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Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜

参考报价: 面议 型号: Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜
品牌: 合肥科晶 产地: 安徽
关注度: 7 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
供应商性质生产商产地类别国产
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产品名称:

Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜?P型掺Mg

(Al0.1GaN0.9?epitaxial?template?on?Sapphire??P?type?)

常规尺寸:

dia2"+ 200nm ±20nm

标准包装:

 

技术参数:

1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装

 

Al2O3晶向:

c-axis (0001) +/- 1.0 o

导电类型:

P型掺Mg

薄膜厚度:

200nm ±20nm;产品级;

正面情况(front surface finish Ga face ):

As-grown

反面情况Back Surface Finish Sapphire ):

as-received finish

可用区域:

>90% ;Edge Exclusion Area 1mm

数据图:

详细数据图请点击


Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜信息由合肥科晶材料技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于 Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。

注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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