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ポールピース本体の抵抗率

ポールピース本体の抵抗率は全部で 500 項標準に関連している。

ポールピース本体の抵抗率 国際標準分類において、これらの分類：抵抗器、 絶縁流体、 半導体材料、 金属材料試験、 断熱材、 非鉄金属製品、 電気、磁気、電気および磁気測定、 無機化学、 導体材料、 総合電子部品、 プラスチック、 非鉄金属、 半導体ディスクリートデバイス、 複合強化素材、 石油およびガス産業の機器、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 発電所総合、 電気および電子試験、 太陽工学、 金属腐食、 土壌品質、土壌科学、 ガラス、 セラミックス、 電子および通信機器用の電気機械部品、 建材、 化学製品、 熱力学と温度測定、 消防、 バルブ、 接着剤および接着製品、 ゴムやプラスチックの原料、 ファスナー、 土工、掘削、基礎工事、地下工事、 ゴム、 コンデンサ、 包括的なテスト条件と手順、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 印刷技術、 電気工学総合、 ワイヤーとケーブル、 電子表示装置、 会社（エンタープライズ）の組織と経営、 電子管、 溶接、ロウ付け、低温溶接、 塗料とワニス、 磁性材料、 バッテリーと蓄電池、 電磁両立性 (EMC)。


