ZH
EN
ES

Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах, Всего: 109 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах, являются: Полупроводниковые приборы, Разработка программного обеспечения и системная документация, Экологические испытания, Электрические и электронные испытания, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Механические конструкции электронного оборудования, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Полупроводниковые материалы, Материалы для аэрокосмического строительства.

British Standards Institution (BSI), Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

BS EN 60749-6:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Хранение при высокой температуре.
BS EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Хранение при высокой температуре.
BS EN 60749-42:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Хранение температуры и влажности
BS EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
BS EN 60749-23:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Срок службы при высоких температурах.
BS EN 60749-23:2004+A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Срок службы при высоких температурах
BS IEC 62951-9:2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Методы тестирования производительности резистивных ячеек памяти с одним транзистором и одним резистором (1T1R).
BS IEC 62951-8:2023 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания растяжимости, гибкости и стабильности гибкой резистивной памяти.
BS EN 60749-25:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Температурное циклирование.
20/30423207 DC БС ЕН МЭК 62951-9. Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 9. Методы тестирования работоспособности однотранзисторных и одного резистора (1Т1R) резистивных ячеек памяти
BS EN IEC 60749-41:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Стандартные методы проверки надежности устройств энергонезависимой памяти.
BS EN 60749-11:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Быстрое изменение температуры. Метод двухжидкостной ванны.
BS EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
BS EN 60749-5:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Испытание на долговечность при установившейся температуре и влажности.
20/30424984 DC БС ЕН МЭК 62951-8. Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 8. Метод испытания на растяжимость, гибкость и стабильность гибкой резистивной памяти

Danish Standards Foundation, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

DS/EN 60749-6/Corr.1:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
DS/EN 60749-6:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
DS/EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
DS/EN 60749-23/A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
DS/EN 60749-23:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.

Association Francaise de Normalisation, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

NF C96-022-6*NF EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
NF C96-022-6:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
NF EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высоких температурах.
NF C96-022-42*NF EN 60749-42:2015 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Температура и влажность хранения.
NF C96-022-38*NF EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
NF EN 60749-42:2015 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности.
NF EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкую погрешность полупроводниковых приборов с памятью.
NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: глоссарий по тестированию полупроводников и розеткам для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
NF C96-022-23*NF EN 60749-23:2004 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
NF C96-022-23/A1*NF EN 60749-23/A1:2012 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
NF C96-051*NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
NF C96-022-25*NF EN 60749-25:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Температурное циклирование.

AENOR, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

UNE-EN 60749-6:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
UNE-EN 60749-23:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
UNE-EN 60749-23:2005/A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
UNE-EN 60749-25:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Температурное циклирование.

German Institute for Standardization, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

DIN EN 60749-6:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре (IEC 60749-6:2002); Немецкая версия EN 60749-6:2003
DIN EN 60749-6:2017-11 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре (IEC 60749-6:2017); Немецкая версия EN 60749-6:2017 / Примечание: DIN EN 60749-6 (2003-04) остается действительным наряду с этим стандартом до 07 апреля 2020 г.
DIN EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие ошибки для полупроводниковых приборов с памятью (IEC 60749-38:2008); Немецкая версия EN 60749-38:2008.
DIN EN 60749-42:2015-05 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности (IEC 60749-42:2014); Немецкая версия EN 60749-42:2014
DIN EN 60749-38:2008-10 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкую ошибку для полупроводниковых приборов с памятью (IEC 60749-38:2008)
DIN EN 60749-42:2015 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности (IEC 60749-42:2014); Немецкая версия EN 60749-42:2014
DIN EN 60749-23:2011-07 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах (IEC 60749-23:2004 + A1:2011); Немецкая версия EN 60749-23:2004 + A1:2011 / Примечание: DIN EN 60749-23 (2004-10) остается действительным наряду с этим стандартом до...
DIN EN 62373:2007 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
DIN EN 60749-25:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Циклическое изменение температуры (IEC 60749-25:2003); Немецкая версия EN 60749-25:2003.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

KS C IEC 60749-6:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
KS C IEC 60749-6:2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
KS C IEC 60749-42:2016 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности.
KS C IEC 60749-42-2016(2021) Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности.
KS C IEC 60749-23:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
KS C IEC 60749-23:2021 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
KS C IEC 60749-23-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.

