ZH

EN

ES

Испытание полупроводников при непрерывном включении

Испытание полупроводников при непрерывном включении, Всего: 293 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Испытание полупроводников при непрерывном включении, являются: Экологические испытания, Электрические и электронные испытания, Полупроводниковые приборы, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Фрукты. Овощи, Краски и лаки, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Полупроводниковые материалы, Комплектующие и аксессуары для телекоммуникационного оборудования, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Аэрокосмическое электрооборудование и системы, Электрические провода и кабели, Атомная энергетика, Изоляционные материалы, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Измерение расхода жидкости, Графические символы, Электрические аксессуары, Материалы для аэрокосмического строительства, Проведение материалов, Защитная экипировка, Гибкие приводы и трансмиссии, Обработка поверхности и покрытие, Оптоволоконная связь, Сети передачи и распределения электроэнергии, Радиационная защита, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Пьезоэлектрические и диэлектрические устройства, Изоляционные жидкости, Электротехника в целом, Защита от огня.


National Electrical Manufacturers Association(NEMA), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • NEMA WC 72-1999 Непрерывность испытаний покрытий электрических проводников

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • CNS 6122-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание тиристоров постоянным напряжением)
  • CNS 6121-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание выпрямительных диодов при постоянном приложении напряжения)
  • CNS 6124-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание тиристоров прерывистым напряжением)
  • CNS 5541-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания транзисторов в непрерывном режиме)
  • CNS 6120-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания тиристоров в непрерывном режиме)
  • CNS 5542-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания полевых транзисторов в непрерывном режиме работы)
  • CNS 6123-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание выпрямительных диодов прерывистым приложением напряжения)
  • CNS 5539-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание диода постоянного напряжения при непрерывной работе)
  • CNS 6119-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания выпрямительных диодов при непрерывной работе)
  • CNS 5538-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания на непрерывную работу малосигнальных диодов)
  • CNS 5543-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание транзистора в прерывистом режиме)
  • CNS 5544-1988 Методы экологических испытаний и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание полевого транзистора в периодическом режиме работы)
  • CNS 6126-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (высокая температура для испытания тиристоров напряжением)
  • CNS 13780-1996 Методы испытания на долговечность инфракрасных излучающих диодов (для автоматизации) — испытание постоянным напряжением
  • CNS 13090-1992 Метод испытания на выносливость больших светодиодных ламп (для наружных дисплеев) — испытание на непрерывную подачу тока
  • CNS 6125-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (высокая температура для испытания выпрямительных диодов напряжением)
  • CNS 5540-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание на обратное смещение диодов переменной емкости при высокой температуре)

Association Francaise de Normalisation, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • NF EN 60749-4:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 4. Высокоускоренное непрерывное испытание на влажную и тепловую нагрузку (HAST).
  • NF C80-201*NF EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянного тока.
  • NF C93-400-2-6*NF EN 60512-2-6:2002 Соединители для электронного оборудования. Испытания и измерения. Часть 2-6. Испытания электрической непрерывности и контактного сопротивления. Испытание 2f. Электрическая непрерывность корпуса (корпуса)
  • NF EN 60749-5:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 5. Непрерывное испытание на долговечность при температуре и влажности со смещением
  • NF L52-250-306*NF EN 3475-306:2006 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические для использования в самолетах. Методы испытаний. Часть 306. Непрерывность проводников.
  • NF C96-009:1989 Электронные компоненты Полупроводниковые приборы Механические и климатические методы испытаний
  • NF EN 3475-306:2006 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические для авиационного использования. Методы испытаний. Часть 306. Непрерывность проводников.
  • NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
  • NF C96-022-34:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Циклическое выключение питания.
  • NF C96-050-22*NF EN 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • NF EN 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение тонких проводящих пленок на гибких подложках.
  • NF E24-312:1991 Ременные передачи. Электропроводность антистатических бесконечных синхронных ремней. Характеристики и метод испытаний.
  • NF C96-022-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
  • NF EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний на изгиб тонкопленочных материалов.
  • NF L54-002-008*NF EN 2591-205:1994 Аэрокосмическая серия. Элементы электрической и оптической связи. Методы испытаний. Часть 205: целостность электрической цепи корпуса (корпуса).
  • NF C96-022-18*NF EN 60749-18:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза).
  • NF C96-017*NF EN 62374:2008 Полупроводниковые приборы. Испытание на временной пробой диэлектрика (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний на изгиб тонкопленочных материалов.
  • NF EN IEC 60749-18:2019 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Методы испытаний тонкопленочных материалов на растяжение.
  • NF EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний на осевую усталость тонкопленочных материалов.
  • NF C96-022-27/A1*NF EN 60749-27/A1:2013 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (MM)
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • NF C96-022-27*NF EN 60749-27:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ).
  • NF C96-050-17*NF EN 62047-17:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 17. Метод испытания на выпуклость для измерения механических свойств тонких пленок.
  • NF EN 62047-17:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 17. Метод испытания на выпучивание для измерения механических свойств тонких пленок.
  • NF C32-074:1993 ИСПЫТАНИЕ НА ГАЗЫ, ВЫДЕЛЯЮЩИЕСЯ ПРИ ГОРЕНИИ МАТЕРИАЛОВ ИЗ КАБЕЛЕЙ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТЕПЕНИ КИСЛОТНОСТИ (КОРРОЗИОННОСТИ) ГАЗОВ ПУТЕМ ИЗМЕРЕНИЯ PH И ПРОВОДИМОСТИ.

