原子层沉积系统(ALD&PEALD)

仪器简介：

原子层淀积(ALD)技术正逐渐成为了微电子器件制造领域的必须.多年来，原子层淀积技术的应用范围涉及从液晶显示面板(LCD panel)到工业涂 层等多种领域，目前，该技术正被开拓到先进微电子制造工艺中，例如制备用于晶体管 栅堆垛及电容器中的高k介质和金属薄膜、铜阻挡/籽晶膜、刻蚀终止层、多种间隙层和 薄膜扩散阻挡层、磁头以及非挥发存储器等。 ALD相比传统的MOCVD和PVD等淀积工艺具有先天的优势。它充分利用表面饱和反应
（surface saturation reactions），天生具备厚度控制和高度的稳定性能，对温度和 反应物通量的变化不太敏感。这样得到的薄膜既具有高纯度又具有高密度，既平整又具 有高度的保型性，即使对于纵宽比高达 100:1 的结构也可实现良好的阶梯覆盖。ALD也 顺应工业界向更低的热预算发展的趋势，多数工艺都可以在 400 摄氏度以下进行，而传统的化学气相淀积工艺要在 500 摄氏度以上完成。 
ALD 技术的独特性决定了其在半导体工业中的运用前景十分广泛。器件尺寸的缩小导致 的介质薄膜厚度的减小已超出了其物理和电学极限，同时高纵宽比在器件结构中随处可 见。由于传统的淀积技术很难满足需求，ALD 技术已充分显示了其优势，为器件尺寸的
继续微缩提供了更加广阔的空间。

技术参数：

样品尺寸：
样品尺寸根据客户需要，可定制

温度范围：


前驱体源：
可选

控制：
Delphi-PC

多选;臭氧发生器 ，可增至多个前驱体源，液体注射系统。
 

主要特点：

• ALD可获得多种高-K电解质膜均匀的厚度及100%一体的步进覆盖

• 先进的流程系统，小容量腔体适用于短循环次数

• 机体尺寸

•一体化的集成流程模组

• 通过 Delphi software 可实现简易的流程控制

•zei小化的气体供应线

*** 可提供单片或多片沉积

应用：

1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；
3) 光伏行业 (钝化AL2O3)；目前与国内多家大型光伏企业均有合作。
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5) 纳米结构 (All ALD Material)；
6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；
7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；
9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2);
11) OLED密封层 (Al2O3);
12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；
14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2);
。。。。。。
 
益处：

• R&D,及小批量研发应用.

• 价位经济

• 可增加各种多选系统

-可提供太阳能电池批量ＡＬ２Ｏ３镀层ＡＬＤ，1～4000 Wafers／次

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