仪器简介：
基于微波和三维(3D)EM模拟技术，AET公司开发出高精度测量的“微波电介质测试器”。

技术参数：
独特的测量手段(专利号：2002-204144)
特征
 使用开放式同轴共鸣器的消逝模型测量
 简单、无损、精确测量。开放式共鸣器方便放置样品，以及可进行快速、精确的介电常数测量
 测量稳定。采用真空附件，实现样品和探针间的稳固接触

技术参数(临时图)
 频率：非连续性频率范围为2至20GHz
 测量范围：介电常数为1~15
tan为0.001~0.1
 测量精确性
介电常数为1%
tan为5%

主要特点：
当今，精确知道材料的电学特性，是宽带通讯技术中高效率器件和系统成功发展的关键。到目前为止，对于传统的介电测量，往往需要昂贵的设备，且具有丰富的微波知识和有经验的操作。日本AET公司开发的微波介电测试器无需昂贵的设备。使用开放式同轴共鸣器的消逝模型，可对不同形状，包括薄膜的介电材料进行快速和无损测量。使用简易的逐步操作、内置的反馈振荡器电路可实现精确的测量。结合高Q腔、高精确的测量算法及3D电磁模拟软件“MW-StudioTM”*，保证测量结果的精确性。
*MW-Studio是一种3D电磁场模拟软件，由德国CST公司提供。

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途