IPC - Association Connecting Electronics Industries, ポールピース本体の抵抗率

Defense Logistics Agency, ポールピース本体の抵抗率

  • DLA A-A-59742-2002 表面実装低抵抗パワーチップインデューサ
  • DLA A-A-59742 VALID NOTICE 1-2011 インダクタ、チップ、パワー、低抵抗、表面実装
  • DLA QPL-49465-16-2006 極低抵抗金属素子（パワータイプ）固定抵抗器の一般仕様
  • DLA DSCC-DWG-04032 REV A-2006 タイプ 2512 1.5 ワット、高出力、低値、ビデオ固定チップ抵抗器
  • DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 低電力ショーケント トランジスタ、ポジティブ NAND ゲート、シングル シリコン ダイを備えた高度なバイポーラ デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 バイポーラ低電力トランジスタ六角形シュミットトリガーシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA DESC-DWG-88020 REV C-2011 抵抗ネットワーク、6ピン、リードレスチップキャリア
  • DLA DSCC-DWG-88036 REV B-2011 抵抗ネットワーク、10ピン、リードレスチップキャリア
  • DLA DSCC-DWG-87018 REV H-2012 抵抗ネットワーク、16 ピン、リードレスチップキャリア
  • DLA DSCC-DWG-88034 REV J-2006 固定薄膜チップ低電圧高出力タイプ 2512 抵抗器
  • DLA MIL-M-38510/25 E VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、低電力、カウンタ、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-M-38510/21 F VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、低電力、フリップフロップ、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 1-2008 モノリシックシリコンカウンタ型低消費電力ショットキートランジスタロジックバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA DSCC-DWG-04032 REV B-2011 抵抗器、チップ、固定、薄膜、低値、高出力、1.5 ワット、タイプ 2512
  • DLA SMD-5962-95527-1994 7チャンネル共通ソースパワーアレイシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96751 REV A-2003 バイポーラ低電力トランジスタ、デュアル JK 双安定マルチバイブレータ シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA DSCC-DWG-87075 REV E-2005 抵抗、固定、フィルム、チップ、フランジフレーム、ダブルタブ、ハイパワー 10 ワット
  • DLA DSCC-DWG-01032 REV C-2013 固定チップ抵抗器、薄膜、酸化ベリリウム基板、高出力、タイプ 1206
  • DLA SMD-5962-87778 REV A-2001 シリコンモノリシックパワートランジスタリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87778 REV B-2011 マイクロ回路、リニア、パワートランジスタ、モノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-97547 REV A-2006 低消費電力 4 ビット数量コンパレータ シリコンモノリシック回路 デジタルバイポーラマイクロ回路
  • DLA DESC-DWG-88016 REV C-2011 抵抗ネットワーク、固定、薄膜、20 ピン、リードレス チップ キャリア
  • DLA SMD-5962-76018 REV H-2005 シリコンモノリシックラッチショットキー低電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-76032 REV E-2005 シリコンモノリシック電卓ショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-76036 REV E-2006 シリコンモノリシック電卓ショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77001 REV G-2005 シリコンモノリシック電卓ショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-77010 REV G-2005 シリコンモノリシックカウンターショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92319 REV A-2004 シリコンモノリシック、XORゲート、低電力ショットキーTTL、バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95671 REV B-2006 耐放射線性多周波高抵抗オペアンプシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
  • DLA DSCC-DWG-01032 REV A-2004 タイプ 1206、高出力、酸化ベリリウム基板でコーティングされた固定チップ抵抗器
  • DLA DSCC-DWG-89099 REV G-2005 固定フィルムシート フランジマウント シングルウェイ TAB ハイパワー 10 ワット抵抗器
  • DLA DSCC-DWG-06011 REV B-2009 抵抗器、チップ、固定、電源タップ、面実装、低値 (1.0 ワット)、タイプ 2512
  • DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 モノリシックシリコン高電圧オープンコレクタ出力低消費電力トランジスタトランジスタロジックデジタルマイクロ回路（バッファ/ドライバ付き）
  • DLA SMD-5962-01507-2001 モノリシックシリコンバイポーラデジタルマイクロ回路高速予測キャリージェネレーター
  • DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 1-2008 モノリシック シリコン カスケード ラッチ、低電力ショットキー TTL、バイポーラ デジタル マイクロ電子回路
  • DLA DSCC-DWG-06003 REV B-2013 抵抗器、チップ、固定、電源タップ、面実装、低値 (2 ワット)、モデル 4527
  • DLA DSCC-DWG-06006 REV A-2013 抵抗器、チップ、固定、電源タップ、面実装、低値 (3 ワット)、モデル 4527
  • DLA SMD-5962-88596 REV D-2008 バッファ/ラインドライバを備えた低電力ショットキートランジスタ-トランジスタロジックを使用した高度なバイポーラデジタルシングルシリコンマイクロ回路
  • DLA DSCC-DWG-06003 REV A-2006 タイプ 4527 低電力 (2 ワット) 外部取り付け金属パワープレート取り付けチップ抵抗器
  • DLA DSCC-DWG-06006-2006 タイプ 4527 低電力 (3 ワット) 外部取り付けメタルパワープレート取り付けチップ抵抗器
  • DLA DSCC-DWG-06007-2006 タイプ 0603 低電力 (0.1 ワット) 外付けメタルパワープレート取り付けチップ抵抗器
  • DLA DSCC-DWG-06009-2006 スタイル 1206 低電力 (0.25 ワット) 外部取り付けメタルパワープレート取り付けチップ抵抗器
  • DLA DSCC-DWG-06010 REV A-2007 モデル 2010 低電力 (0.5 ワット) 外付けメタルパワープレート取り付けチップ抵抗器
  • DLA DSCC-DWG-06011-2006 タイプ 2512 低電力 (1.0 ワット) 外付けメタルパワープレート取り付けチップ抵抗器
  • DLA DSCC-DWG-06012-2006 タイプ 2816 低電力 (2.0 ワット) 外部取り付けメタル パワー プレート取り付けチップ抵抗器
  • DLA SMD-5962-76014 REV G-2005 シリコンモノリシック先読み加算器ショットキー低電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-76016 REV J-2005 シリコンモノリシックマルチプレクサショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-76019 REV H-2005 シリコンモノリシックマルチプレクサショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-76037 REV F-2003 シリコンモノリシックマルチプレクサショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-83022 REV J-2005 シリコンモノリシックカウンタ、TTLショットキー高度な低消費電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84013 REV F-2005 シリコンモノリシックトランシーバー、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84154 REV D-2005 シリコンモノリシック自己記録デバイス、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 シリコンモノリシックダイナミックメモリコントローラデュアル偏波デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 バイポーラ トランジスタ クワッド 2 入力ポジティブ シリコン モノリシック回路線形マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 単安定マルチバイブレータ トランジスタ シリコン モノリシック回路 デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8入力正ANDゲートトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力、8 ビットバストランシーバー、低電力修正ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA DESC-DWG-87016 REV N-2012 抵抗ネットワーク、固定、薄膜、表面実装、20 ピン、鉛フリー チップ キャリア
  • DLA DSCC-DWG-87015 REV F-2012 抵抗ネットワーク、固定、薄膜、表面実装、28 ピン、鉛フリー チップ キャリア
  • DLA DESC-DWG-87014 REV K-2013 抵抗ネットワーク、固定、薄膜、表面実装、16 ピン、鉛フリー チップ キャリア
  • DLA SMD-5962-77009 REV E-2005 シリコンモノリシックディケイドカウンターショットキー低消費電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-78026 REV D-2004 シリコンモノリシック10進カウンタ、ショットキー低電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84145 REV D-2005 シリコンモノリスまたはドライバー、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力および 8 ビットバストランシーバ、低電力修正ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95688 REV D-2007 耐放射線性多周波高入力インピーダンスオペアンプシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 マイクロ回路 電子シリコン デジタル バイポーラ トランジスタ - トランジスタ ロジック (TTL) 同期 4 ビット アップ/ダウン カウンタ
  • DLA SMD-5962-84000 REV D-2005 シリコンモノリシック JK フリップフロップ、TTL ショットキー高度な低消費電力バイポーラ デジタル マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84012 REV G-2005 シリコンモノリシック透明ラッチ、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84030 REV E-2005 シリコンモノリシックバスレシーバー、TTLショットキー先進低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84135 REV E-2005 シリコンモノリシックマルチプレクサ、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84143 REV F-2005 シリコンモノリシックマルチプレクサ、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90503 REV C-2004 シリコンモノリシック、8ビットメモリレジスタ、低消費電力ショットキーTTL、バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 シリコンモノリシックポジティブ NAND チャネル低電力ショットキー TTL により、二重分極デジタルマイクロ回路が容易になります
  • DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 シリコンモノリシックポジティブ NAND チャネル低電力ショットキー TTL により、二重分極デジタルマイクロ回路が容易になります
  • DLA SMD-5962-88596 REV C-2001 シリコンモノリシックバッファ/ドライバ低消費電力ショットキーTTLにより二重偏波デジタルマイクロ回路が促進
  • DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 1-2008 モノリシックシリコン直列接続可能な双安定マルチバイブレータ型低電力ショットキートランジスタロジックバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 倍 2 入力正 AND ゲート トランジスタ シリコン モノリシック回路デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 トリプル 3 入力正 AND ゲート トランジスタ シリコン モノリシック回路デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 1-2008 モノリシックシリコン低消費電力ショットキートランジスタロジックバイポーラデジタルマイクロ回路、トライステート出力付き6つのバスドライバを搭載
  • DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 1-2008 モノリシックシリコン低消費電力ショットキートランジスタロジックバイポーラデジタルマイクロ回路、クワッドバスバッファゲート、トライステート出力付き
  • DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 モノリシック シリコン低電力ショットキー トランジスタ ロジック バイポーラ デジタルマイクロ回路、スリーステート出力 8 バス バッファ ゲート付き
  • DLA SMD-5962-90541 REV A-2004 シリコンモノリシック、キャリー保存全加算器、低電力ショットキーTTL、バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96809 REV B-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、3.3ボルト16ビットバッファまたはドライバおよび22オーム直列抵抗トライステート出力、トランジスタ入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 シリコンモノリシックバイポーラ電界効果トランジスタ計算用ラウドスピーカー、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97508 REV A-2006 バイポーラ低電力デュアル 2 行から 4 行デコーダまたは信号スプリッタ シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 シリコンモノリシックバッファ低周波ショットキートランジスタ-トランジスタ論理回路、バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-83019 REV G-2005 シリコンモノリシック双安定マルチバイブレータ、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84001 REV K-2005 シリコンモノリシック双安定マルチバイブレータ、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84010 REV D-2005 シリコンモノリシック双安定マルチバイブレータ、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84136 REV E-2005 シリコンモノリシック双安定マルチバイブレータ、TTLショットキー高度な低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88727 REV C-2008 モノリシック シリコン 8 ウェイ バス トランシーバー、改良された低電力ショットキー TTL バイポーラ デジタルマイクロ回路

