共找到 210 条与 半金属及半导体材料分析方法 相关的标准,共 14 页
Infrared absorption test method for substituted carbon content in silicon
Determination of Carbon and Oxygen Content in Silicon Single Crystal Low Temperature Fourier Transform Infrared Spectroscopy
Determination of metal impurity content on polysilicon surface by acid leaching-inductively coupled plasma mass spectrometry
本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定,测定范围为镁、镓的含量均不小于1×1016cm-3 ,元素含量(原子个数百分比)不大于1%。 注:氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。
Determination of the content and distribution of trace elements (magnesium, gallium) in aluminum nitride materials—Secondary ion mass spectrometry
本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。 本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定,测定范围为0.001 mg/kg~2 mg/kg。
Method for chemical analysis of metal germanium—Part 3: Determination of trace impurity elements content—Glow discharge mass spectrometry
本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020 cm-3 (0.2%)的硅单晶中氮含量的测定,测定
Determination of nitrogen content in silicon single crystal—Secondary ion mass spectrometry method
本文件描述了氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的离子色谱测定方法。 本文件适用于氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定,测试范围为0.0500mg/g~0.600mg/g。
Determination of fluorine ion and chloride ion in silicon nitride powder—Ion chromatography method
本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。 本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝(Al)、锑(Sb)、砷(As)、硼(B)、镓(Ga)、铟(In)和磷(P)含量的测定,各元素的测定范围(以原子数计)为1.0×1010cm-3 ~4.1×1014cm-3 。
Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013cm-3、氮含量不小于5×1015cm-3,元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。 注1:碳化硅单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子数计。 注2:碳化硅单晶中钒杂质含量的测定可参照本文件进行,测定范围为钒含量不小于1×1013 cm-3 。
Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。 本标准适用于硅单唱抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝.钾、钙.铬.锰.铁、钻、锦、铜、锌元素含量的测定,测定范围为 10 cm 一10 cm“。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形 硅片表面痕量金属元素含量的测定。 注: 硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。
Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry
本标准规定了氮化镓材料中镁含量的二次离子质谱测试方法。 本标准适用于氮化镓材料中镁含量的定量分析,测定范围为不小于 5×1014cm-3。 注 :氮化镓材料中的镁含量以每立方厘米中的原子数计。
Test method for magnesium content in gallium nitride materials—Secondary ion mass spectrometry
本标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。 本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试,测试范围为2.5×1 510 cm-3(0.05ppma)~2.5×1018cm-3(50ppma)。 注 :硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子数计。
Test method for the oxygen concentration in silicon materials—Inert gas fusion infrared detection method
GB/T14849 的本部分规定了工业硅中铁含量的测定方法。本部分适用于工业硅中铁含量的测定。测定范围为:0.050%~0.75%。
Methods for chemical analysis of silicon metal—Part 1:Determination of iron content
GB/T14849 的本部分规定了工业硅中钙含量的测定方法。本部分适用于工业硅中钙含量的测定,测定范围为:0.0050%~0.55%。
Methods for chemical analysis of silicon metal—Part 3:Determination of calcium content
Test method for chloride content of silicon—Ion chromatography method
Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting method under controlled atmosphere
Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon—Inductively coupled-plasma mass spectrometry method
Methods for chemical analysis of germanium metal—Part 1:Determination of arsenic content—Arsenic stain method
Methods for chemical analysis of germanium metal—Part 2:Determination of aluminium,iron,copper,nickle,lead,cadmium, magnesium,cobalt,indium,zinc content—Inductively coupled plasma mass spectrometry method
Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
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