探测器面阵规格
性能描述 | |
器件类型 | InGaAs PIN |
阵列规模 | 320x 256 |
像元大小 | 30μm x 30μm |
光敏面大小 | 9.6mm x 7.68m |
光窗 | 石英光窗 |
制冷器 | 内置一级TEC制冷器 |
主要性能指标(Tc=223°C )
特性参数 | 参数指标 |
工作波长 | 0.9~1.7μm/0.4~1.7 μm |
有效像元率 | ≥99%[1] |
峰值探测率 | ≥5E+12 cm.Hz1/2/W |
信噪比 | ≥65db(高增益) |
输出帧频 | ≤25Hz[2] |
曝光时间 | 50us~500ms[3] |
[1]有效像元响应输出为平均像元响应输出50% ~ 150%。
[2]当曝光时间≤40ms时,输出帧频=25Hz;当曝光时间≥40ms时,输出帧频=1/曝光时间。
[3]当相机设定为手动增益时,才可调节曝光时间。
绝对最大额定值
参数 | 额定值 | 单位 |
工作温度范围Tc | -20 ~+50 | °C |
贮存温度范围TSTG | -35 ~+65 | °C |
最大功耗P | 6 | W |
静电放电敏感度ESD | 1000~2000 | V |
质量可靠性保证
● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。
封装外形结构与尺寸(单位: mm )
相机接口
●光学接口: C-Mount
●电源输入: +12V
●电源输入接口类型: GX16-2
●数据输出类型: USB
●数据输出接口类型: USB-B
●外触发接口: SMA
接口编号 | 功能 |
1 | GX16-2:电源输入 |
2 | SMA:外同步信号输入 |
3 | USB-B:数据输出 |
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