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シリコン極性 極性

シリコン極性 極性は全部で 500 項標準に関連している。

シリコン極性 極性 国際標準分類において、これらの分類:集積回路、マイクロエレクトロニクス、 表面処理・メッキ、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 鉄鋼製品、 土壌品質、土壌科学、 土木総合、 半導体材料、 半導体ディスクリートデバイス、 無線通信、 金属腐食、 バッテリーと蓄電池、 イルミネーション、 化学装置、 石油およびガス産業の機器、 液体貯蔵装置、 土工、掘削、基礎工事、地下工事、 送配電網、 回転モーター、 航空宇宙製造用の材料、 航空機と宇宙船の統合、 医療機器、 道路車両装置、 ゴム・プラスチック製品、 電灯および関連器具、 電子表示装置、 溶接、ロウ付け、低温溶接、 整流器、コンバータ、安定化電源、 導体材料、 電磁両立性 (EMC)、 食用油脂、油糧種子、 金属材料試験、 切削工具、 電子管、 金属の生産、 官能分析、 非鉄金属、 品質、 航空宇宙製造に関連するめっきおよび関連プロセス、 電気工学総合、 潤滑剤、工業用油および関連製品、 分析化学、 電子機器、 語彙、 化学技術、 電気、磁気、電気および磁気測定、 造船と海洋構造物の一体化、 保護具、 塗料とワニス、 石油製品総合、 コンプレッサーおよび空気圧機械、 非金属鉱物、 空気の質、 建材、 接着剤および接着製品、 オーディオ、ビデオ、およびオーディオビジュアル エンジニアリング、 無駄。


