ZH

EN

ES

новые полупроводниковые материалы

новые полупроводниковые материалы, Всего: 174 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к новые полупроводниковые материалы, являются: Полупроводниковые материалы, Изоляционные жидкости, Испытание металлов, Условия и процедуры испытаний в целом, Режущие инструменты, Механические конструкции электронного оборудования, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Строительные материалы, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Полупроводниковые приборы, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Электронные компоненты в целом, Печатные схемы и платы, Сети передачи и распределения электроэнергии, Словари, Аналитическая химия, Электрические провода и кабели, Керамика, Оптика и оптические измерения, Обработка поверхности и покрытие, Электрические аксессуары.


Group Standards of the People's Republic of China, новые полупроводниковые материалы

  • T/SHDSGY 135-2023 Новая энергетическая технология производства полупроводниковых кремниевых пластин
  • T/CASME 798-2023 Specialized processing tools for semiconductor materials
  • T/CNIA 0143-2022 Сосуды из сверхчистой смолы для анализа следов примесей в полупроводниковых материалах
  • T/CASME 479-2023 Перфорированная выводная рамка для пластиковой малогабаритной упаковки полупроводниковых интегральных схем
  • T/ZJATA 0017-2023 Оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD) для получения полупроводниковых материалов из карбида кремния

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, новые полупроводниковые материалы

  • GB/T 14264-1993 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
  • GB/T 14264-2009 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
  • GB/T 1550-1997 Стандартные методы измерения типа проводимости примесных полупроводниковых материалов
  • GB/T 31469-2015 Смазочно-охлаждающая жидкость для полупроводниковых материалов
  • GB/T 14844-1993 Обозначения полупроводниковых материалов
  • GB/T 7423.2-1987 Радиатор полупроводниковых приборов. Радиатор, экструдированные формы.
  • GB 7423.2-1987 Радиатор профиля полупроводникового устройства
  • GB/T 42529-2023 Требования к оценке влагопроводности и функции дыхания при фазовом изменении новых стеновых материалов
  • GB/T 4298-1984 Метод активационного анализа для определения элементарных примесей в полупроводниковых кремниевых материалах
  • GB/T 14112-2015 Полупроводниковые интегральные схемы. Спецификация на штампованные выводные рамки из пластика DIP.
  • GB/T 14112-1993 Полупроводниковые интегральные схемы Спецификация для штампованных выводных рамок из пластика DIP
  • GB/T 3048.3-1994 Методы испытаний определения электрических свойств электрических кабелей и проводов. Измерение объемного сопротивления полупроводниковых резин и пластмасс.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, новые полупроводниковые материалы

  • GB/T 1550-2018 Методы испытаний типа проводимости примесных полупроводниковых материалов
  • GB/T 14844-2018 Обозначения полупроводниковых материалов
  • GB/T 36646-2018 Оборудование для получения нитридных полупроводниковых материалов методом газофазной эпитаксии гидридов
  • GB/T 37131-2018 Нанотехнологии - метод испытания полупроводникового нанопорошка с использованием спектроскопии диффузного отражения УФ-ВИД.

RO-ASRO, новые полупроводниковые материалы

  • STAS 6360-1974 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ПРИБОРЫ Терминология

HU-MSZT, новые полупроводниковые материалы

  • MSZ 771/5-1979 Механические свойства полупроводниковых материалов

Professional Standard - Electron, новые полупроводниковые материалы

  • SJ/T 11775-2021 Многоканатная пила, используемая для полупроводниковых материалов.
  • SJ/T 10746-1996 Процедуры и правила типовой оценки новых изделий для полупроводниковых интегральных схем
  • SJ/Z 3206.13-1989 Общие правила анализа спектра излучения полупроводниковых материалов
  • SJ/T 11067-1996 Обычно используемая терминология для полупроводниковых фотоэлектрических материалов и пироэлектрических материалов в материалах для обнаружения инфракрасного излучения.
  • SJ 20744-1999 Общие правила спектрального анализа инфракрасного поглощения на концентрацию примесей в полупроводниковых материалах