YU-JUS, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • JUS N.R1.500-1980 Полупроводниковые устройства. Принятие. Электрические испытания

RU-GOST R, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • GOST 26567-1985 Полупроводниковые преобразователи энергии. Методы испытаний
  • GOST 24461-1980 Силовые полупроводниковые приборы. Методы испытаний и измерений
  • GOST 34395-2018 Лакокрасочные материалы. Метод искровых испытаний для контроля целостности диэлектрических покрытий на проводящих подложках

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • GB/T 13422-2013 Полупроводниковые преобразователи. Методы электрических испытаний.
  • GB/T 13422-1992 Силовые полупроводниковые преобразователи. Методы электрических испытаний.
  • GB/T 3048.3-1994 Методы испытаний определения электрических свойств электрических кабелей и проводов. Измерение объемного сопротивления полупроводниковых резин и пластмасс.
  • GB/T 3048.3-2007 Методы испытаний электрических свойств электрических кабелей и проводов. Часть 3. Испытание объемного сопротивления полупроводниковых резин и пластмасс.
  • GB/T 9327.2-1988 Методы испытаний компрессионных и механических соединителей для жил силовых кабелей. Методы испытаний для измерения сопротивления соединителей постоянному току.
  • GB/T 9327.3-1988 Метод испытания компрессионных и механических соединителей жил силовых кабелей. Метод испытания на короткое замыкание
  • GB/T 9327.4-1988 Методы испытаний компрессионных и механических соединителей проводников силовых кабелей. Метод испытания тепловым циклом.
  • GB/T 9327.1-1988 Методы испытаний на сжатие и механические соединители проводников силовых кабелей. Общие положения
  • GB/T 4937.26-2023 Механические и климатические методы испытаний полупроводниковых приборов. Часть 26. Испытание на чувствительность к электростатическому разряду (ESD) Модель человеческого тела (HBM)
  • GB/T 9327.5-1988 Методы испытаний компрессионных и механических соединителей жил силовых кабелей. Метод испытания на растяжение.
  • GB/T 41852-2022 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний на изгиб и сдвиг для измерения прочности сцепления для МЭМС-структур.
  • GB/T 4937.27-2023 Механические и климатические методы испытаний полупроводниковых приборов. Часть 27. Модель машины для испытания на чувствительность к электростатическому разряду (ESD) (MM)

