电子束曝光系统

纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技                            
术制作中是zei好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供尖端
的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及
CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列zei小线宽可达8nm，zei小束斑直径2nm，套刻
精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

电子束光刻系统/电子束直写系统/电子束曝光系统

1.zei小线宽：小于10nm（8nm available)
2.加速电压：1-50kV
3.电子束直径：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于2nm

1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途