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, ポールピース本体の抵抗率

  • GB/T 6617-1995 拡張抵抗プローブ法によるシリコンウェーハの抵抗率測定
  • GB/T 6617-2009 拡張抵抗プローブ法によるシリコンウェーハの抵抗率測定
  • GB/T 6616-2023 半導体ウエハの比抵抗や半導体膜のシート抵抗を非接触で検査する渦電流法
  • GB/T 6616-1995 半導体シリコンウェーハの抵抗率とシリコン薄膜のシート抵抗を測定するための非接触渦電流法
  • GB/T 1410-2006 固体絶縁材料の体積抵抗率および表面抵抗率の試験方法
  • GB/T 6616-2009 半導体シリコンウェーハ抵抗率およびシリコン薄膜シート抵抗試験方法 非接触渦電流法
  • GB/T 36356-2018 パワー半導体発光ダイオードチップの技術仕様
  • GB/T 11073-2007 シリコンウェーハの面内抵抗率変化の測定方法
  • GB/T 41708-2022 ガラス溶融抵抗率試験方法
  • GB/T 36357-2018 中出力半導体発光ダイオードチップの技術仕様
  • GB/T 15662-1995 導電性・帯電防止性プラスチックの体積固有抵抗の試験方法
  • GB/T 19289-2003 電磁鋼板（条）の密度、比抵抗、積層係数の測定方法
  • GB/T 3048.2-1994 電線およびケーブルの電気的特性の試験方法 金属導体材料の抵抗率試験
  • GB/T 5654-2007 液体絶縁材料の比誘電率、誘電損失率、直流抵抗率の測定
  • GB/T 3048.3-1994 電線・ケーブルの電気的特性の試験方法 半導電性ゴム・プラスチック材料の体積抵抗率試験
  • GB/T 3048.3-2007 電線およびケーブルの電気的特性の試験方法 パート 3: 半導電性ゴムおよびプラスチック材料の体積抵抗率試験
  • GB/T 36359-2018 半導体光電子デバイス用低出力発光ダイオードの詳細仕様は空白
  • GB/T 36360-2018 半導体光電子デバイスのパワー発光ダイオードの空白の詳細仕様

Group Standards of the People's Republic of China, ポールピース本体の抵抗率

  • T/CEMIA 028-2022 チップ抵抗器用表面電極ペースト仕様
  • T/CEMIA 027-2022 チップ抵抗器用裏面電極ペースト仕様
  • T/CPIA 0051-2023 結晶シリコン太陽電池の金属電極接触抵抗率試験法 伝送線路モデル法（TLM）
  • T/IAWBS 011-2019 導電性炭化ケイ素枚葉比抵抗測定法 非接触渦電流法
  • T/IAWBS 013-2019 半絶縁性炭化珪素枚葉ウェーハの非接触抵抗率測定方法
  • T/CSTM 00252-2020 炭素繊維体積固有抵抗試験方法 四探針法
  • T/SBX 027-2019 直流電圧法によるネマチック相サーモトロピック液晶モノマーの抵抗率の測定
  • T/CASAS 019-2021 マイクロ・ナノメタル焼結体の比抵抗測定法 四探針法

PL-PKN, ポールピース本体の抵抗率

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, ポールピース本体の抵抗率

  • JJG 48-2004 シリコン単結晶抵抗率標準サンプル
  • JJG 48-1990 シリコン単結晶抵抗率標準サンプルの校正手順

SE-SIS, ポールピース本体の抵抗率

International Electrotechnical Commission (IEC), ポールピース本体の抵抗率

  • IEC 60093:1980 固体絶縁材料の体積抵抗率および表面抵抗率の試験方法
  • IEC 61788-4:2001 超電導その4：残留抵抗率測定 Nb-Ti複合超電導体の残留抵抗率
  • IEC 62631-3-1:2023 RLV 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-1: 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗と体積抵抗率 一般的な方法
  • IEC 62631-3-1:2023 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-1: 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗と体積抵抗率 一般的な方法
  • IEC 62631-3-4:2019 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第 3-4 部：抵抗特性の測定（DC 法） 体積抵抗と高温での体積抵抗率
  • IEC 61788-11:2011 超電導 その11: 残留抵抗率の測定 Nb3Sn複合超電導体の残留抵抗率
  • IEC 62631-3-1:2016 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-1: 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗と体積抵抗率 一般的な方法
  • IEC 61788-4:2007 超電導 その4: 残留抵抗率の測定 Nb-Ti複合超電導体の残留抵抗率
  • IEC 61788-4:2011 超電導 その4: 残留抵抗率の測定 Nb-Ti複合超電導体の残留抵抗率
  • IEC 62631-3-11:2018 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 - パート 3-11: 抵抗特性の測定 (Dc 法) - 体積抵抗と体積抵抗率 含浸およびコーティングされた材料の方法
  • IEC 61788-4:2016 超電導 その4: 残留抵抗率の測定 Nb-Ti および Nb3Sn 複合超電導体の残留抵抗率
  • IEC 61788-11:2003 超電導 その11: 残留抵抗率の測定 NbSn複合超電導体の残留抵抗率
  • IEC 62631-3-2:2015 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-2: 抵抗特性の測定 (DC 法) 表面抵抗と表面抵抗率
  • IEC 60247:1978 絶縁性液体の比誘電率、誘電損失率、直流抵抗率の測定
  • IEC 60247:2004 液体絶縁材料、比誘電率、誘電損失率（tan）、直流抵抗率の測定
  • IEC 61788-4:2020 超電導 - パート 4: 残留抵抗率の測定 - Nb-Ti および Nb3sn 複合超電導体の残留抵抗率
  • IEC 61340-2-3:2016 RLV 静電気 パート 2-3: 静電気の蓄積を避けるために使用される固体材料の抵抗と抵抗率を決定するための試験方法
  • IEC 60747-5-8:2019 半導体デバイス 第5部-8：光電子デバイス 発光ダイオード 発光ダイオード 光電効率試験方法
  • IEC 61788-7:2002 超電導 パート 7: 電気的特性の測定 マイクロ波周波数における超電導体の表面抵抗
  • IEC 61788-7:2006 超電導 パート 7: 電気的特性の測定 マイクロ波周波数における超電導体の表面抵抗
  • IEC 60404-13:1995 磁性材料 第13部 電磁鋼板及び電磁鋼帯の密度、比抵抗及び占積率の測定方法
  • IEC 60404-13:2018 磁性材料 第13部 電磁鋼板及び電磁鋼帯の密度、比抵抗及び占積率の測定方法