International Electrotechnical Commission (IEC), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • IEC 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
  • IEC 60700:1981 Испытание полупроводниковых ламп для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения
  • IEC 62951-6:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 6. Метод испытания поверхностного сопротивления гибких проводящих пленок.
  • IEC 61196-1-110:2016 Коаксиальные кабели связи. Часть 1-110. Методы электрических испытаний. Проверка целостности.
  • IEC 60333:1993 Ядерное приборостроение; полупроводниковые детекторы заряженных частиц; процедуры испытаний
  • IEC 62951-1:2017 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 1. Метод испытания на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • IEC 60749-26:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD); Модель человеческого тела (HBM)
  • IEC 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
  • IEC 60749-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
  • IEC 60749-34:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
  • IEC 60749-34:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
  • IEC 62830-5:2021 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые приборы для сбора и генерации энергии. Часть 5. Метод испытаний для измерения мощности, вырабатываемой гибкими термоэлектрическими устройствами.
  • IEC 63284:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности коммутацией индуктивной нагрузки транзисторов на основе нитрида галлия
  • IEC 62374:2007 Полупроводниковые приборы. Испытание диэлектрического пробоя во времени (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • IEC 62047-29:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 29. Метод испытания на электромеханическую релаксацию отдельно стоящих проводящих тонких пленок при комнатной температуре.
  • IEC 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • IEC 60749-26:2013 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
  • IEC 60749-26:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
  • IEC 62830-6:2019 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 6. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.
  • IEC 62951-8:2023 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 8. Метод испытания на растяжимость, гибкость и стабильность гибкой резистивной памяти.
  • IEC 60749-18:2002 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
  • IEC 60749-18:2019 RLV Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
  • IEC 60747-5-13:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 5-13. Оптоэлектронные устройства. Испытание сероводородной коррозии для корпусов светодиодов.
  • IEC 60749-27:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD); Модель машины (ММ)
  • IEC 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • IEC 60749-28:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 28. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель заряженного устройства (CDM) — уровень устройства.
  • IEC 60749-28:2022 RLV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 28. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель заряженного устройства (CDM) — уровень устройства.
  • IEC 60749-28:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 28. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель заряженного устройства (CDM) — уровень устройства.
  • IEC 62047-36:2019 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 36. Методы испытаний на стойкость к воздействию окружающей среды и диэлектрической стойкости для тонких пьезоэлектрических пленок MEMS.
  • IEC 60749-37:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 37. Метод испытания падением уровня платы с использованием акселерометра.
  • IEC 62047-6:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • IEC 62047-15:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 15. Метод испытания прочности соединения между ПДМС и стеклом.
  • IEC 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
  • IEC 60749-27:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ)
  • IEC 62047-37:2020 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 37. Методы экологических испытаний тонких пьезоэлектрических пленок MEMS для применения в датчиках.
  • IEC 60749-27:2006/AMD1:2012 Поправка 1. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ).
  • IEC 62047-35:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 35. Метод испытания электрических характеристик при изгибной деформации гибких электромеханических устройств.
  • IEC 60749-15:2020 RLV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 15. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых через отверстия.
  • IEC 60749-15:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 15. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых через отверстия.
  • IEC 62047-32:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 32. Метод испытания нелинейной вибрации МЭМС-резонаторов.
  • IEC TR 60747-5-12:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 5-12. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания эффективности светодиодов.
  • IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС; Исправление 1
  • IEC 62047-38:2021 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 38. Метод испытания прочности адгезии пасты из металлического порошка в соединении МЭМС.
  • IEC 60749-27:2006+AMD1:2012 CSV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 27. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ)
  • IEC 60146-4:1986 Полупроводниковые преобразователи. Часть 4. Метод определения характеристик и требований к испытаниям систем бесперебойного питания.
  • IEC 62047-34:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 34. Методы испытаний пьезорезистивного устройства MEMS, чувствительного к давлению на пластине.