Defense Logistics Agency, シリコン極性 極性

  • DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 シリコンモノリシックバイポーラ高性能10ビットバッファ付きバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88763-1990 シリコンモノリシックバイポーラトラッキングレギュレータリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 マイクロ回路、リニア、バイポーラ トラッキング レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 マイクロ回路、リニア、バイポーラ トラッキング レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 マイクロ回路、リニア、バイポーラ トラッキング レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 シリコンモノリシック、バイポーラトラッキングレギュレータ、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-98640 REV B-2009 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、15 ボルト、ポジティブ、固定、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-98641 REV B-2009 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、15 ボルト、マイナス、固定、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-98642 REV B-2009 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、5 ボルト、マイナス、固定、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-98642 REV C-2012 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、5 ボルト、マイナス、固定、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-98643 REV C-2012 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、5 ボルト、プラス、固定、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-91523 REV C-2013 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、プラス、20 V 固定、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-96843 REV D-2008 マイクロ回路、リニア、電圧基準ダイオード、1.2 V、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 マイクロ回路、リニア、バイポーラ、AGC 付き RF/IF アンプ、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 マイクロ回路、デジタル、32,768 ビット ショットキー ダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 シリコンモノリシック高速電圧コンパレータ、バイポーラリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 シリコンモノリシックバイポーラヘックスNTDSドライバリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 シリコンモノリシックバイポーラ16進数NTDSレシーバーリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-98647 REV B-2010 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-98648 REV B-2011 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-98650 REV B-2011 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-98649 REV C-2012 マイクロ回路、リニア、電圧レギュレータ、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-02524 REV G-2013 マイクロ回路、リニア、ポジティブ、調整可能、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高性能 10 ビット バッファ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、8 ビット等価コンパレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-89520 REV D-2008 マイクロ回路、リニア、調整可能な正、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-89521 REV F-2008 マイクロ回路、リニア、調整可能、ポジティブ、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-88646 REV G-2008 マイクロ回路、リニア、調整可能、ポジティブ、低ドロップアウト、電圧レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 シリコンモノリシック、クワッドショットキーダイオードアレイ、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路アノード用の5V調整可能な高精度電圧リファレンス
  • DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路正固定2.5V低ドロップアウト電圧レギュレータ
  • DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路3.3V低ドロップアウト電圧レギュレータ、固定正極付き
  • DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路5V低ドロップアウト電圧レギュレータ、固定正極付き
  • DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 シリコンモノリシックバイポーラヘックスNTDS高速ドライバリニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89479 REV C-2002 シリコンモノリシックアノード 10 ボルト調整可能な高精度電圧基準リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 モノリシックシリコン放射線硬化リニアマイクロ回路2.5Vシャントダイオードレギュレータ
  • DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 倍 2 入力ポジティブ AND ゲート シリコン モノリシック デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 倍 2 入力ポジティブ AND ゲート シリコン モノリシック デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 トリプル 3 入力ポジティブ AND ゲートシリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 マイクロ回路、デジタル リニア、耐放射線性、8 チャンネル ソース ドライバー、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 マイクロ回路、デジタル リニア、耐放射線性、8 チャンネル ソース ドライバー、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、2.5 V シャント ダイオード レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、2.5 V シャント ダイオード レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、2.5 V シャント ダイオード レギュレータ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 シリコンモノリシックバイポーラ電界効果トランジスタ計算用ラウドスピーカー、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 バイポーラ トランジスタ クワッド 2 入力ポジティブ シリコン モノリシック回路線形マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8入力正ANDゲートトランジスタシリコンモノリシック回路デジタルバイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、D タイプ レジスタ、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-S-19500/298 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコンタイプ 1N1742A
  • DLA MIL-S-19500/236 A VALID NOTICE 3-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコンタイプ 1N31
  • DLA A-A-51187 B VALID NOTICE 1-2006 (GTAW) タングステン電極不活性ガスシールド溶接、溶接電極及び複合部品
  • DLA A-A-51187 B-2001 (GTAW) タングステン電極不活性ガスシールド溶接、溶接電極及び複合部品
  • DLA SMD-5962-87705 REV B-2005 シリコンモノリシック VME バスバイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88677 REV B-2004 シリコンモノリシック 4 ビットバイポーラマイクロプロセッサチップ
  • DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 シリコンモノリシックバイポーラクワッドヘックスNTDS高速/再受信機リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 倍 2 入力正 AND ゲート トランジスタ シリコン モノリシック回路デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 トリプル 3 入力正 AND ゲート トランジスタ シリコン モノリシック回路デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、バス インターフェイス フリップフロップ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、超低ノイズ クワッド チャネル、オペアンプ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、超低ノイズ クワッド チャネル、オペアンプ、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-PRF-19500/656 A-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー ダイオード、電力整流器、カソード共通またはアノード共通のセンター タップ、タイプ 1N6785 および 1N6785R、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/762-2009 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、デュアルショットキー、カソードコモン、1N7062CCT1タイプ、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/764 F-2009 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー、ダブル、カソードコモン、1N7071CCT8タイプ、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 シリコンモノリシックポジティブ NAND チャネル低電力ショットキー TTL により、二重分極デジタルマイクロ回路が容易になります
  • DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 シリコンモノリシックポジティブ NAND チャネル低電力ショットキー TTL により、二重分極デジタルマイクロ回路が容易になります
  • DLA SMD-5962-89554 REV A-2005 シリコン モノリシック デュアル 4 入力正およびチャネル ショットキー TTL により、バイポーラ デジタルマイクロ回路が容易になります
  • DLA MIL-PRF-19500/735-2006 デュアルダイオードタイプ 1N7041CCU1 およびシングルダイオードタイプ 1N7045T3、JAN、JANTX、JANTXV および JANS センタータップショットキーシリコンダイオード半導体デバイス
  • DLA SMD-5962-88598 REV A-1990 シリコンモノリシックバイポーラクロックジェネレータ/マイクロサイクル長制御バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/765 A-2013 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、デュアルショットキー、カソードコモン、1N7072CCT3タイプ、1N7078U3 JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 シリコンモノリシック、四重極バイポーラ接合電界効果トランジスタ、オペアンプ、リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、同期 8 ビット、アップ/ダウン カウンタ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-90541 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー、TTL、デュアル キャリー セーブ全加算器、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-M-38510/10 D VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、デコーダモノリシックシリコン
  • DLA MIL-M-38510/13 G VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、カウンターモノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-86727 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、BCDカウンターモノリシックシリコン
  • DLA MIL-PRF-19500/754 D-2009 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー、デュアル、コモンカソード、タイプ 1N7064CCU3 および 1N7064CCU3C、JAN、JANTX、JANTXV および JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/608 D-2009 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー ダイオード、電力整流器、カソード共通、アノード共通センター タップ、乗算器、タイプ 1N6660、1N6660CCT1、1N6660R、1N6660CAT1 および 1N6660DT1、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/608 D (1)-2010 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー ダイオード、電力整流器、カソード共通、アノード共通センター タップ、乗算器、タイプ 1N6660、1N6660CCT1、1N6660R、1N6660CAT1 および 1N6660DT1、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
  • DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 バイポーラ低電圧クワッド 2 入力ポジティブ AND ゲート バッファシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 デュアル正および負の 15 ボルト、12 ボルト、および 5 ボルト レギュレータ リニア ハイブリッドマイクロ回路
  • DLA MIL-M-38510/210 F-2013 マイクロ回路、デジタル、16,384 ビット ショットキー ダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-PRF-19500/507 F-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、バイポーラ過渡電圧サプレッサ、タイプ 1N6036A ~ 1N6072A JAN、JANTX および JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/681 C-2013 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー ダイオード、デュアル センター タップ、タイプ 1N6843CCU3、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-M-38510/161 A-2005 モノリシックシリコンバイポーラTTL通常のORゲートデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87791 REV B-1989 シリコンモノリシック先入れ先出し極性デジタルマイクロ回路
  • DLA MIL-M-38510/3 G VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、Nandバッファモノリシックシリコン
  • DLA MIL-M-38510/503 B VALID NOTICE 4-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、プログラマブル ロジック、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-M-38510/505 C VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ プログラマブル ロジック、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-86715 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、D レジスタ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-86728 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高速レジスタ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-87755 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、バッファレジスタ、モノリシックシリコン
  • DLA MIL-M-38510/3 G (1)-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、NANDバッファモノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-87683 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ ALS TTL、デコーダ、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-S-19500/254 B VALID NOTICE 1-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、タイプ 1N1147 および 1N1149、JAN
  • DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、高導電タイプ JAN 1N3207
  • DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、8 ビット双方向汎用シフト レジスタ、モノリシック シリコン
  • DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、バイポーラ過渡電圧サプレッサ、タイプ 1N6950 ~ 1N6986、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 2-2013 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、バイポーラ過渡電圧サプレッサ、タイプ 1N6950 ~ 1N6986、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA SMD-5962-11231-2011 マイクロ回路、ハイブリッド、リニア、ポジティブ、スイッチ、電圧レギュレータ
  • DLA MIL-PRF-19500/643 C (1)-2012 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、デュアル、共通カソードまたはアノードセンタータップ、超高速、タイプ 1N6766 および 1N6767、1N6766R および 1N6767R、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
  • DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 低電力ショーケント トランジスタ、ポジティブ NAND ゲート、シングル シリコン ダイを備えた高度なバイポーラ デジタルマイクロ回路
  • DLA DSCC-DWG-00005-2001 1N21WE、1N21WEM、1N21WEMR ダイオード シリコン ミキサー 半導体デバイス
  • DLA MIL-PRF-19500/256 C NOTICE 2-1999 1N643、1N662、1N663 シリコン スイッチング ダイオード半導体デバイス
  • DLA SMD-5962-85065 REV A-1988 シリコンモノリシックプログラマブルロジック、バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87576 REV A-1992 シリコンモノリシック双方向入出力ポート、バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87755 REV B-2005 シリコンモノリシックバッファカウンター双極デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88515-1988 シリコンモノリシックプログラマブルロジック極性デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88604 REV B-2007 シリコンモノリシック双方向トランシーバー二重偏波デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88666-1988 シリコンモノリシック割り込みハンドラーバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-86720 REV A-2001 シリコンモノリシックバストランシーバーバイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-87530-1988 シリコンモノリシックバイポーラプログラマブルロジック、デジタルマイクロ回路

