霍尔效应测试系统依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数：载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。

霍尔效应测试系统产品特点

自主知识产权产品。

采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越。

自动控制磁场方向的改变，更加方便准确。

样品装夹方式快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。

产品工业外观采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅赏心悦目而且操作方便。

智能化的用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷。

霍尔效应测试系统技术参数

霍尔效应测试系统测试实例

山东大学钛酸锶陶瓷样品测试结果

太原理工硅化镁样品测试结果

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途