British Standards Institution (BSI), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • BS EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
  • BS EN 3475-306:2006 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические, для использования в самолетах. Методы испытаний. Непрерывность проводников
  • BS EN 3475-306:2005 Кабели электрические для использования в самолетах. Методы испытаний. Часть 306. Непрерывность проводников.
  • BS IEC 62830-5:2021 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Метод испытаний для измерения мощности, генерируемой гибкими термоэлектрическими устройствами
  • BS 9300:1969 Спецификация полупроводниковых приборов оцененного качества: общие данные и методы испытаний
  • BS EN 2591-205:1996 Элементы электрического и оптического соединения. Методы испытаний. Электрическая целостность корпуса (оболочки)
  • BS EN 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод электромеханического испытания на растяжение тонких проводящих пленок на гибких подложках
  • BS IEC 62047-29:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания на электромеханическую релаксацию отдельно стоящих проводящих тонких пленок при комнатной температуре.
  • BS EN 60749-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
  • BS EN 60749-26:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тестирование чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM)
  • BS EN 2591-211:2002 Элементы электрической и оптической связи. Методы испытаний. Емкость.
  • BS EN 60749-18:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
  • BS IEC 60747-5-13:2021 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Испытание сероводородной коррозии для корпусов светодиодов
  • BS EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • BS IEC 62047-37:2020 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы экологических испытаний тонких пьезоэлектрических пленок MEMS для сенсорных применений.
  • BS EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Испытание микростолбов на сжатие материалов MEMS
  • BS EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов
  • BS EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • BS ISO 9563:2015 Ременные передачи. Электропроводность антистатических бесконечных синхронных ремней. Характеристики и метод испытаний
  • BS EN 60749-28:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тестирование чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель заряженного устройства (CDM). Уровень устройства
  • BS EN 60749-27:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ).
  • BS EN 60749-27:2006+A1:2012 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тестирование чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель машины (ММ)
  • BS EN 60749-15:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых в сквозное отверстие.
  • BS EN 60749-15:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых в сквозные отверстия.
  • BS EN 62374:2008 Полупроводниковые приборы. Испытание диэлектрического пробоя во времени (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • BS EN 62374:2007 Полупроводниковые приборы. Испытание диэлектрического пробоя во времени (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • BS EN 60749-37:2008 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 37. Метод испытания падением уровня платы с использованием акселерометра.
  • BS IEC 62047-38:2021 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания прочности сцепления пасты из металлического порошка в соединении МЭМС
  • BS EN 50289-3-2:2001 Кабели связи. Технические условия на методы испытаний. Механические методы испытаний. Прочность на разрыв и удлинение проводника
  • BS EN 62047-8:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение
  • BS EN 62047-15:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания прочности сцепления между ПДМС и стеклом
  • BS EN 60749-35:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Акустическая микроскопия электронных компонентов в пластиковых капсулах.
  • BS EN 62047-17:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания на выпучивание для измерения механических свойств тонких пленок

CZ-CSN, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • CSN 35 1609-1983 Силовые полупроводниковые приборы. Теплоотводы. Методика тестирования

European Association of Aerospace Industries, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • AECMA PREN 3475-306-2001 Кабели аэрокосмической серии, электрические, методы испытаний для использования в самолетах, часть 306: непрерывность проводников, издание P 1

American National Standards Institute (ANSI), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • ANSI/IEEE 300:1988 Методики испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
  • ANSI/ASTM D6095:2012 Метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ANSI/ASTM E1161:1996 Метод испытаний радиологического исследования полупроводников и электронных компонентов
  • ANSI/ASTM D4325:2013 Методы испытаний неметаллических полупроводниковых и электроизоляционных резиновых лент
  • ANSI/IEEE C62.35:2010 Стандартные методы испытаний компонентов полупроводниковых устройств защиты от перенапряжений с лавинным переходом
  • ANSI/EIA 364-47A:2001 Процедура испытания размотки проводника для электрических контактов, намотанных без пайки
  • ANSI/IEEE 301:1988 Усилители и предусилители для полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения, методики испытаний

Group Standards of the People's Republic of China, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • T/IAWBS 004-2021 Общие требования и методы испытаний на надежность силовых полупроводниковых модулей, используемых в электромобилях
  • T/ZSA 47-2020 Методы испытаний на надежность силовых полупроводниковых приборов в электромобилях

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • KS C 6049-1980 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность полупроводниковых интегральных схем
  • KS C 6049-1980(2020) Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность полупроводниковых интегральных схем
  • KS C IEC 62951-1:2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 1. Метод испытания на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • KS C IEC 62047-18:2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-22:2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 61954:2002 Силовая электроника для систем передачи и распределения электроэнергии. Испытание тиристорных клапанов для статических компенсаторов реактивной мощности.
  • KS C IEC 60749-18:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза).
  • KS C IEC 60749-18:2021 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
  • KS C IEC 60749-18-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза).
  • KS C IEC 62830-6:2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 6. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.

