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专为4D STEM设计的混合像素探测器 DECTRIS ARINA

tel: 400-6699-117 1000

DECTRIS电镜附件及外设, 专门为4D STEM应用开发,适合于停留时间低于10 μs的广泛 4D STEM应用,包括从晶相 和取向分布分析到层叠成......

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技术特点
【技术特点】-- 专为4D STEM设计的混合像素探测器 DECTRIS ARINA

       DECTRIS ARINA®可伸缩电子计数探测器是专门为4D STEM应用开发的。它采用了一个全新的专有集成电路设计(ASIC),结合高达每秒12万帧的理想速度、高动态范围和无噪音的读出能力,从而使高质量的数据采集达到传统STEM探测的原生速度。得益于DECTRIS的混合像素技术,ARINA可以采用不同的传感器材料,并能在30-300 KeV的整个能量范围内都有理想表现。它拥有结构紧凑的设计和一个20 mm乘20 mm或192像素乘192像素的有效区域。 DECTRIS ARINA 适合于停留时间低于10 μs的广泛 4D STEM应用,包括从晶相 和取向分布分析到层叠成像技术,以及使用虚拟探测器进行灵活的 STEM 图像重建。


技术规格

帧频(max)

120,000 Hz

计数率(max)

10^⁸ el/s/pixel

像素数

192 x 192

像素大小

100 x 100 µm²

传感器材料

硅 (Si) 或CdZnTe

能量范围

30 - 300 keV

探测器安装

可伸缩

DECTRIS ARINA® 可伸缩电子计数检测器专为 4D STEM 应用而开发。它采用新的ASIC,将高达每秒120,000帧的极速与高动态范围和无噪声读数相结合,从而能够以传统STEM测量的原始速度进行高质量的数据采集。得益于DECTRIS的混合像素技术,ARINA可以使用不同的传感器材料,并在30-300 keV的整个能量范围内发挥最佳性能。

DECTRIS ARINA 适用于停留时间低于 4 μs 的广泛 10D STEM 应用,从晶相和取向映射到层析,包括使用虚拟探测器进行灵活的 STEM 图像重建。

  • 快速而灵敏:即使在 120 kHz 的帧速率下,DECTRIS ARINA 也可以计算每个电子,最高可达 10 pA/像素。

  • 灵活:DECTRIS ARINA 采用硅 (Si) 或高阻传感器材料,涵盖从 30 到 300 keV 的广泛能量范围。

  • 赋能:我们由志同道合的科学家和工程师组成的团队随时为您提供帮助,帮助您充分利用您的设置。

探测器规格*

像素数(宽 x 高)

约192 x 192

有效区域(宽 x 高)

[

平方毫米

]

约20 x 20

像素尺寸(宽 x 高)

[

微米²

]

约100 x 100

传感器材料

硅 (Si) 或高阻

能量范围

[

凯文

]

30 - 300

帧速率(最大)

[

赫兹

]

120,000

计数率(最大)

[

el/s/像素

]

108

检测量子效率,DQE(0)

在 80 keV 时 - 0.82 |在 200 keV 时 - 0.75 |在 300 keV 时 - 0.75

探测器安装

伸缩自如的

*所有规格如有更改,恕不另行通知。
所有技术文档均可在此处获得。

联系我们以获取更多信息!



【技术特点对用户带来的好处】-- 专为4D STEM设计的混合像素探测器 DECTRIS ARINA


【典型应用举例】-- 专为4D STEM设计的混合像素探测器 DECTRIS ARINA


厂家资料

地址:上海市虹桥商务区泰虹路268弄2号708室(万科时一区T4)

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