α-Si3N4 单晶纳米线的Fourier 变换红外光谱和Raman 光谱分析

摘 要：将单晶硅片在流动的氨气和氮气混合气体中加热到1 250 ℃，不用催化剂，实现了大量高纯度单晶Si3N4 纳米线的生长。用X 射线衍射方法分析了所制备Si3N4 纳米线的相结构，用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察了其微观形貌。Si3N4 纳米线生长机理为气–固机制。Fourier 变换红外光谱与Raman 光谱分析表明：产物的吸收与振动模式呈现了典型的α-Si3N4 的特征；与α-Si3N4 块体材料相比，部分峰位发生了蓝移，也有几个峰位发生了少许的红移，这是α-Si3N4 纳米材料小尺寸效应与表面效应的综合体现。