ECIA - Electronic Components Industry Association, シリコン極性 極性

  • RS-348-1968 磁場の極性(極性の定義と決定を含む)
  • 535ABAE-1987 非固体電解質と多孔質アノードを備えた固定タンタル コンデンサ 銀ケーシング アキシャル リード エラストマー シール 分極ニッケル プラス銅 マイナス リード絶縁

HU-MSZT, シリコン極性 極性

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, シリコン極性 極性

Professional Standard - Military and Civilian Products, シリコン極性 極性

  • WJ 2100-2004 シリコンフォトダイオード、シリコンアバランシェフォトダイオードの試験方法
  • WJ 2265-1995 プリアンプ型シリコンアバランシェフォトダイオードの仕様

Professional Standard - Electron, シリコン極性 極性

  • SJ 2216-1982 シリコンフォトダイオード
  • SJ/T 2217-1982 シリコンフォトトランジスタ
  • SJ 2140-1982 シリコンツェナーダイオードの制限電圧試験方法
  • SJ/T 2216-2015 シリコンフォトダイオードの技術仕様
  • SJ 1805-1981 2CC126 シリコン周波数変調バラクタ ダイオード
  • SJ 1946-1981 2CN4C、2DN4C、2CN5C、2DN5C シリコン昇圧ダイオード
  • SJ 1947-1981 2CZ33B、2DZ33B シリコン電力整流ダイオード
  • SJ 1428-1978 3DA107タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1429-1978 3DA108タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1431-1978 3DA39タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1690-1980 3DD206型NPNシリコン低周波高出力トランジスタ
  • SJ 1692-1980 3DD208タイプ NPNシリコン低周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 909-1974 2CW50~149 シリコン半導体ツェナーダイオード
  • SJ 1405-1978 3DA1タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1406-1978 3DA96型NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1408-1978 3DA101タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1409-1978 3DA3タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1411-1978 3DA5型NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1412-1978 3DA14型NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1414-1978 3DA102タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1415-1978 3DA28型NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1416-1978 3DA100タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1419-1978 3DA18型NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1420-1978 3DA104タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1423-1978 3DA32タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1424-1978 3DA105タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1425-1978 3DA106型 NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1682-1980 3DA151タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1683-1980 3DA152タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1686-1980 3DD202タイプ NPNシリコン低周波高出力トランジスタ
  • SJ 1427-1978 3DA92タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 2137-1982 シリコンツェナーダイオードのテスト方法 一般原則
  • SJ 1418-1978 3DA10型 NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1421-1978 3DA22タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1407-1978 3DA4型NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1413-1978 3DA2タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1417-1978 3DA103タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1422-1978 3DA37タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1426-1978 3DA21タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1689-1980 3DD205型NPNシリコン低周波高出力トランジスタ
  • SJ 1430-1978 3DA89タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1410-1978 3DA98タイプ NPNシリコン高周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1674-1980 3DG255型NPNシリコンイメージミッドアンプトランジスタ
  • SJ 1806-1981 2CC110、210、2CC310、410、2CC130 シリコン周波数帯域変換ダイオード
  • SJ 2366-1983 3CD447型PNPシリコン高耐圧低周波ハイパワートランジスタ
  • SJ 1469-1979 3CG101型PNPシリコンプレーナ高周波低電力トランジスタ
  • SJ 2725-1986 2CZ311型シリコン普通整流ダイオード詳細仕様
  • SJ 2727-1986 2CZ313型シリコン普通整流ダイオード詳細仕様
  • SJ 2356-1983 3CD347 タイプ PNP シリコン低電圧低周波高出力トランジスタ
  • SJ 782-1974 3DG100タイプ NPNシリコンプレーナ高周波低電力トランジスタ
  • SJ 786-1974 3DG110タイプ NPNシリコンプレーナ高周波低電力トランジスタ
  • SJ 910-1974 2DW50~202シリコン半導体ツェナーダイオード(仮)
  • SJ 2726-1986 2CZ312型シリコン普通整流ダイオード詳細仕様
  • SJ 2717-1986 2CZ301型シリコン普通整流ダイオード詳細仕様
  • SJ 2139-1982 シリコンツェナーダイオードの動的インピーダンスの試験方法
  • SJ 934-1975 3DD100 シリコン NPN 低周波高背圧ハイパワー トランジスタ
  • SJ 2722-1986 2CZ306型シリコンブロックスイッチング整流ダイオード詳細仕様
  • SJ 2731-1986 2CZ317型シリコン高速スイッチング整流ダイオード詳細仕様
  • SJ 2724-1986 2CZ308型シリコン高速スイッチング整流ダイオード詳細仕様
  • SJ 2138-1982 シリコン安定化ダイオードの電流安定化試験方法
  • SJ 2141-1982 シリコンツェナーダイオードの耐圧試験方法
  • SJ 2721-1986 2CZ305型シリコンブロックスイッチング整流ダイオード詳細仕様
  • SJ 2732-1986 2CZ318型シリコン高速スイッチング整流ダイオード詳細仕様
  • SJ 2148-1982 シリコン安定化トランジスタの動的インピーダンスの試験方法
  • SJ 2723-1986 2CZ307型シリコン高速スイッチング整流ダイオード詳細仕様