Indonesia Standards, новые полупроводниковые материалы

  • SNI 19-0429-1989 Руководство по отбору проб жидких и полутвердых материалов

British Standards Institution (BSI), новые полупроводниковые материалы

  • BS IEC 62899-203:2018 Печатная электроника. Материалы. Полупроводниковые чернила
  • BS IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
  • BS EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб
  • BS EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • BS EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Испытание микростолбов на сжатие материалов MEMS
  • BS EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов
  • BS EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод измерения предела формования металлических пленочных материалов
  • BS EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • 21/30428334 DC БС ЕН МЭК 62899-203. Печатная электроника. Часть 203. Материалы. Полупроводниковые чернила
  • BS EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • BS EN 62047-11:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельно стоящих материалов для микроэлектромеханических систем
  • BS EN 62047-12:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур
  • BS EN IEC 60749-39:2022 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов.
  • 20/30425840 DC БС ЕН МЭК 60749-39. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых деталей
  • PD CEN/TR 17603-32-05:2022 Космическая инженерия. Справочник строительных материалов. Новые усовершенствованные материалы, современные металлические материалы, общие аспекты проектирования, передача нагрузки и конструкция соединений.

Professional Standard - Machinery, новые полупроводниковые материалы

  • JB/T 8175-1999 Габаритные размеры экструдированного радиатора для силовых полупроводниковых приборов
  • JB/T 5781-1991 Секционированный радиатор для силовых полупроводниковых приборов. Техническая спецификация

International Electrotechnical Commission (IEC), новые полупроводниковые материалы

  • IEC 62899-203:2018 Печатная электроника. Часть 203. Материалы. Полупроводниковые чернила
  • IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 5. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
  • IEC 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • IEC 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • IEC 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
  • IEC 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения предела формирования металлических пленочных материалов.
  • IEC 60749-39:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • IEC 60749-39:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • IEC 62047-11:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельных материалов для микроэлектромеханических систем.
  • IEC 62047-6:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.

German Institute for Standardization, новые полупроводниковые материалы

  • DIN 50447:1995 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение поверхностного электрического сопротивления полупроводниковых слоев вихретоковым методом.
  • DIN 50445:1992 Испытание материалов для полупроводниковой техники; бесконтактное определение удельного электросопротивления полупроводниковых пластинок вихретоковым методом; однородно легированные полупроводниковые пластины
  • DIN 50441-1:1996 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 1. Толщина и изменение толщины.
  • DIN 50448:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение удельного электросопротивления полуизолирующих полупроводниковых пластинок с помощью емкостного зонда
  • DIN 50439:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; Определение профиля концентрации легирующей примеси монокристаллического полупроводникового материала вольт-емкостным методом и ртутным контактом
  • DIN 50441-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 2. Испытание краевого профиля.
  • DIN EN 62047-2:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006); Немецкая версия EN 62047-2:2006.
  • DIN SPEC 1994:2017-02 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение анионов в слабых кислотах.
  • DIN 50442-1:1981 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; определение структуры поверхности круглых монокристаллических полупроводниковых пластинок; нарезанные и притертые ломтики
  • DIN 50449-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 2. Бор в арсениде галлия.
  • DIN 50454-2:1994 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение плотности дислокационных ямок травления в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 2: Фосфид индия
  • DIN 50454-3:1994 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение плотности дислокационных ямок травления в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 3: Фосфид галлия
  • DIN 50443-1:1988 Испытание материалов для использования в полупроводниковой технике; обнаружение кристаллических дефектов и неоднородностей в монокристаллах кремния методом рентгеновской топографии
  • DIN 50449-1:1997 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 1. Углерод в арсениде галлия.
  • DIN EN 60749-39:2007 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006.
  • DIN EN 60749-39:2007-01 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006 / Примечание: Быть...
  • DIN EN 62047-2:2007-02 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006); Немецкая версия EN 62047-2:2006.
  • DIN EN 62047-10:2012-03 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на микростолбчатое сжатие материалов МЭМС (IEC 62047-10:2011); Немецкая версия EN 62047-10:2011.
  • DIN 50433-2:1976 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; определение ориентации монокристаллов по фигуре оптического отражения
  • DIN EN 62047-18:2014-04 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб (IEC 62047-18:2013); Немецкая версия EN 62047-18:2013
  • DIN 50454-1:2000 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение дислокаций в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 1: Арсенид галлия
  • DIN 50433-3:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение ориентации монокристаллов методом обратного рассеяния Лауэ
  • DIN EN 62047-6:2010-07 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (IEC 62047-6:2009); Немецкая версия EN 62047-6:2010.
  • DIN 50441-4:1999 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 4. Диаметр среза, изменение диаметра, диаметр плоских пластин, длина плоских пластин, глубина плоских пластин.
  • DIN 50441-3:1985 Испытание материалов для полупроводниковой техники; измерение геометрических размеров полупроводниковых пластинок; определение отклонения от плоскостности полированных срезов методом многолучевой интерференции
  • DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV:2020).
  • DIN 50433-1:1976 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; определение ориентации монокристаллов методом рентгеновской дифракции

