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工商注册信息已核实!参考报价: | 面议 | 型号: | FIB:ZERO |
品牌: | zeroK NanoTech | 产地: | 美国 |
关注度: | 暂无 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 |
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加工损伤范围对比SRIM(The Stop and Range of Ions in Matter)模拟离子束在加工硅的过程中对材料的影响范围,图从左至右分别为Ne+10KV,Ga+30KV,Cs+10KV。
从图可以看出,Cs+离子源对被加工材料的损伤范围小。
成像效果对比景深成像对比
左图为Ga+离子源FIB系统对120μm高的样品成像结果,右图为ZeroKNanotechFIB:ZERO对同一样品的成像结果。
成像对比度比较
左图为Ga+离子源FIB对GaAs/AlGaAs/GaAs层状结构的成像结果,右图为ZeroKNanotechFIB:ZERO对同一样品的成像结果。
成像清晰度比较
左图为Ga+离子源FIB系统对芯片横截面的成像结果,右图为ZeroKNanotechFIB:ZERO对同一截面的成像结果。
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1.Steele,A.V.,A.Schwarzkopf,J.J.McClellandandB.Knuffman(2017)."High-brightness Csfocusedionbeamfromacold-atomic-beamionsource." NanoFutures1:015005.
2.Knuffman,B.,A.V.SteeleandJ.J.Mcclelland(2013)."Coldatomicbeamionsourceforfocusedionbeamapplications." JournalofAppliedPhysics114(4):191.
用户单位TU Kaiserslautern
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