产品名称: | 锑化镓(GaSb)晶体基片 |
产品简介: | |
技术参数: | 单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度cm-31-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x1017 1-5x1016位错密度cm-2<103生长方法及最大尺寸LEC ? 3“ |
产品规格: | 标准尺寸:<100>, dia2“x0.5mm, 单抛, ?3“x 0.5mm. 表面粗糙度Ra:<15A 可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 |
标准包装: | 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 |
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