仪器简介: 真空热压炉介绍: 本电炉主要供大专院校、科研单位针对无机材料在真空(或保护气氛)热压条件下进行烧结处理,以便获得高致密度的产品。 技术参数: 型号......
仪器简介: 真空钼丝炉简介: 该真空钼丝炉是周期作业式的立式真空电阻炉,适用于各种金属材料及其合金、非金属材料在高真空中进行退火、回火,亦可作为烧结、除气之用......
仪器简介: 真空碳管炉介绍 真空碳管炉用石墨作发热体的高温真空电阻炉,额定温度为2000℃。可供金属、难熔化合物及陶瓷材料等在真空或保护气氛中加热之用。 技术......
仪器简介: 炉门口安装有水冷系统,气体经过流量计后由后膛进入,并有多处洗炉膛进气口,出气口处有燃烧嘴,可以通氢气、氩气、氮气、氧气、一氧化碳等气体,能抽真空,......
仪器简介: HMX系列气氛炉广泛应用于实验室、工矿企业、科研单位的前期实验,还原气氛、惰性气氛、氢氮混合气氛等多种类型,额定温度分别为1100℃......
仪器简介: 炉门口安装有水冷系统,气体经过流量计后由后膛进入,并有多处洗炉膛进气口,出气口处有燃烧嘴,可以通氢气、氩气、氮气、氧气、一氧化碳等气体,能抽真空,......
仪器简介: 一、真空高温炉应用领域 该真空高温炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,真......
仪器简介: 这款井式炉以1800型硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,井式炉炉膛采用德国进口氧化铝多晶体纤维材料,双......
仪器简介: 本款井式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,井式炉炉膛采用1800型氧化铝多晶体纤维材料,双......
仪器简介: 本款井式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,井式炉炉膛采用1600型氧化铝多晶体纤维材料,双......
仪器简介: 这款高温炉以1800型硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风......
仪器简介: 本款高温炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,高温炉炉膛采用1800型氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间......
仪器简介: 本款箱式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用1600型氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳......
仪器简介: 本款高温炉以电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,该炉具有温......
仪器简介: 这款管式炉以1800型硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,管式炉炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,管式炉双层......
仪器简介: 本款管式炉以1800型硅钼为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,管式炉炉膛采用1800型氧化铝多晶体纤维材料,双......
仪器简介: 这款管式炉以硅碳为加热元件,采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用1600型氧化铝多晶体纤维材料,管式炉双层......
仪器简介: 本款管式炉产品以电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,管式炉炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,分为上下两个半圆......
仪器简介: 气氛炉以1800型硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用1800型氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间......
仪器简介: 气氛炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速......