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, ポールピース本体の抵抗率

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), ポールピース本体の抵抗率

  • KS C 0256-2002(2022) シリコン結晶およびシリコンウェーハの抵抗率の四探針試験方法
  • KS C IEC 60093:2014 固体電気絶縁材料の体積抵抗率および表面抵抗率の試験方法
  • KS C 2603-1980 金属抵抗材料の導体抵抗と比抵抗の試験方法
  • KS C 2603-1980(2020) 導体抵抗と金属抵抗材料の抵抗率の試験方法
  • KS C 0256-2002(2017) 四探針を用いたシリコン結晶およびシリコンウェーハの抵抗率試験方法
  • KS C 2607-1974(2000) 半導体の抵抗率を測定する方法
  • KS L ISO 13931:2018 炭素繊維 - 体積抵抗率の測定
  • KS C 2607-1980 半導体の抵抗率を測定する方法
  • KS C IEC 62631-3-1-2017(2022) 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-1: 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗と体積抵抗率 一般的な方法
  • KS C IEC 62631-3-4:2020 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第 3-4 部：抵抗特性の測定（DC 法） 体積抵抗と高温での体積抵抗率
  • KS C IEC 62631-3-1:2017 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 - その 3-1: 抵抗特性の測定 (Dc 法) - 体積抵抗と体積抵抗率 - 一般的な方法
  • KS M ISO 11713-2004(2009) アルミニウム製造に使用される炭素質材料の陰極ブロックと焼成陽極の室温抵抗率の測定
  • KS C IEC 61788-11:2005 超電導 その11: 残留抵抗率の測定 Nb3Sn複合超電導体の残留抵抗率
  • KS D 0260-1999 単結晶シリコンウェーハの抵抗率を検査するための四探針法
  • KS M 6773-2014 導電性ゴム・プラスチック材料の体積抵抗率の試験方法
  • KS C IEC 62631-3-11:2021 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-11: 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗と体積抵抗率 材料の含浸およびコーティング方法
  • KS M ISO 10143-2004(2019) アルミニウム製造に使用される炭素質材料電極用のか焼コークス粒子の抵抗率の測定
  • KS C 2005-2003 固体電気絶縁材料の絶縁抵抗率の試験方法
  • KS D 0260-1989(1994) 四探針による単結晶シリコンウェーハの抵抗率検査方法
  • KS M ISO 10143:2004 アルミニウム製造用の炭素質材料 電極用のか焼コークス 微粒子抵抗率の測定
  • KS C IEC 62631-3-2:2017 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 - パート 3-2: 抵抗特性の測定 (Dc 法) - 表面抵抗と表面抵抗率
  • KS C IEC 62631-3-2-2017(2022) 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-2: 抵抗特性の測定 (DC 法) 表面抵抗と表面抵抗率
  • KS M 6773-2014(2019) 試験方法 導電性ゴムおよびプラスチック材料の体積抵抗率
  • KS C 5115-43-2001 電子機器用固定抵抗器 第4部：ブランク 詳細仕様：ヒートシンク型固定電力抵抗器の評価基準F
  • KS C IEC 61340-2-3:2004 静電気 パート 2-3: 静電気放電の蓄積を避けるために使用される固体二次元材料の抵抗と抵抗率を決定する方法
  • KS C IEC 61340-2-3:2014 静電気パート 2-3: 静電気放電の蓄積を回避するための固体二次元材料の抵抗と比抵抗を決定する方法
  • KS C 6111-4-2007(2017) マイクロ波周波数における大型高温超電導体膜の表面抵抗の均一性
  • KS C IEC 61788-16:2020 超電導 - パート 16: 電子特性の測定 - マイクロ波周波数における超電導体の電力依存性表面抵抗
  • KS C IEC 60404-13-2002(2017) 磁性材料 第13部 電磁鋼板及び電磁鋼帯の密度、比抵抗及び充填係数の測定方法
  • KS C IEC 60404-13-2002(2022) 磁性材料 第13部 電磁鋼板及び電磁鋼帯の密度、比抵抗及び充填係数の測定方法

KR-KS, ポールピース本体の抵抗率

  • KS C IEC 60093-2014 固体電気絶縁材料の体積抵抗率および表面抵抗率の試験方法
  • KS L ISO 13931-2018 炭素繊維 - 体積抵抗率の測定
  • KS L ISO 13931-2018(2023) 炭素繊維の体積抵抗率の測定
  • KS C IEC 62631-3-1-2017 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 - その 3-1: 抵抗特性の測定 (Dc 法) - 体積抵抗と体積抵抗率 - 一般的な方法
  • KS C IEC 62631-3-4-2020 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第 3-4 部：抵抗特性の測定（DC 法） 体積抵抗と高温での体積抵抗率
  • KS C IEC 62631-3-11-2021 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-11: 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗と体積抵抗率 材料の含浸およびコーティング方法
  • KS C IEC 62631-3-2-2017 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 - パート 3-2: 抵抗特性の測定 (Dc 法) - 表面抵抗と表面抵抗率
  • KS C IEC 61788-16-2020 超電導 - パート 16: 電子特性の測定 - マイクロ波周波数における超電導体の電力依存性表面抵抗

