原子层沉积系统ALD

全自动进样设计，可容纳8英寸基片。优化的辐射加热系统，使温度均匀性高达99%，气流优化设计结合前驱体瓶加热，管路加热，不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性＜±1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现微纳深孔内部的均匀沉积，是先进电池材料、催化剂材料、半导体器件研究与应用的最佳仪器。

技术参数

• 腔室真空度：≤ 5 Pa

• 真空系统：抽速14L/S，从大气抽至5Pa，≤15分钟

• 衬底尺寸：8英寸晶圆/8英寸直径内，厚度20mm的基体

• 衬底温度 ：室温-400℃

• 控制精度：±1℃

• 前驱体输送系统 ：4路独立管线

• Al₂O₃沉积速率:0.26nm/cy

• 镀膜均匀性 ：不均匀性优于±1%

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途