机械电子工业部, новые полупроводниковые материалы

  • JB 5781-1991 Технические характеристики профильных радиаторов для силовых полупроводниковых приборов

Defense Logistics Agency, новые полупроводниковые материалы

  • DLA MIL-PRF-19500/672-2001 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, ПЛАСТИК, NPN, КРЕМНИЙ, КОММУТАЦИОННЫЙ, ТИП 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
  • DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, пластик, NPN, кремний, переключающий, тип 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
  • DLA MIL-PRF-19500/686 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, пластик, PNP, кремний, переключающий, тип 2N2907AUE1 JAN, JANTX, JANJ
  • DLA MIL-PRF-19500/695 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, пластик, PNP, кремний, переключающий, тип 2N4033UE1 JAN, JANTX, JANJ
  • DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7537, 2N7537A, JAN AND JANTX
  • DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, пластик, N-канальный, кремний, тип 2N7537, 2N7537A, JAN и JANTX
  • DLA MIL-PRF-19500/714-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ГРАНИЦОВАННЫЙ ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX И JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/715-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ГРАНИЦОВАННЫЙ ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX И JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ГРАНИЦОВАННЫЙ ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX И JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, инкапсулированный пластик, N-канальный, кремниевый, тип 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX и JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковый прибор, транзистор, пластик, NPN, кремний, переключающий, тип 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, новые полупроводниковые материалы

  • DB61/T 1250-2019 Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств из материала Sic (карбид кремния)

Association Francaise de Normalisation, новые полупроводниковые материалы

  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний на изгиб тонкопленочных материалов.
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Методы испытаний тонкопленочных материалов на растяжение.
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
  • NF ISO 10677:2011 Техническая керамика - источники УФ-излучения для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
  • XP CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ - определение условий облучения для проверки фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов.
  • NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • NF EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Методы испытаний тонкопленочных материалов на растяжение.
  • NF EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний на изгиб тонкопленочных материалов.
  • NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых в полупроводниковых компонентах.
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.
  • NF ISO 14605:2013 Техническая керамика. Источники света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения.
  • NF EN 62329-3-102:2010 Профили термоусадочные. Часть 3. Требования к размерам профиля, требования к материалам и характеристики совместимости. Лист 102. Профили эластомерные термоусадочные, полужесткие. Требования к...
  • NF EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний на осевую усталость тонкопленочных материалов.
  • NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения отдельных материалов для микроэлектромеханических систем.
  • NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • NF EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
  • NF EN 60684-3-281:2010 Гибкие изоляционные трубки. Часть 3. Технические характеристики отдельных типов кабелепроводов. Лист 281. Полиолефиновые термоусадочные трубки, полупроводниковые.

American Society for Testing and Materials (ASTM), новые полупроводниковые материалы

  • ASTM D3004-02 Стандартные спецификации для экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых, проводниковых и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM D3004-97 Стандартные спецификации для экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых, проводниковых и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM D3004-08(2020) Стандартные спецификации для сшитых и термопластичных экструдированных полупроводниковых, проводниковых и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM D6095-99 Стандартный метод испытаний объемного удельного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM D6095-05 Стандартный метод испытаний объемного удельного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM D6095-06 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM D6095-12 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM D6095-12(2023) Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
  • ASTM B976-11(2015) Стандартные спецификации для композитного провода с алюминиевой матрицей, армированной волокном (AMC), для алюминиевых проводников, армированных композитом (ACCR)
  • ASTM D6095-12(2018) Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов

RU-GOST R, новые полупроводниковые материалы

  • GOST 22622-1977 Полупроводниковые материалы. Понятия и определения

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), новые полупроводниковые материалы

  • JIS C 5630-2:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • JIS C 5630-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • JIS R 1750:2012 Тонкая керамика. Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых при внутреннем освещении.
  • JIS C 5630-6:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.