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, シリコン極性 極性

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, シリコン極性 極性

  • ECA RS-348-1968 磁場密度の極性(極性の定義と決定を含む)
  • ECA 348-1968 磁場密度の極性(極性の定義と決定を含む)

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), シリコン極性 極性

  • JIS A 1205:1999 土壌液体限界および塑性限界の試験方法
  • JIS A 1205:2009 土壌液体限界および塑性限界の試験方法
  • JIS H 8682-2:2013 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化処理、陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定その 2: サンドブラスト耐摩耗性試験
  • JIS H 8684:2013 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐変形割れ性評価
  • JIS T 0302:2000 陽極分極測定による金属生体材料の耐食性試験方法
  • JIS H 8689:2013 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化 薄い陽極酸化皮膜の導通チェック 硫酸銅試験
  • JIS H 8682-1:2013 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化処理、陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定、その 1: フリクションホイールの耐摩耗性試験

Professional Standard - Aerospace, シリコン極性 極性

  • QJ 1512-1988 シリコン小電力NPNトランジスタの信頼性検証試験方法
  • QJ 1299-1987 シリコンマイクロ波混合および検出ダイオードのスクリーニング仕様

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, シリコン極性 極性

  • GB/T 41652-2022 エッチングマシン用シリコン電極、シリコンリング
  • GB/T 26186-2010 冷陰極蛍光ランプの性能要件
  • GB/T 3074.3-2008 黒鉛電極の酸化特性の測定方法
  • GB/T 5295-2012 光電面の分光感度特性シリーズ
  • GB/T 3074.2-2008 黒鉛電極の弾性率の求め方
  • GB 5295-1985 光電面の分光感度特性シリーズ
  • GB/T 17848-1999 犠牲アノードの電気化学的性能試験方法
  • GB/T 12583-1998 潤滑剤の極圧特性の測定(四球法)
  • GB/T 22706-2008 電球形冷陰極蛍光ランプの性能要件
  • GB/T 7790-1996 防錆塗料の耐陰極剥離性試験方法
  • GB/T 41760-2022 トルマリンの自発分極性能の試験方法
  • GB/T 8754-2006 絶縁破壊電位法によるアルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の絶縁特性の測定
  • GB/T 8752-2006 アルミニウム及びアルミニウム合金アルマイト薄膜の導通試験方法 硫酸銅法
  • GB/T 15555.12-1995 固形廃棄物の腐食性を測定するためのガラス電極法
  • GB/T 11144-2007 潤滑流体の極圧特性を決定するためのティムケン法
  • GB/T 28178-2011 超低レベル放射性廃棄物の埋立処分
  • GB/T 20505-2006 積分球法によるアルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の表面反射特性の測定

Society of Automotive Engineers (SAE), シリコン極性 極性

Group Standards of the People's Republic of China, シリコン極性 極性

SAE - SAE International, シリコン極性 極性

Military Standards (MIL-STD), シリコン極性 極性

General Motors Corporation (GM), シリコン極性 極性

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), シリコン極性 極性

The Aluminum Association, シリコン極性 極性

未注明发布机构, シリコン極性 極性

  • BS 7310:1990(2012) 溶液中のイオンを測定するためのイオン選択性電極、参照電極、組み合わせ電極およびイオン選択性電極メーターの仕様
  • SAE AMS2466C-2018 高圧マグネシウム合金アルカリ硬質陽極皮膜

Professional Standard - Chemical Industry, シリコン極性 極性

German Institute for Standardization, シリコン極性 極性

  • DIN 41077:1980 極性固定のサブクロック用2極プラグ 接続寸法
  • DIN 18122-1:1997 建築基礎 探査と試験 州の制限 (濃度制限) パート 1: 流体の流れと塑性の制限の決定。
  • DIN EN ISO 8251:2018-12 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化 - 陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定
  • DIN EN ISO 7599:2018-05 陽極酸化アルミニウムおよびその合金の装飾および保護陽極酸化皮膜の仕様方法
  • DIN EN ISO 8251:2018 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定 (ISO 8251:2018)
  • DIN EN ISO 7599:2018 陽極酸化アルミニウムおよびその合金の装飾および保護陽極酸化コーティングの指定方法 (ISO 7599:2018)
  • DIN EN 61213:1994 アナログ音声をビデオテープに記録 磁化極性

(U.S.) Ford Automotive Standards, シリコン極性 極性

  • FORD ESF-M2D228-A-2004 標準 FORD WSS-M99P1111-A*** で使用する非常に低強度のシリコーン エラストマー***
  • FORD ESF-M2D228-A-2009 標準 FORD WSS-M99P1111-A*** で使用する非常に低強度のシリコーン エラストマー***

