技术指标：
| 分辨率 | 3nm@30KV（SE，高真空）； 6nm@30KV（BSE，高、低真空） | 放大倍率 | 8～300000 倍 |
| 电子枪 | 翻开式预对中钨丝阴极 | 加速电压 | 0～30kV连续可调，0-10kV步进量为100V，10kV以上步进量为1kV |
| 中英文菜单 | 具有一键切换功能 | 低真空模式 | 10~270Pa，真空切换时间小于90秒 |
| 样品台 | 四轴自动样品台 | 中英文菜单；具有一键切换功能 |
电子光学镜筒部分： 800×800×1850(mm)
电器柜控制部分： 1340×850×740(mm)
选配件：EBL、高低温台、纳米操作台、拉伸台
选配探测器：EBSD、EDS、CL
项目 | EM6900LV | |
分辨率 | 3.0nm (30KV)；10nm(30kV); 4.0nm(30kV)低真空背散射电子分辨率 | |
放大倍数 | 5x ~ 300,000x | |
电子枪类型 | K型预对中钨灯丝阴极 | |
加速电压 | 0 ~ 30kV，连续步进可调（0kV-10kV,100V步进；10kV-30kV,1kV 步进） | |
| 透镜系统 | 三级电磁透镜（锥形物镜） | |
| 物镜光阑 | 三个光阑可在真空外选择调节 | |
| 可变真空 | 10Pa-650Pa (10Pa-270Pa无需安装压差光阑) | |
| 换样抽真空时间 | 不大于3分钟 | |
样品台 | 五轴优中心全自动马达样品台 | |
样品台行程 | X:0-150mm；Y:0-150mm；Z:0-60mm；R：360° 连续；T:-5°~+75° | |
样品室尺寸 | 340mm（长）320mm（宽）320mm（高） | |
| 最大样品 | 直径≤240mm,高度≤75mm,重量≤5kg | |
| 探测器 | E-T二次电子探测器，背散射探测器，样品室红外照明CCD，能谱仪 | |
能谱仪 | 分辨率 | 优于127eV |
| 分析范围 | Be（4）-Pu（94） | |
| 探测器 | SDD硅漂移探测器，帕尔贴半导体电制冷，无需液氮 |
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