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GSL-CKJS-560-B2磁控溅射

tel: 400-6699-117 7739

沈阳科晶其他, 高真空溅射可用于金属、半导体、绝缘体等多种新型薄膜材料的制备,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。

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技术参数

1、主溅射室尺寸:?560×355mm梨形真空室

2、主溅射室真空度:5×10-6Pa

3、进样室尺寸: ?255×430mm

4、进样室真空度:5×10-4Pa

5、永磁靶5套,靶材尺寸φ2″,各靶射频与直流溅射兼容(其中1个靶可溅射铁磁材料)

6、公转样品台6个工位,5个水冷工位,1个加热工位,加热工位最高温度 600℃±1℃

7、样品尺寸:φ1″,可放置6片

8、基片可加-200V负偏压

9、进样室可一次性安装6片样品,可对被镀样品进行退火处理,退火温度 800℃±1℃

10、进样室可对基片进行反溅清洗

11、进样室和主溅射室之间通过磁力样品机构进行样品传递




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