American Society for Testing and Materials (ASTM), シリコン極性 極性

  • ASTM D4318-00 土壌液体限界、塑性限界および塑性指数の標準試験法
  • ASTM D4318-10e1 土壌液体限界、塑性限界および塑性指数の標準試験法
  • ASTM D4318-05 土壌液体限界、塑性限界および塑性指数の標準試験法
  • ASTM D6558-00a(2005) カーボンアノードブロックとカソードブロックの TGA CO2 反応性を測定するための標準試験方法
  • ASTM D6558-00(2010) カーボンアノードブロックとカソードブロックの TGA CO2 反応性を測定するための標準試験方法
  • ASTM E1697-95(1999) 感覚特性の単極推定のための標準的なテスト方法
  • ASTM E1697-05(2020) 感覚特性の単極推定のための標準的なテスト方法
  • ASTM D6558-00a(2010) カーボンアノードブロックとカソードブロックの TGA CO2 反応性を測定するための標準試験方法
  • ASTM D4127-06 イオン選択性電極の標準用語
  • ASTM D4127-12 イオン選択性電極の標準用語
  • ASTM D6559-00a(2005) カーボンアノードブロックとカソードブロックの熱重量(TGA)ガス反応性を測定するための標準試験方法
  • ASTM D6559-00a(2010) カーボンアノードブロックとカソードブロックの熱重量(TGA)ガス反応性を測定するための標準試験方法
  • ASTM F1238-95(2003) マイクロ電子デバイス用の耐火性ケイ化物スパッタリング電極
  • ASTM E81-96(2007) 定量的極性図を作成するための標準的な試験方法
  • ASTM E81-96(2011) 定量的極性図を作成するための標準的な試験方法
  • ASTM D6559-00A(2016)e1 焼成カーボンアノードおよびカソードブロックの熱重量 (TGA) 空気反応性測定のための標準試験方法
  • ASTM D6558-22 焼成炭素アノードおよびカソードブロックの熱重量 CO 反応性の標準試験方法
  • ASTM D6559-22 焼成カーボンアノードブロックとカソードブロックの熱重量 (TGA) 空気反応性を測定するための標準試験方法

SE-SIS, シリコン極性 極性

  • SIS SS 02 71 21-1990 地質工学試験。 プラスチックの限界
  • SIS SS-ISO 6581:1985 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化処理。 UV ランプを使用したカラー陽極酸化皮膜の硬さの測定

RO-ASRO, シリコン極性 極性

Standard Association of Australia (SAA), シリコン極性 極性

Professional Standard - Machinery, シリコン極性 極性

YU-JUS, シリコン極性 極性

  • JUS A.A4.302-1990 半導体ダイオード特性表
  • JUS C.T7.241-1977 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化。 陽極皮膜の耐クラック性の変形法による判定

United States Navy, シリコン極性 極性

Professional Standard - Medicine, シリコン極性 極性

GM North America, シリコン極性 極性

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, シリコン極性 極性

American National Standards Institute (ANSI), シリコン極性 極性

AENOR, シリコン極性 極性

  • UNE 103104:1993 土壌の可塑性限界のテスト
  • UNE 51014:1979 潤滑製品の極圧特性の測定
  • UNE-EN ISO 8251:2011 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定 (ISO 8251:2011)
  • UNE 61011:1975 耐火物 アルミナ含有量が極めて高い耐火物の一般的性質 シリマナイトグループの製品

British Standards Institution (BSI), シリコン極性 極性

  • BS EN 62639:2012 無電極蛍光ランプ 性能仕様
  • BS 9300 C678-721:1971 シリコンレギュレータダイオードの詳細仕様
  • BS EN ISO 8251:2011 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定
  • BS EN ISO 8251:2018 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定
  • BS EN ISO 7599:2018 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化アルミニウム表面の装飾および保護陽極酸化皮膜の測定方法
  • BS EN 12373-15:2001 アルミニウムおよびアルミニウム合金、アルマイト処理、アルマイト皮膜の変形検査および耐クラック性の評価。
  • BS EN 1263-2:2002 セーフティネット 位置制限の安全要件
  • BS EN ISO 3211:2010 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐変形性、耐クラック性の評価
  • BS EN 12373-16:2001 アルミニウムおよびアルミニウム合金、陽極酸化、陽極酸化された薄い皮膜の導通検査、硫酸銅試験
  • BS EN ISO 3211:2018 アルミニウムおよびその合金のアルマイト皮膜の耐変形性および耐クラック性の評価
  • BS EN 61000-3-3:1995 電磁両立性 制限値 定格電流は16A 低圧電源装置の電圧変動制限値

