等离子体修饰系统

等离子体修饰系统，利用卓聚自创的三温区管式炉，通过氧气辅助化学气相沉积技术，在蓝宝石衬底上外延生长了大尺寸、高质量的单层二硫化钼薄膜。在生长过程中引入氧气，不仅能够有效的阻止三氧化钼源中毒，降低形核密度，而且还能减小硫空位密度，从而实现了大尺寸单晶单层二硫化钼的生长。

等离子体修饰系统，利用卓聚自创的三温区管式炉，通过氧气辅助化学气相沉积技术，在蓝宝石衬底上外延生长了大尺寸、高质量的单层二硫化钼薄膜。在生长过程中引入氧气，不仅能够有效的阻止三氧化钼源中毒，降低形核密度，而且还能减小硫空位密度，从而实现了大尺寸单晶单层二硫化钼的生长。

利用等离子体修饰系统，在自限生长的前提下，目前已实现了两英寸晶圆级高质量单层二硫化钼的外延生长（100%覆盖度，成膜均匀），并通过改进转移设备，实现了晶圆级薄膜的零污染且衬底无损转移。单层二硫化钼薄膜均匀覆盖在整个蓝宝石衬底上，而且没有缝隙，没有重叠层。 薄膜由晶粒尺寸为 1 微米，相对取向为 60 º的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 º晶界。

等离子体修饰系统产品优势

1、有效避免固态源中毒；

2、成膜均匀性好；

3、成膜面积大；

4、快速、生长速度可控。

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途