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合肥科晶材料技术有限公司
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | 氮化镓(GaN)薄膜 |
| 品牌： | 合肥科晶 | 产地： | 安徽 |
| 关注度： | 26 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 供应商性质 | 生产商 | 产地类别 | 国产 |
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产品名称： | 氮化镓(GaN)薄膜 |
| 产品简介： | 氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。
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技术参数：
| 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。 产品定位C轴<0001>±1° 传导类型N型；半绝缘型；P型 电阻率R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>106 Ohm-cm 位错密度<1x108 Cm-2 表面处理(镓面)AS Grown 有效值<1nm 可用表面积>90% |
标准包装： | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