Association of German Mechanical Engineers, シリコン極性 極性

  • DVS 0911-1996 タングステン不活性ガスシールド溶接用タングステン電極-応用-技術情報
  • DVS 0944-1995 防湿アルカリコート棒電極
  • DVS 0920-1986 タングステン不活性ガスシールド溶接、国勢調査
  • DVS 0920-2004 タングステン不活性ガス溶接 (TIG) の概要
  • VDI 3940 Blatt 4-2010 快楽的匂いトーン極性分布の決定
  • DVS-EWF 1132-1999 DVS-EWFコースタングステン不活性ガスシールド溶接
  • DVS-EWF 1132-2001 DVS®-EWFコース タングステン不活性ガス溶接

CZ-CSN, シリコン極性 極性

  • CSN 36 4175-1965 アルカリ水銀電池および電池
  • CSN 03 8151-1961 陽極酸化処理されたアルミニウムの気密性の測定
  • CSN 42 0345-1987 金属の検査。 引張弾性限界
  • CSN 01 0222-1978 応用統計。 極値の有意性検定
  • CSN ISO 3211:1993 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化処理。 変形法による陽極酸化皮膜の耐クラック性評価

U.S. Air Force, シリコン極性 極性

U.S. Military Regulations and Norms, シリコン極性 極性

CEN - European Committee for Standardization, シリコン極性 極性

  • EN ISO 8251:2018 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定
  • EN ISO 3211:2018 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐変形性、耐クラック性の評価

International Organization for Standardization (ISO), シリコン極性 極性

  • ISO 8251:2011 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定
  • ISO 8251:2018 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定
  • ISO 7599:2018 アルミニウムとその合金の陽極酸化アルミニウム上の装飾および保護陽極酸化コーティングの規定の方法
  • ISO 3211:1977 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の耐変形性、耐クラック性の評価
  • ISO 2135:1976 アルミニウムおよびその合金のアルマイト処理 着色アルマイト皮膜の耐光性加速試験
  • ISO 3211:2010 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐変形性、耐クラック性の評価
  • ISO 2085:2018 アルミニウム及びアルミニウム合金のアルマイト皮膜の導通試験 硫酸銅試験
  • ISO 3211:2018 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化 - 陽極酸化皮膜の変形や割れに対する耐性の評価
  • ISO 2085:1976 アルミニウム及びアルミニウム合金のアルマイト皮膜の導通試験 硫酸銅試験

European Committee for Standardization (CEN), シリコン極性 極性

  • EN ISO 8251:2011 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定。
  • EN ISO 3211:2010 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐変形性、耐クラック性の評価
  • EN 12373-15:2000 アルミニウムおよびアルミニウム合金 陽極酸化処理 第15回 陽極酸化皮膜の耐変形性および耐クラック性の評価

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, シリコン極性 極性

  • JEDEC JESD211-2009 ツェナーおよびツェナーダイオードの定格検証および特性評価テスト
  • JEDEC JESD282B.01-2002 シリコン ダイオード整流器。 EIA-JESD282-B リビジョン

Association Francaise de Normalisation, シリコン極性 極性

  • NF EN ISO 8251:2018 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定
  • NF A91-491:2011 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化、陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定
  • NF A91-491*NF EN ISO 8251:2018 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定
  • NF A91-450*NF EN ISO 7599:2018 陽極酸化アルミニウムおよびその合金の装飾および保護陽極酸化皮膜の仕様方法
  • NF EN ISO 2085:2018 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化検査 薄い陽極層の連続性に関する硫酸銅試験
  • NF P94-051:1993 土壌: 研究と試験 アッターベルグ限界の決定 カサグランデ装置の液体限界試験 転造糸の塑性限界試験

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), シリコン極性 極性

TR-TSE, シリコン極性 極性

  • TS 953-1972 アルミニウム合金鍛造品の機械的性質の限界
  • TS 2677-1977 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化。 陽極皮膜の耐変形性、耐クラック性の評価
  • TS 952-1972 アルミニウムおよびアルミニウム合金リベットの機械的性質の限界

