技术特点
【技术特点】-- 砷化铟(InAs)晶体基片
产品名称： | 砷化铟（InAs）晶体 |
产品简介： | |
技术参数： | 晶体结构：立方 a =5.4505 ?生长方法:CZ导电类型：N型掺杂类型：不掺杂载流子浓度：2 ~ 5E16 / cm3 迁移率：>18500cm2/V.S
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常规尺寸： | 常规晶向：<100>、<111>； 常规尺寸：10x10x0.5mm; dia2″x0.5mm;抛光情况：单抛或双抛; 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 |
备注： | 1000级超净室100级超净袋 |
【技术特点对用户带来的好处】-- 砷化铟(InAs)晶体基片
【典型应用举例】-- 砷化铟(InAs)晶体基片
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