Association Francaise de Normalisation, ポールピース本体の抵抗率

  • NF C26-915:1967 絶縁ワニスの試験方法 体積抵抗率と表面抵抗率
  • NF EN ISO 20168:2021 抵抗溶接 - 電極ホルダーおよび電極チップ用のクランプ コーン
  • NF C26-215:1982 絶縁材料の試験方法 固体電気絶縁材料の体積抵抗率および表面抵抗率の試験方法
  • NF C26-631-3-4*NF EN IEC 62631-3-4:2019 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第 3-4 部：抵抗特性の測定（DC 法） 体積抵抗と高温での体積抵抗率
  • NF EN IEC 62631-3-1:2023 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第3-1部：抵抗特性の求め方（直流法） 体積抵抗と体積抵抗率の一般的な測定方法
  • NF C31-888-4:2012 超電導 パート 4: 残留抵抗率の測定 ニオブチタン複合超電導体の残留抵抗率
  • NF C26-631-3-1*NF EN 62631-3-1:2016 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第3-1部：抵抗特性の求め方（直流法） 体積抵抗と体積抵抗率の一般的な求め方
  • NF EN ISO 8430-2:2016 抵抗スポット溶接 - 電極ホルダー - パート 2: モールス コーンの固定
  • NF EN ISO 8430-1:2016 抵抗スポット溶接 - 電極ホルダー - パート 1: 接続コーン 1:10
  • NF C27-210:1979 絶縁流体の比誘電率、誘電損失、直流抵抗率の測定
  • NF C26-631-3-11*NF EN IEC 62631-3-11:2018 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第 3-11 部：抵抗特性の測定（DC 法） 体積抵抗と体積抵抗率 材料の含浸法とコーティング法
  • NF EN ISO 5829:2021 抵抗スポット溶接 - 取り外し可能な先端電極延長部 (1/10 インナーコーン)
  • NF C31-888-11:2003 超電導 その11: 残留抵抗率の測定 ニオブ錫複合超電導体の残留抵抗率
  • NF C31-888-11:2011 超電導 その11: 残留抵抗率の測定 ニオブ錫複合超電導体の残留抵抗率
  • NF C26-631-3-2*NF EN 62631-3-2:2016 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-2: 抵抗特性の測定 (DC 法) 表面抵抗と表面抵抗率
  • NF EN IEC 62631-3-2:2023 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第 3-2 部：抵抗特性の測定（DC 法） 表面抵抗と表面抵抗率
  • NF EN 62631-3-2:2016 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第 3-2 部：抵抗特性の測定（DC 法） 表面抵抗と表面抵抗率
  • NF C27-210*NF EN 60247:2004 絶縁性液体の比誘電率、誘電損失率（tanδ）、直流抵抗率の測定
  • NF C83-241-801/A1*NF EN 140401-801/A1:2014 詳細仕様: 固定低電力薄膜チップ抵抗器角型安定クラス 0.1;0.25;0.5;1
  • NF C83-241-802/A2*NF EN 140401-802/A2:2014 詳細仕様: 固定低電力薄膜チップ抵抗器角形安定クラス 1;2
  • NF EN 61340-2-3:2017 静電気 - パート 2-3: 静電気の帯電を避けるように設計された固体材料の抵抗と比抵抗を決定するための試験方法
  • NF C20-790-2-3:2001 静電気 パート 2-3: 静電気の蓄積を防ぐために使用される固体平面材料の電気抵抗と抵抗率を測定するための試験方法
  • NF C31-888-16*NF EN 61788-16:2013 超電導パート 16: マイクロ波周波数での超電導体の電力依存表面抵抗の電気的特性の測定
  • NF C20-790-2-3*NF EN 61340-2-3:2017 静電気パート 2-3: 静電気の蓄積を避けるために使用される固体材料の抵抗と比抵抗を決定するための試験方法
  • NF T51-731:1980 プラスチック製品 ビニル可塑剤化合物 低電圧での体積抵抗率の測定。
  • NF C83-210:1981 電子部品の品質評価および調整システム、サブスタンダード、高出力固定抵抗器
  • NF EN IEC 60404-13:2018 磁性材料 第13部 電磁鋼板の比抵抗、密度及び膨張係数の測定方法
  • NF EN 60247:2004 絶縁性液体 - 比誘電率、誘電正接（tanδ）、直流抵抗率の測定
  • NF C28-901-13:2008 磁性材料 第13部 電磁鋼板及び電磁鋼帯の密度、比抵抗及び占積率の測定方法
  • NF C28-901-13*NF EN IEC 60404-13:2018 磁性材料 第13部 電磁鋼板の比抵抗、密度及び充填係数の測定方法