Professional Standard - Light Industry, シリコン極性 極性

  • QB/T 2459.2-1999 LR6、LR03 アルカリ亜鉛マンガン電池、マイナス底
  • QB/T 2459.1-1999 LR6、LR03 アルカリ亜鉛マンガン電池、正極スチールケース
  • QB/T 4057-2010 一般照明用発光ダイオードの性能要件

Society of Motion Picture and Television Engineers (SMPTE), シリコン極性 極性

Underwriters Laboratories (UL), シリコン極性 極性

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., シリコン極性 極性

Canadian Standards Association (CSA), シリコン極性 極性

ES-UNE, シリコン極性 極性

  • UNE-EN 61965:2003 陰極線管の機械的安全性
  • UNE-EN ISO 8251:2019 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定
  • UNE-EN ISO 7599:2018 陽極酸化アルミニウムおよびその合金の装飾および保護陽極酸化皮膜の仕様方法

RU-GOST R, シリコン極性 極性

  • GOST 11612.3-1975 光電子増倍管.光電面と光陽極の感度不均一性の測定方法
  • GOST 32502-2013 潤滑流体 四球式機械の極圧特性の決定
  • GOST 32501-2013 グリース 四球式マシンの極圧特性の測定
  • GOST 310.4-1981 セメント、極限の柔軟性と圧縮強度を決定する方法

Danish Standards Foundation, シリコン極性 極性

  • DS/EN ISO 8251:2011 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定

Professional Standard - Non-ferrous Metal, シリコン極性 極性

  • YS/T 411-1998 アルミニウム電解用のプリベークアノードおよびアノードペーストの二酸化炭素反応性の測定方法

PL-PKN, シリコン極性 極性

Natural Gas Processor's Association (NGPA), シリコン極性 極性

  • GPA RR-3-1971 低温における非極性液体のエンタルピーとエントロピー

North Atlantic Treaty Organization Standards Agency, シリコン極性 極性

Professional Standard - Petrochemical Industry, シリコン極性 極性

中国石油化工总公司, シリコン極性 極性

BR-ABNT, シリコン極性 極性

KR-KS, シリコン極性 極性

  • KS D ISO 3211-2012 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の耐変形性および耐クラック性の評価

PT-IPQ, シリコン極性 極性

  • E 302-1974 陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウムコーティングの継続的なテスト。 硫酸銅試験

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, シリコン極性 極性

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, シリコン極性 極性

  • DB52/T 861-2013 タイプ 2CB003 シリコン アバランシェ整流ダイオードの詳細仕様

IN-BIS, シリコン極性 極性

  • IS 9604-1980 タングステン不活性ガス(TIG)溶接装置仕様
  • IS 8375-1977 陽極酸化皮膜の連続性を確認する方法

Lithuanian Standards Office , シリコン極性 極性

  • LST EN ISO 8251:2011 アルミニウムおよびその合金の陽極酸化皮膜の耐摩耗性の測定 (ISO 8251:2011)
  • LST EN 61965-2004 陰極線管の機械的安全性 (IEC 61965:2003)

ZA-SANS, シリコン極性 極性

ESDU - Engineering Sciences Data Unit, シリコン極性 極性

  • ESDU 82030 F-1986 火災の危険性の特性: 引火点の可燃限界と自然発火温度

IT-UNI, シリコン極性 極性

  • UNI 7320-1974 弾性材料: 加硫材料の試験、脆化温度限界の決定

BE-NBN, シリコン極性 極性

  • NBN-EN 61213-1994 アナログ音声をビデオテープに記録します。 磁化極性

CU-NC, シリコン極性 極性

  • NC 66-29-1984 電子回路。 バイポーラトランジスタの測定方法

International Electrotechnical Commission (IEC), シリコン極性 極性

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, シリコン極性 極性

GB-REG, シリコン極性 極性

(U.S.) Telecommunications Industries Association , シリコン極性 極性

  • TIA-455-127-A-2006(2014) FOTP-127 マルチモードレーザーダイオードの光学特性、光ファイバーの性能
  • TIA-455-127-A-2006 FOTP-127 マルチモードレーザーダイオードの光学特性、光ファイバーの性能

AASHTO - American Association of State Highway and Transportation Officials, シリコン極性 極性

  • T 373M/T 373-2017 コンクリート鉄筋の定性的腐食特性の比較に関する標準試験方法(直線分極抵抗および動電位分極試験)




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