无掩模板紫外光刻机 TTT-07-UV Litho-ACA

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精信立光刻机, 最小分辨率可达1 μm（光刻镜头B），高性能无铁芯直线驱动电机保证了极佳的套刻精度和最大6英寸的图形拼接......

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技术特点

【技术特点】-- 无掩模板紫外光刻机 TTT-07-UV Litho-ACA

产品简介

当代集成电路的发展进程中，紫外光刻技术起着不可替代的作用。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。

常规光刻机需要定制光学掩模板，不但价格高，且灵活性差。任何设计上的变动，都需要重新制造掩模板。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但由于是逐行扫描，曝光效率较低。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。

TTT-07-UV Litho-ACA无掩模板紫外光刻机最小分辨率可达1 μm（光刻镜头B），高性能无铁芯直线驱动电机保证了极佳的套刻精度和最大6英寸的图形拼接，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩模板设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为二维材料、电输运测试，光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。

系统结构图

TTT-07-UV Litho-ACA的光刻实例

产品亮点

1、高精度、真紫外曝光

2、光刻图案设计灵活

3、所见即所得的精准套刻

4、超大面积拼接

5、灰度曝光

6、高稳定性，操作便捷

系统升级选项

1、激光光源

2、主动隔振平台

3、三维重构观测

4、手套箱内集成

关键技术指标（TTT-07-UV Litho-ACA）

曝光机基础参数	曝光光源	405nm LED
曝光机基础参数	数字掩模板分辨率	1920×1080像素
光刻参数	观测镜头	大范围样品观测2.6 mm×1.7 mm
	光刻镜头A	1.5 μm（确保值），0.4 mm×0.4 mm，20 mm²/min（50%占空比）
	光刻镜头B	1 μm（确保值），0.16 mm×0.16 mm，3 mm²/min（50%占空比）
显微观测参数	照明光源	强光LED
	相机	大靶面工业相机，实时图像采集
	尺寸测量	线宽测量
套刻参数	精准套刻	单画幅套刻精度：350nm（指引光）全画幅套刻精度：500nm（全局畸变矫正算法）
套刻参数	套刻指引	520 nm/620 nm，实时虚拟曝光投影，实现所见即所得
运动台参数	电动位移台	类型：高性能无铁芯直线驱动电机行程：150 mm 步进精度：50 nm（直线光栅尺精度）双向重复定位精度：±100 nm
	自动对焦模组	机器视觉智能主动对焦功能支持样品厚度：0-15 mm（运动台行程20 mm）定位精度：50 nm
	旋转位移台	类型：手动行程：细调范围±5°，粗调范围320°
	电动物镜切换线轨	支持三个物镜的快速切换（<200 ms）重复定位精度优于300 nm
基片参数	支持基片尺寸	3 mm×3 mm（最小），150 mm×150 mm（最大）
其他参数	软件	全自动光刻控制软件集成深度定制的矢量图转像素图软件
	设备尺寸	设备主体：79 cm（长）×70 cm（宽）×68 cm（高）机柜：60 cm（长）×80 cm（宽）×100 cm（高）
	设备重量	200 kg
	设备外壳	UV防护外壳
	附属配件	含光学平台，电脑，无线键鼠，真空泵
	环境控制	机体内除湿装置