German Institute for Standardization, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • DIN 50448:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение удельного электросопротивления полуизолирующих полупроводниковых пластинок с помощью емкостного зонда
  • DIN 57472-812:1984 Испытание кабелей, проводов и гибких шнуров; непрерывность металлических покрытий [Спецификация VDE]
  • DIN 50449-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 2. Бор в арсениде галлия.
  • DIN EN 2591-205:1998 Аэрокосмическая серия - Элементы электрической и оптической связи; методы испытаний. Часть 205. Электрическая целостность корпуса (оболочки); Немецкая версия EN 2591-205:1996.
  • DIN 50449-1:1997 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 1. Углерод в арсениде галлия.
  • DIN EN 2591-203:1998 Аэрокосмическая серия - Элементы электрической и оптической связи; методы испытаний. Часть 203. Электрическая непрерывность на уровне микровольт; Немецкая версия EN 2591-203:1996.
  • DIN EN 3475-306:2007-04 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические для использования в самолетах. Методы испытаний. Часть 306. Непрерывность проводников; Немецкая и английская версия EN 3475-306:2005.
  • DIN EN 62047-3:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006); Немецкая версия EN 62047-3:2006.
  • DIN EN 60749-26:2007 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM) (IEC 60749-26:2006); Немецкая версия EN 60749-26:2006.
  • DIN EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянным током (IEC 62415:2010); Немецкая версия EN 62415:2010.
  • DIN EN 3475-306:2007 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические для использования в самолетах. Методы испытаний. Часть 306. Непрерывность проводников; Немецкая и английская версия EN 3475-306:2005.
  • DIN 50439:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; Определение профиля концентрации легирующей примеси монокристаллического полупроводникового материала вольт-емкостным методом и ртутным контактом
  • DIN EN 62047-3:2007-02 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006); Немецкая версия EN 62047-3:2006.
  • DIN EN 62374:2008 Полупроводниковые приборы — испытание на временной диэлектрический пробой (TDDB) для диэлектрических пленок затвора (IEC 62374:2007); Немецкая версия EN 62374:2007.
  • DIN EN 60749-18:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (общая доза) (IEC 60749-18:2002); Немецкая версия EN 60749-18:2003.
  • DIN EN 62047-22:2015-04 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках (IEC 62047-22:2014).
  • DIN EN 62047-2:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006); Немецкая версия EN 62047-2:2006.
  • DIN EN 62047-6:2010-07 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (IEC 62047-6:2009); Немецкая версия EN 62047-6:2010.
  • DIN EN 60749-37:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 37. Метод испытания падением уровня платы с использованием акселерометра (IEC 60749-37:2008); Немецкая версия EN 60749-37:2008.
  • DIN EN 60749-11:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 11. Быстрое изменение температуры; Метод двухжидкостной ванны (IEC 60749-11:2002); Немецкая версия EN 60749-11:2002.
  • DIN EN 60749-26:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM) (IEC 60749-26:2013); Немецкая версия EN 60749-26:2014

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • GJB 5018-2001 Общие требования к проверке и приемке полупроводниковых оптоэлектронных приборов

Professional Standard - Electron, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • SJ/T 10745-1996 Механические и климатические методы испытаний полупроводниковых интегральных схем
  • SJ/T 11875-2022 Процедуры стресс-тестирования полупроводниковых интегральных схем для электромобилей
  • SJ/T 11874-2022 Процедуры стресс-тестирования полупроводниковых дискретных устройств, используемых в электромобилях
  • SJ/T 11005-1996 Полупроводниковые телевизионные интегральные схемы. Общие принципы методов измерения схем аудиоканалов.
  • SJ/T 11004-1996 Полупроводниковые телевизионные интегральные схемы. Общие принципы методов измерения схем канала изображения.
  • SJ 1488-1979 Метод измерения номинального высокочастотного среднего тока открытого состояния Ir обратнозапирающих высокочастотных тиристоров

Danish Standards Foundation, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • DS/EN 3475-306:2005 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические для использования в самолетах. Методы испытаний. Часть 306. Непрерывность проводников.
  • DS/EN 62047-3:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
  • DS/EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.
  • DS/EN 60749-18:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
  • DS/EN 62047-2:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • DS/EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • DS/EN 2591-B5:1994 Аэрокосмическая серия. Элементы электрического и оптического соединения. Методы испытаний. Часть B5. Электрическая целостность корпуса (корпуса)
  • DS/EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • DS/EN 60749-15/AC:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 15. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых через отверстия.
  • DS/EN 60749-15:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 15. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых через отверстия.
  • DS/EN 61620:1999 Изоляционные жидкости. Определение коэффициента диэлектрических потерь путем измерения проводимости и емкости. Метод испытаний

Lithuanian Standards Office , Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • LST EN 3475-306-2006 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические для использования в самолетах. Методы испытаний. Часть 306. Непрерывность проводников.
  • LST EN 62047-3-2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006).
  • LST EN 62047-10-2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбов для материалов МЭМС (IEC 62047-10:2011)
  • LST EN 62047-2-2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).

