技术特点
【技术特点】-- 连续式四探针片电阻及光学膜厚测量设备
连续式四探针片电阻及光学膜厚测量设备设计, 片电阻不受针尖距离影响多种型号以供选择:
自动上下片(Cassette to cassette, C2C)
室温至100°C 的测量(更高可选)
可添加并整合于多腔式的集束型架构设备(cluster tool)
亦可在连续式设备内加入四探针片电阻及光学膜厚测量, 适合薄膜太阳能(铜铟镓硒, CIGS)及平板显示行业
基材尺寸:
450mm晶圆 (样品台旋转)
370 x 470mm 长方形基底 (XY样品台)
连续式设备可以度身订做, 没有尺寸限制
片电阻测量适合金属薄膜、铜铟镓硒、非晶硅(硅)、碲化镉、钼、透明导电薄膜(AlZnO2)、掺杂之后的硅(硅)、硅锗及锗
0.1 – 100,000 单位面积奥姆值 (更高可选)
可整合于连续式(INLINE)的生产线内, 而收集的测量数据可自动送到SCADA系统
光学膜厚测量功能可选
测量光斑<1mm
波长: 380-1050nm
可测量膜厚: 15-50nm, 多可达250nm
短时间重复性: ~0.1nm
长时间重复性:: ~0.1nm
【技术特点对用户带来的好处】-- 连续式四探针片电阻及光学膜厚测量设备
【典型应用举例】-- 连续式四探针片电阻及光学膜厚测量设备
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经销商
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