Hall霍尔效应测试仪VDP 6800

技术参数：

磁场强度：0.65T/1T; 
常温和液氮温度(77K)下测量; 
输出电流：2nA-100mA; 
迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 
阻抗(Ohms.cm):10-6 to 107 
载流子浓度(cm-3):107 - 1021 
样品夹具： 
VDP6800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 
测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 
仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm 
仪器重量：6kg

磁场强度：0.65T; 

常温和液氮温度(77K)下测量; 

输出电流：100nA-100mA; 

迁移率(cm2/Volt-sec): 1~107

电阻率(Ohms.cm):  10-5 to 107 

载流子浓度(cm-3):  107~1021 (cm-3)

样品夹具： VDP6800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；

测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)