German Institute for Standardization, ポールピース本体の抵抗率

  • DIN 51919:1999 炭素質材料の試験 電流電圧法による電極の抵抗率の測定 固体材料
  • DIN 51919:2013 炭素材料の試験 電流測定法および電圧法による電極の抵抗率の決定 固体材料
  • DIN 51919:2013-05 炭素質材料の試験 電流電圧法による電極の抵抗率の測定 固体材料
  • DIN 50435:1988 半導体材料試験: 4 プローブ/DC 法を使用して、シリコン ウェーハおよびゲルマニウム ウェーハの抵抗率の半径方向の変化を測定します。
  • DIN EN 61788-11:2012 超電導 その11: 残留抵抗率の測定 Nb3Sn複合超電導体の残留抵抗率
  • DIN EN 61788-4:2012 超電導 その4: 残留抵抗率の測定 Nb-Ti複合超電導体の残留抵抗率
  • DIN EN 61788-4:2008 超電導 その4: 残留抵抗率の測定 Nb-Ti複合超電導体の残留抵抗率
  • DIN 50448:1998 半導体プロセス材料の試験、容量性検出器を使用した半絶縁半導体スライスの抵抗率の非接触測定
  • DIN EN 60247:2005 絶縁性液体 比誘電率、誘電損失率（tanδ）、直流抵抗率の測定
  • DIN EN 62631-3-1:2017 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-1: 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗と体積抵抗率 一般法 (IEC 62631-3-1-2016) ドイツ語版 EN 62631 -3-1 -2016
  • DIN EN 62631-3-1 Berichtigung 1:2018 固体絶縁材料の誘電特性および抵抗特性 パート 3-1: 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗および体積抵抗率の一般的な方法 (IEC 62631-3-1:2016)、ドイツ語版 EN 62631-3-1:2016 ; 修正
  • DIN 51911:2020 炭素質材料の試験 アンペア電圧法による電気抵抗率の測定 固体材料
  • DIN EN 62631-3-2:2016 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 抵抗特性の測定 (DC 法) 表面抵抗と表面抵抗率 (IEC 62631-3-2-2015) ドイツ語版 EN 62631-3-2-2016
  • DIN EN IEC 60404-13:2020-06 磁性材料 第13部 電磁鋼板の比抵抗、密度及び充填係数の測定方法
  • DIN EN 62631-3-2 Berichtigung 1:2018 固体絶縁材料の誘電特性および抵抗特性 パート 3-2: 抵抗特性の測定 (DC 法) 表面抵抗および表面抵抗率 (IEC 62631-3-2:2015); ドイツ語版 EN 62631-3-2: 2016;Corrigendum 1
  • DIN EN 60404-13:2008 磁性材料 第13部 電磁鋼板及び電磁鋼帯の密度、比抵抗及び占積率の測定方法

CZ-CSN, ポールピース本体の抵抗率

AENOR, ポールピース本体の抵抗率

  • UNE 21303:1983 固体電気絶縁材料の体積抵抗率および表面抵抗率の試験方法
  • UNE-EN 61340-2-3:2001 静電気パート 2-3: 静電気の蓄積を避けるために使用される固体平面材料の抵抗と抵抗率を決定するための試験方法
  • UNE-EN 60247:2004 絶縁性液体の比誘電率、誘電損失率(tan d)、直流抵抗率の測定

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), ポールピース本体の抵抗率

  • JIS C 2525:1994 金属抵抗体の導体抵抗と体積抵抗率の試験方法
  • JIS C 2525:1999 導体抵抗および金属抵抗材料の比抵抗の試験方法
  • JIS H 0602:1995 四探針法を用いたシリコン結晶およびシリコンウェーハの抵抗率の試験方法
  • JIS H 7312:2007 超電導、残留抵抗率の測定、Nb3Sn複合超電導体の残留抵抗率
  • JIS R 7609:2007 炭素繊維 体積抵抗率の測定
  • JIS C 2139-3-1:2018 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 その 3-1: 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗と体積抵抗率
  • JIS K 6271-1:2015 加硫ゴムまたは熱可塑性ゴム 電気抵抗率の測定 パート 1: シールド電極システム
  • JIS C 2139-3-2:2018 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 パート 3-2: 抵抗特性の測定 (DC 法) 表面抵抗と表面抵抗率
  • JIS K 6271-2:2015 加硫ゴムまたは熱可塑性ゴム 電気抵抗率の測定 パート 2: 並列端子電極システム
  • JIS K 6271-1:2022 加硫ゴムや熱可塑性ゴムの抵抗率測定その1：ガード電極方式
  • JIS C 2170:2004 静電気: 静電気の蓄積を防ぐために使用される固体平面材料の抵抗と抵抗率を決定するための試験方法
  • JIS K 6271:2001 加硫ゴムまたは熱可塑性プラスチックの体積と表面抵抗率の測定
  • JIS K 6271:2008 加硫ゴムまたは熱可塑性ゴムの体積と表面抵抗率の測定
  • JIS H 7307:2005 超電導 パート 7: 電気的特性の測定 マイクロ波周波数における超電導体の表面抵抗
  • JIS H 7307:2010 超電導 パート 7: 電気的特性の測定 マイクロ波周波数における超電導体の表面抵抗

Professional Standard - Electron, ポールピース本体の抵抗率

  • SJ/T 11487-2015 半絶縁性半導体ウエハの非接触抵抗率測定法
  • SJ/T 11398-2009 パワー半導体発光ダイオードチップの技術仕様
  • SJ/T 1146-1993 コンデンサ用有機薄膜の体積抵抗率の試験方法
  • SJ/T 11042-1996 電子ガラスの体積固有抵抗が100MΩ・cmのときの温度（Tk-100）の試験方法
  • SJ/T 2658.5-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法 第5部 直列抵抗
  • SJ/T 11393-2009 半導体光電子デバイスの発光ダイオードに電力を供給するための空白の詳細仕様
  • SJ/T 11400-2009 半導体光電子デバイス用低出力発光ダイオードの詳細仕様は空白
  • SJ 2658.5-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 順直列抵抗の試験方法

UY-UNIT, ポールピース本体の抵抗率

IN-BIS, ポールピース本体の抵抗率

  • IS 6103-1971 電気絶縁性液体の比抵抗（比抵抗）の試験方法
  • IS 3396-1979 固体電気絶縁材料の体積抵抗率および表面抵抗率の試験方法
  • IS 3400 Pt.15-1971 加硫ゴムの試験方法 第 XV 導電性および帯電防止ゴムの体積抵抗率

IT-UNI, ポールピース本体の抵抗率

  • UNI 4288-1972 プラスチック材料の試験。 表面抵抗率と体積抵抗率の測定

Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), ポールピース本体の抵抗率

Lithuanian Standards Office , ポールピース本体の抵抗率

  • LST HD 429 S1-2002 固体電気絶縁材料の体積抵抗率および表面抵抗率の試験方法 (IEC 60093:1980)
  • LST EN 61788-11-2011 超電導パート 11: 残留抵抗率 Nb3Sn 複合超電導体の残留抵抗率の測定 (IEC 61788-11:2011)
  • LST EN 61788-4-2011 超電導パート 4: 残留抵抗率 Nb-Ti 複合超電導体の残留抵抗率の測定 (IEC 61788-4:2011)

