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合肥科晶材料技术有限公司
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | 4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型 |
| 品牌： | 合肥科晶 | 产地： | 安徽 |
| 关注度： | 18 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 供应商性质 | 生产商 | 产地类别 | 国产 |
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产品名称： | 4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型（4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type) |
常规尺寸： | dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm |
技术参数： | 4H-SiC薄膜晶向：<0001> 4H-SiC薄膜厚度（film target thickness)：4.3um ±10% 4H-SiC薄膜厚度（film target doping layer) ：1.4E17/cc +0% /- 30% 载流子浓度：(3~ 10)E16 /cc 导电类型：P型 抛光情况：双面抛光 4H-SiC基片晶向:<0001>miscut 8.0 +/- 0.5 degree,parallel（10-10）；OF length: 15.9 +/- 1.7 mm 4H-SiC基片尺寸： dia 2 inch x330±25unIF orientation :90 degree cw. from OF +/- 5 degreeIF length:8.0 +/- 1.7 mm 4H-SiC基片电阻率:< 0.03 ohm-cm 4H-SiC抛光：Si面CMP单抛边缘排除：1mm
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标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装 |
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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