Standard Association of Australia (SAA), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • AS/NZS 1660.2.1:1998 Методы испытаний электрических кабелей, шнуров и проводников. Изоляция, экструдированные полупроводниковые экраны и неметаллические оболочки. Методы общего применения.
  • AS/NZS 1660.2.1/AMD 1:2001 Методы испытаний электрических кабелей, шнуров и проводников. Метод 2.1. Изоляция, экструдированные полупроводниковые экраны и неметаллические оболочки. Методы общего применения; Поправка №1

American Society for Testing and Materials (ASTM), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • ASTM E1161-03 Стандартный метод испытаний радиологического исследования полупроводников и электронных компонентов
  • ASTM D7677-11 Стандартный метод испытаний для непрерывного измерения растворенного озона в воде с низкой проводимостью
  • ASTM D7677-16 Стандартный метод испытаний для непрерывного измерения растворенного озона в воде с низкой проводимостью
  • ASTM F1892-12(2018) Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
  • ASTM F1892-06 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
  • ASTM F1892-04 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
  • ASTM F1892-98 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
  • ASTM F1892-12 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
  • ASTM D6095-99 Стандартный метод испытаний объемного удельного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM B896-99 Стандартные методы испытаний для оценки характеристик соединяемости материалов электропроводников
  • ASTM B896-99(2005) Стандартные методы испытаний для оценки характеристик соединяемости материалов электропроводников
  • ASTM B896-10 Стандартные методы испытаний для оценки характеристик соединяемости материалов электропроводников
  • ASTM B896-10e1 Стандартные методы испытаний для оценки характеристик соединяемости материалов электропроводников
  • ASTM B896-10(2015) Стандартные методы испытаний для оценки характеристик соединяемости материалов электропроводников
  • ASTM D6095-05 Стандартный метод испытаний объемного удельного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM F739-20 Стандартный метод испытаний на проникновение жидкостей и газов через материалы защитной одежды в условиях постоянного контакта
  • ASTM F978-90(1996)e1 Стандартный метод испытаний для определения характеристик глубоких уровней полупроводников с помощью методов измерения переходной емкости
  • ASTM D6095-06 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM D6095-12 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM D6095-12(2023) Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM D5162-21 Стандартная практика испытаний на разрыв (отпуск) непроводящего защитного покрытия на металлических подложках
  • ASTM F673-90(1996)e1 Стандартные методы измерения удельного сопротивления срезов полупроводников или листового сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком
  • ASTM F76-86(1996)e1 Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
  • ASTM F76-86(2002) Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
  • ASTM F76-08 Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • JIS C 7022:1979 Методы экологических испытаний и методы испытаний на долговечность полупроводниковых интегральных схем
  • JIS C 5630-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.

KR-KS, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • KS C IEC 62951-1-2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 1. Метод испытания на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • KS C IEC 62047-18-2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-22-2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 60749-18-2021 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
  • KS C IEC 62830-6-2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 6. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.

Aerospace, Security and Defence Industries Association of Europe (ASD), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • ASD-STAN PREN 3475-306-2001 Кабели аэрокосмической серии, электрические, методы испытаний для использования в самолетах, часть 306: непрерывность проводников (издание P 1)

Defense Logistics Agency, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • DLA SMD-5962-94663 REV G-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ МИКРОКОДИРОВАННЫЙ МНОГОРЕЖИМНЫЙ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЙ ТЕРМИНАЛ И ТРАНСИВЕР, КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96556 REV D-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с последовательным входом/параллельным выходом, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-96558 REV C-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 8-БИТ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ/ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ ВХОД, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ ВЫХОД, РЕГИСТР СДВИГА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96559 REV B-2001 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ/ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ ВХОД, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ ВЫХОД, РЕГИСТР СДВИГА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95785 REV B-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с последовательным входом/параллельным выходом, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-95786 REV B-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с параллельным входом/последовательным выходом, монолитный кремний
  • DLA SMD-5962-95787 REV B-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с параллельным входом/последовательным выходом, монолитный кремний
  • DLA SMD-5962-95617 REV B-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 256К Х 1-БИТ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ КОНФИГУРАЦИИ, ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с последовательным/параллельным выходом, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-96886 REV B-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВО-ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, 12 БИТ АНАЛОГО-ЦИФРОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ И 11 АНАЛОГОВЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96894-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВО-ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, 3,3 В, 10 БИТ АНАЛОГО-ЦИФРОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ И 11 АНАЛОГОВЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93239 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЛИНКЕРЫ ПУТИ СКАНИРОВАНИЯ С 4-БИТНОЙ ID ШИНОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с последовательным/параллельным выходом, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-93115 REV A-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, СЕТЬ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО УПРАВЛЕНИЯ ДОСТУПА, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93116 REV A-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, СЕТЬ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО УПРАВЛЕНИЯ ДОСТУПА, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93118 REV B-1994 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, СЕТЬ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО УПРАВЛЕНИЯ ДОСТУПА, ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМОСТЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93127 REV A-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, СЕТЬ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО УПРАВЛЕНИЯ ДОСТУПА, ИНВЕРТИРУЮЩИЙ ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • IEEE Std C62.35-1987(R1993) Стандартные спецификации испытаний IEEE для полупроводниковых устройств защиты от перенапряжения с лавинным переходом