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, ポールピース本体の抵抗率

  • HD 429 S1-1983 固体電気絶縁材料の体積抵抗率および表面抵抗率の試験方法 [:CENELEC EN 62631-1]
  • EN 61788-11:2011 超電導 パート 11: 残留抵抗率の測定 Nb3Sn 複合超電導体の残留抵抗率
  • EN 62631-3-1:2016 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第3-1部：抵抗特性の求め方（直流法） 体積抵抗と体積抵抗率の一般的な測定方法
  • EN 61788-4:2011 超電導 パート 4: 残留抵抗率の測定 Nb-Ti 複合超電導体の残留抵抗率
  • EN 61788-4:2016 超電導 パート 4: 残留抵抗率の測定 Nb-Ti 複合超電導体の残留抵抗率
  • EN 62631-3-2:2016 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第 3-2 部：抵抗特性の測定（DC 法） 表面抵抗と表面抵抗率
  • EN IEC 62631-3-2:2023 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第 3-2 部：抵抗特性の測定（DC 法） 表面抵抗と表面抵抗率
  • EN 60247:2004 絶縁性液体 比誘電率、誘電正接 (tan $) および DC 抵抗率の測定 IEC 60247-2004
  • EN 61788-16:2013 超伝導パート 16: 電子特性 マイクロ波周波数における超伝導体の電力依存表面抵抗の測定
  • EN 61788-7:2006 超電導 パート 7: 電気的特性の測定 マイクロ波周波数における超電導体の表面抵抗
  • EN 60404-13:2007 磁性材料 第13部 電磁鋼板及び電磁鋼帯の密度、比抵抗及び占積率の測定方法

Malaysia Standards, ポールピース本体の抵抗率

  • MS 1465 Pt.2-1999 プラスチックの抵抗率を測定するための試験方法: パート 2: 体積抵抗率

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, ポールピース本体の抵抗率

  • GB/T 31838.2-2019 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第2部：抵抗特性（直流法） 体積抵抗と体積抵抗率
  • GB/T 31838.7-2021 固体絶縁材料の誘電・抵抗特性 第7部 抵抗特性（DC法） 高温における体積抵抗と体積抵抗率の測定
  • GB/T 31838.5-2021 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第5部 抵抗特性（直流法） 含浸・被覆材料の体積抵抗と体積抵抗率
  • GB/T 31838.3-2019 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 第3部：抵抗特性（DC法） 表面抵抗と表面抵抗率
  • GB/T 19289-2019 電磁鋼帯（板）の比抵抗、密度、積層係数の測定方法
  • GB/T 37977.23-2019 静電気パート 2-3: 帯電防止固体平面材料の抵抗と抵抗率の試験方法
  • GB/T 39978-2021 ナノテクノロジー カーボンナノチューブ粉末抵抗率 四探針法
  • GB/T 36358-2018 半導体光電子デバイスの発光ダイオードに電力を供給するための空白の詳細仕様
  • GB/T 40719-2021 加硫ゴムまたは熱可塑性ゴムの体積および/または表面抵抗率の測定

RU-GOST R, ポールピース本体の抵抗率

  • GOST R 50499-1993 固体電気絶縁材料 体積抵抗率と表面抵抗率の試験方法
  • GOST 20398.13-1980 電界効果トランジスタのドレイン・ソース間抵抗測定方法
  • GOST 19656.15-1984 超高周波半導体ダイオード、転写体の熱抵抗、パルス熱抵抗の測定方法
  • GOST 18604.10-1976 バイポーラトランジスタの入力抵抗の測定方法
  • GOST R ISO 13931-2015 炭素繊維の体積固有抵抗の求め方
  • GOST 28106-1989 銅カソード サンプリングとサンプル前処理、抵抗率測定用のサンプル
  • GOST 30501-1997 固体電気絶縁材料。 温度上昇時の抵抗と比抵抗の測定方法
  • GOST 18604.27-1986 高出力・高耐圧バイポーラトランジスタ エミッタ（コレクタ）電流ゼロ時のコレクタ・ベース（エミッタ・ベース）耐圧の測定方法
  • GOST R ISO 10143-2016 アルミニウム製造用の炭素質材料 電極用のか焼コークス 粒子抵抗率の測定
  • GOST R ISO 11713-2014 アルミニウム製造用の炭素質材料 カソード ブロックと焼成アノード 周囲温度での電気抵抗率の測定
  • GOST 18986.14-1985 半導体ダイオード、微分抵抗および動的抵抗の測定方法
  • GOST R IEC 60247-2013 絶縁性液体 比誘電率、誘電正接 (tan d)、直流抵抗率の測定
  • GOST 19438.3-1974 連続アノード消費電力が 25 W 以内の受信増幅管および発振管。 電極間の絶縁抵抗および管の他の部分間の絶縁抵抗の測定方法
  • GOST 19656.3-1974 超高周波混合用半導体ダイオード 中間周波出力抵抗測定法
  • GOST 19656.10-1988 超高周波振幅制限半導体スイッチングダイオード 損失抵抗の求め方
  • GOST R 53734.2.3-2010 静電気 パート 2.3. 静電気の蓄積を避けるように設計された固体平面材料の電気抵抗と抵抗率を測定するための試験方法。
  • GOST 18604.9-1982 バイポーラトランジスタ 電流伝達係数の遮断周波数と臨界周波数の測定方法
  • GOST 18604.24-1981 高周波発振バイポーラトランジスタの出力電力測定方法と電力増幅係数、コレクタ実効係数の求め方
  • GOST 26169-1984 無線電子機器の電磁適合性、高出力および高周波リニアバイポーラトランジスタの組み合わせ係数の仕様