International Electrotechnical Commission (IEC), Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

IEC 60749-6:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
IEC 60749-6:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
IEC 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
IEC 60749-42:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности.
IEC 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
IEC 62951-8:2023 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 8. Метод испытания на растяжимость, гибкость и стабильность гибкой резистивной памяти.
IEC 62951-9:2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 9. Методы тестирования производительности резистивных ячеек памяти с одним транзистором и одним резистором (1T1R).
IEC 60749-23:2004/AMD1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
IEC 60749-23:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
IEC 60700:1981 Испытание полупроводниковых ламп для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения
IEC 60749-41:2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 41. Стандартные методы испытаний на надежность устройств энергонезависимой памяти.
IEC 60749-23:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.
IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.
IEC 63275-1:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения.
IEC 60749-25:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Температурное циклирование.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
EN 60749-42:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности.
EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
EN 60749-6:2002 Механические и климатические методы испытаний полупроводниковых приборов. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
EN 60749-23:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах (включает поправку A1: 2011 г.)

KR-KS, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

KS C IEC 60749-6-2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
KS C IEC 60749-42-2016 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности.
KS C IEC 60749-23-2021 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

IEEE 660-1986 Язык шаблонов тестирования полупроводниковой памяти
IEEE Std 660-1986 Стандарт IEEE для языка шаблонов тестирования полупроводниковой памяти
IEEE 857-1990 Руководство по процедурам испытаний тиристорных клапанов постоянного тока высокого напряжения

Lithuanian Standards Office , Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

LST EN 60749-6-2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре (IEC 60749-6:2002).
LST EN 60749-38-2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкую ошибку для полупроводниковых приборов с памятью (IEC 60749-38:2008)

PH-BPS, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

PNS IEC 60749-42:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности.
PNS IEC 60749-41:2021 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 41. Стандартные методы испытаний на надежность устройств энергонезависимой памяти.
PNS IEC 62373-1:2021 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

CNS 5547-1988 1
CNS 6118-1988 1
CNS 6126-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (высокая температура для испытания тиристоров напряжением)
CNS 5545-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых устройств, испытание транзистора на обратное смещение при высокой температуре)
CNS 5546-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание обратного смещения полевого транзистора при высокой температуре)
CNS 6125-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (высокая температура для испытания выпрямительных диодов напряжением)
CNS 5070-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (циклическое испытание на температуру)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

GB/T 36477-2018 Полупроводниковая интегральная схема. Методы измерения флэш-памяти.
GB/T 4937.42-2023 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности.
GB/T 4937.23-2023 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 23. Срок службы при высоких температурах.

ES-UNE, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

UNE-EN 60749-42:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности (одобрено AENOR в ноябре 2014 г.)
UNE-EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие ошибки для полупроводниковых приборов с памятью (одобрен AENOR в сентябре 2008 г.).

Defense Logistics Agency, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

DLA SMD-5962-87592 REV B-2000 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, NMOS, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 1K X 4, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ РЕГИСТР СДВИГА/ЗНАЧЕНИЯ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95821-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЙ ПРОГРАММИРУЕМЫЙ КОНТРОЛЛЕР DMA, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 2048 X 8 ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ EEPROM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89935 REV B-2007 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 64K X 4 SRAM С ОТДЕЛЬНЫМ ВВОДОМ/ВЫВОДОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Professional Standard - Ocean, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

HY 21.2-1992 Основной метод экологических испытаний океанографических приборов. Руководство по испытаниям при хранении при высоких и низких температурах.

Professional Standard - Electron, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

SJ/T 10739-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения МОП-памяти с произвольным доступом.
SJ/T 10740-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения биполярных запоминающих устройств с произвольным доступом.
SJ/T 10801-1996 Полупроводниковые интегральные схемы, используемые в качестве интерфейсных схем. Общие принципы методов измерения драйверов магнитной памяти.

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

GJB 5491.14-2005 Метод испытания снаряда с концевым наведением. Часть 14. Хранение при высоких температурах и эксплуатационные испытания.

Group Standards of the People's Republic of China, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

T/IAWBS 009-2019 Испытание установившейся температуры и влажности с высоким напряжением смещения для силовых полупроводниковых приборов

PL-PKN, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

PN-EN IEC 60749-41-2021-04 E Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 41. Стандартные методы испытаний на надежность устройств энергонезависимой памяти (IEC 60749-41:2020)

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Испытание на хранение полупроводников при высоких температурах

GB/T 36474-2018 Полупроводниковая интегральная схема — методы измерения синхронной динамической оперативной памяти с двойной скоростью передачи данных 3 (DDR3 SDRAM).