ES-UNE, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • UNE-EN 3475-306:2005 Аэрокосмическая серия. Кабели электрические для использования в самолетах. Методы испытаний. Часть 306. Непрерывность проводников (Одобрено AENOR в декабре 2005 г.)

European Committee for Standardization (CEN), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • EN 2591-B5:1993 Аэрокосмическая серия. Элементы электрического и оптического соединения. Методы испытаний. Часть B5. Электрическая непрерывность корпуса (корпуса)
  • HD 404 S1-1980 Методики испытаний усилителей и предусилителей полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
  • EN 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • EN 62374:2007 Полупроводниковые приборы. Испытание на временной пробой диэлектрика (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • HD 404-1980 Методики испытаний усилителей и предусилителей полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
  • EN IEC 60749-18:2019 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
  • EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • EN 62047-15:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 15. Метод испытания прочности соединения между ПДМС и стеклом.
  • EN IEC 60749-15:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 15. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых через отверстия.
  • EN 60749-15:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 15. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых через отверстия.
  • EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.
  • EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • EN 60749-18:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
  • EN 62047-17:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 17. Метод испытания на выпучивание для измерения механических свойств тонких пленок.
  • EN 61620:1999 Изоляционные жидкости Определение коэффициента диэлектрических потерь путем измерения проводимости и емкости Метод испытаний

GOSTR, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • GOST R 57394-2017 Интегральные схемы и полупроводниковые приборы. Методы ускоренных испытаний на безотказность

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • GB/T 17737.101-2018 Коаксиальные кабели связи. Часть 1-101. Методы электрических испытаний. Испытание сопротивления жилы кабеля постоянному току.

PH-BPS, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • PNS IEC 62830-4:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 4. Методы испытаний и оценки гибких пьезоэлектрических устройств для сбора энергии.
  • PNS IEC 62830-6:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 6. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.
  • PNS IEC 60749-28:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 28. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель заряженного устройства (CDM) — уровень устройства.

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • PREN 3475-306-2001 Кабели аэрокосмической серии@ Электрические@ Методы испытаний для использования в самолетах, часть 306: непрерывность проводников (издание P 1)

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • T-32-645-2012 Метод испытаний для установления совместимости объемного сопротивления водоблокирующих компонентов с экструдированными полупроводниковыми экранирующими материалами

工业和信息化部, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • YD/T 3021.1-2016 Методы испытаний электрических характеристик оптических кабелей связи. Часть 1. Электрическая непрерывность металлических компонентов.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • GB/T 4937.18-2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (общая доза).
  • GB/T 4937.15-2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 15. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых через сквозное отверстие.

AENOR, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • UNE-EN 60749-18:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
  • UNE-EN 60749-15:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 15. Устойчивость к температуре пайки для устройств, монтируемых в сквозные отверстия.

BE-NBN, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • NBN-EN 2591-B5-1994 Аэрокосмическая серия. Компоненты фотоэлектрического соединения. метод эксперимента. Часть B5: Непрерывность компонентов, находящихся под напряжением

国家质量监督检验检疫总局, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • SN/T 3480.4-2016 Технические требования к проверке комплектов оборудования для импортной электронной и электротехнической промышленности. Часть 4. Оборудование для упаковки и испытаний полупроводников.

ES-AENOR, Испытание полупроводников при непрерывном включении

  • UNE 21-159-1988 Характеристики и испытания крепежных и соединительных элементов для заземлителей и кабелей воздушных линий высокого напряжения




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.