International Organization for Standardization (ISO), ポールピース本体の抵抗率

  • ISO 13931:2013 炭素繊維の体積抵抗率測定
  • ISO 10143:2014 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極用のか焼コークス粒子の抵抗率の測定
  • ISO 10143:1995 アルミニウム製造に使用される炭素材料電極用のか焼コークス粒子の抵抗率の測定
  • ISO 11713:2000 アルミニウム製造用の炭素材料、カソードカーボンブロックおよび焼成アノードの室温抵抗率の測定
  • ISO 10143:2019 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料 - 電極か焼コークス - 粒子の抵抗率の測定
  • ISO/CD 11713:2023 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料のカソード ブロックおよび焼成アノードの周囲温度での抵抗率の測定
  • ISO 14309:2019 加硫ゴムまたは熱可塑性ゴム、体積および/または表面抵抗率の測定
  • ISO 14309:2011 加硫ゴムまたは熱可塑性ゴム 体積および/または表面抵抗率の測定

Professional Standard - Petroleum, ポールピース本体の抵抗率

British Standards Institution (BSI), ポールピース本体の抵抗率

  • BS ISO 13931:2013 炭素繊維の体積抵抗率測定
  • BS EN 61788-11:2003 超電導、残留抵抗率の測定、Nb3Sn複合超電導体の残留抵抗率
  • BS EN 61788-4:2007 超電導、残留抵抗率の測定、Nb-Ti複合超電導体の残留抵抗率
  • BS EN IEC 61788-23:2021 超電導残留抵抗率 空洞グレードニオブ超電導体の残留抵抗率の測定
  • BS EN 62631-3-1:2016 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗と体積抵抗率 一般的な方法
  • BS EN IEC 62631-3-4:2019 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 抵抗特性の測定（DC法） 体積抵抗と高温での体積抵抗率
  • BS EN IEC 62631-3-1:2023 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 抵抗特性の測定（DC法） 体積抵抗と体積抵抗率の一般的な方法
  • BS EN IEC 62631-3-11:2018 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 抵抗特性の測定（DC法） 体積抵抗と体積抵抗率 材料の含浸法とコーティング法
  • BS EN 62631-3-2:2016 固体絶縁材料の誘電特性と抵抗特性 抵抗特性の測定 (DC 法) 表面抵抗と表面抵抗率
  • 19/30371735 DC BS EN IEC 62631-3-1 固体絶縁材料の誘電特性および抵抗特性 パート 3-1 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗および体積抵抗率の一般的な方法
  • BS ISO 10143:2014 アルミニウム製造用の炭素質材料 電極用の焼成炭粒子 粒子抵抗率の測定
  • BS ISO 10143:2019 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料の電極用の焼成炭粒子の抵抗率の測定
  • 21/30434324 DC BS EN IEC 62631-3-12 固体絶縁材料の誘電特性および抵抗特性 パート 3-12 抵抗特性の測定 (DC 法) 体積抵抗および体積抵抗率 注型樹脂の方法
  • BS EN 60247:2004 絶縁性液体 比誘電率、誘電損失率（tan）、直流抵抗率の測定
  • BS EN 61340-2-3:2016 静電気の蓄積を避けるために使用される固体材料の抵抗および比抵抗の静電測定試験方法
  • 23/30473276 DC BS EN IEC 61788-23 超電導パート 23 残留抵抗率 空洞グレードのニオブ超電導体の残留抵抗率の測定
  • 19/30390197 DC BS EN 61788-23 超電導パート 23: ニオブ超電導体の残留抵抗率の残留抵抗率測定
  • BS 6043-3.6:2000 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料のサンプリングおよびテスト方法 電極周囲温度でのカソード ブロックおよびプリベークされたアノードの抵抗率の決定
  • BS EN 61340-2-3:2000 静電気. 静電荷の蓄積から保護するために使用される固体平面材料の抵抗および抵抗率を決定するための試験方法. セクション 3: 静電荷から保護するために使用される固体平面材料の抵抗および抵抗率を決定するための試験方法
  • 19/30402599 DC BS EN IEC 61788-23 超電導パート 23: ニオブ超電導体の残留抵抗率の残留抵抗比測定
  • BS IEC 60747-5-8:2019 半導体デバイス、光電子デバイス、発光ダイオード、発光ダイオードの光電効率の試験方法
  • BS EN IEC 60404-13:2018 磁性材料電磁鋼板の比抵抗、密度、充填係数の測定方法
  • BS QC 400200:1983 電子部品の品質評価調整システム 電気機器用固定抵抗器 サブ仕様：固定電力抵抗器
  • BS EN 61788-7:2002 超伝導、電子特性の測定、マイクロ波周波数における超伝導体の表面抵抗。
  • BS EN 61788-7:2007 超電導の電子特性 マイクロ波周波数での超電導体の表面抵抗の測定
  • BS EN 60404-13:2007 磁性材料、電磁鋼板および電磁鋼帯の密度、比抵抗、占積率の測定方法
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  • ASTM D1169-02e1 電気絶縁性液体の比抵抗（比抵抗）の標準試験方法
  • ASTM D1169-02 電気絶縁性液体の比抵抗（比抵抗）の標準試験方法
  • ASTM D1169-95 電気絶縁性液体の比抵抗（比抵抗）の標準試験方法
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  • ASTM C1876-23 コンクリートの体積抵抗率または体積導電率の標準試験方法
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  • ASTM C657-93(1998) ガラスの直流体積抵抗率の標準試験方法
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  • ASTM D991-89(2000)e1 ゴム特性の標準試験方法 &x2014; 導電性および帯電防止製品の体積抵抗率
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  • ASTM D7148-19 電解液槽測定システムで炭素電極を使用したアルカリ電池セパレーターのイオン抵抗率を測定するための標準試験方法
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Professional Standard - Aerospace, ポールピース本体の抵抗率

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The American Road & Transportation Builders Association, ポールピース本体の抵抗率

  • AASHTO TP 119-2015 一軸抵抗試験で試験されるコンクリート円柱の電気抵抗率の標準試験方法
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Association of German Mechanical Engineers, ポールピース本体の抵抗率

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Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, ポールピース本体の抵抗率

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  ポールピースの抵抗率, ポールピースの粉体抵抗率, ポールピース本体の抵抗率.

 



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