American National Standards Institute (ANSI), новые полупроводниковые материалы

  • ANSI/ASTM D3004:2008 Спецификация на экструдированные сшитые и термопластичные полупроводниковые, проводниковые и изоляционные экранирующие материалы
  • ANSI/ASTM D6095:2012 Метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), новые полупроводниковые материалы

  • KS C 6520-2021 Компоненты и материалы полупроводникового производства. Измерение характеристик износа с помощью плазмы.
  • KS C 6520-2019 Компоненты и материалы полупроводникового производства. Измерение характеристик износа с помощью плазмы.
  • KS C IEC 60749-39-2006(2021) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • KS C IEC 60749-39-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • KS C IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • KS C IEC 62047-18:2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-22:2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.

Jiangsu Provincial Standard of the People's Republic of China, новые полупроводниковые материалы

  • DB32/T 3378-2018 Спецификация управления лабораторией нового предприятия по производству стеновых материалов

Anhui Provincial Standard of the People's Republic of China, новые полупроводниковые материалы

  • DB34/T 3969-2021 Спецификация управления лабораторией нового предприятия по производству стеновых материалов

Ningxia Provincial Standard of the People's Republic of China, новые полупроводниковые материалы

  • DB64/T 1829.1-2022 «Шесть новых» отраслевых стандартов разработки высокого качества в Нинся, часть 1: новые материалы

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), новые полупроводниковые материалы

  • EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.
  • EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
  • EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
  • EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • EN 62047-12:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.

Lithuanian Standards Office , новые полупроводниковые материалы

  • LST EN 62047-14-2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (IEC 62047-14:2012)
  • LST EN 60749-39-2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006)

Danish Standards Foundation, новые полупроводниковые материалы

  • DS/EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов
  • DS/EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.
  • DS/EN 62047-2:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • DS/EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • DS/EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.

ES-UNE, новые полупроводниковые материалы

  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в марте 2022 г.).
  • UNE-EN 62047-10:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов MEMS (одобрено AENOR в декабре 2011 г.).
  • UNE-EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб (одобрено AENOR в ноябре 2013 г.).
  • UNE-EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)
  • UNE-EN 62047-6:2010 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (одобрено AENOR в июне 2010 г.)
  • UNE-EN 62047-21:2014 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов (одобрен AENOR в ноябре 2014 г.)

KR-KS, новые полупроводниковые материалы

  • KS C IEC 62047-18-2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-22-2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., новые полупроводниковые материалы

  • T-32-645-2012 Метод испытаний для установления совместимости объемного сопротивления водоблокирующих компонентов с экструдированными полупроводниковыми экранирующими материалами

Insulated Cable Engineers Association (ICEA), новые полупроводниковые материалы

  • ICEA T-32-645-2012 МЕТОД ИСПЫТАНИЙ ДЛЯ УСТАНОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНОЙ СОВМЕСТИМОСТИ ВОДОБЛОКИРУЮЩИХ КОМПОНЕНТОВ С ЭКСТРУДИРОВАННЫМИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ЭКРАНИРУЮЩИМИ МАТЕРИАЛАМИ

European Committee for Standardization (CEN), новые полупроводниковые материалы

  • PD CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.

Government Electronic & Information Technology Association, новые полупроводниковые материалы

  • GEIA SSB-1-C-2000 Рекомендации по использованию микросхем и полупроводников в пластиковой капсуле в военной, аэрокосмической и других надежных приложениях

Standard Association of Australia (SAA), новые полупроводниковые материалы

  • AS/NZS 1660.2.3:1998 Методы испытаний электрических кабелей, шнуров и проводников. Изоляция, экструдированные полупроводниковые экраны и неметаллические оболочки. Методы, специфичные для ПВХ и термопластических материалов, не содержащих галогенов.
  • AS/NZS 1660.2.1:1998 Методы испытаний электрических кабелей, шнуров и проводников. Изоляция, экструдированные полупроводниковые экраны и неметаллические оболочки. Методы общего применения.

CO-ICONTEC, новые полупроводниковые материалы





©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.