルコバルト正極材料の一般的な技術要件
DB37/T 1944-2011 リン酸鉄リチウム正極材料（リチウムイオン電池用）の一般技術条件

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 正極片

JEDEC JESD2-1982 チップキャリア用デジタルバイポーラロジック端子配置
JEDEC JESD51-50-2012 シングルチップおよびマルチチップ、シングルおよびマルチ PN 接合の発光ダイオード (LED) の熱測定方法の概要

British Standards Institution (BSI), 正極片

BS ISO 22426:2020 クーポン測定に基づいた陰極防食の有効性の評価
BS ISO 3560:2013 道路車両前方固定障害物または極端な衝撃試験の手順

American Welding Society (AWS), 正極片

AWS A5.9/A5.9M-2006 裸ステンレス鋼溶接電極および棒の仕様書統合改訂: 2007
AWS A5.1/A5.1M-2004 炭素鋼電極ガードの仕様金属アーク溶接統合改訂: 2004 年 9 月
AWS A5.28/A5.28M-2005 ガスシールドアーク溶接に使用される低合金鋼の電極および棒の仕様改訂: 2007

NATO - North Atlantic Treaty Organization, 正極片

STANAG 1196-1994 海軍北極マニュアル ATP-17(B) (ED 3 AMD 1 修正 1 8/26/94)

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, 正極片

DB52/T 928-2014 CA45S型下部電極チップ固体電解質タンタル固定コンデンサ

Professional Standard - Aerospace, 正極片

QJ 1159.7-1987 平滑限界ゲージの種類とサイズ両端チッププラグゲージ（D＞80～250）
QJ 1160.6-1987 平滑限界ゲージ式サイズ片口円板スナップゲージ（D＞120～250）
QJ 1160.4-1987 滑らか限界ゲージ式サイズ片口円板スナップゲージ（D＞10～80）
QJ 1160.3-1987 滑らか限界ゲージ形サイズ片口角スナップゲージ（D＞3～10）
QJ 1160.5-1987 滑らか限界ゲージ式サイズ片口円板スナップゲージ（D＞80～120）

BE-NBN, 正極片

NBN-EN 28092-1-1992 翻訳の意味。スライダーで素早く接続。パート 1: ユニポーラ接続用のスライド (ISO 8092:1:1989)

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 正極片

JJG(电子) 04009-1987 BJ2983型トランジスタ順バイアス二次耐圧試験機パイロット検証手順

Hunan Provincial Standard of the People's Republic of China, 正極片

DB43/T 1591-2019 リチウム電池正極材料の製品単位当たりのエネルギー消費限界とその計算方法

AT-ON, 正極片

ONORM EN 28092-1-1992 道路車両。チップタイプのクイックコネクタです。ユニポーラカップリングタブ
ONORM EN 28092-2-1992 道路車両。チップタイプのクイックコネクタです。ユニポーラ接続ジョイントのテストと性能要件

Professional Standard - Machinery, 正極片

JB/T 5192.4-1991 カメラ機械のリベット留め部分の寸法の一致と偏差の制限、絞りブレードとブレードリベットのリベット留め。
JB/T 5192.3-1991 機械的なリベット留め部品とホイールブレードとホイールのリベット留めの寸法の一致と極端な偏差の写真撮影

National Association of Corrosion Engineers (NACE), 正極片

NACE RP0104-2004 電気防食監視アプリケーションでのクーポンの使用プロジェクト番号 21105

European Committee for Standardization (CEN), 正極片

EN 28073:1991 道路車両用のフラットなクイック接続終端パート 1: 単極コネクタ

SE-SIS, 正極片

SIS SS 06 11 01-1990 溶接電極。炭素鋼、炭素マンガン合金鋼、微量合金鋼、低合金鋼のガスメタルアーク溶接およびメタルアーク溶接用の溶接電極および管状電極。溶融金属試験片の溶接金属試験

Society of Automotive Engineers (SAE), 正極片

SAE AMS6438F-2006 消耗電極真空溶鋼板・帯・板 1.05Cr - 0.55Ni - 1.0Mo - 0.12V (0.45 - 0.50C)
SAE AMS6546E-1991 硬質消耗電極溶融鋼板ストリップおよびプレート 0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
SAE AMS6439D-2011 アニーリング消耗電極真空溶解鋼板、鋼帯、鋼板 1.05Cr 0.55Ni 1.0Mo 0.12V (0.42 ～ 0.48C) (D6AC)

International Telecommunication Union (ITU), 正極片

ITU-T R.81 FRENCH-1988 通常の電源の故障による電信チャネルの中断期間の最大許容限度
ITU-T R.81 SPANISH-1988 通常の電源の故障による電信チャネルの中断期間の最大許容限度

Danish Standards Foundation, 正極片

DS/EN 28 092-1:1992 道路車両。チップタイプのクイックコネクトコネクタです。パート 1: ユニポーラ接続コネクタ

YU-JUS, 正極片

JUS N.R2.624-1980 焼結アノードと固体定常電解質を備えた、保護層のない極性タンタルコンデンサ。タンタルチップコンデンサ（タイプ3A2）6、3～35V d． c.気候の厳しさ: 55/125