最近，课题组又自主开发了一种自组装工艺，仅仅采用一个掩膜版，一次磁控溅射就在双电层栅介质上沉积了ITO沟道、ITO源/漏电极，完成了晶体管制作【IEEE Electron Device Letters. 31, 1137 (2010)】。另外，课题组该还用单根SnO2纳米线作为晶体管沟道，成功研制了超低压、全透明纳米线双电层晶体管【Journal of Materials Chemistry, 20, 8010 (2010)】。
上述基于氧化物半导体的超低压双电层晶体管在低成本、便携式传感、显示器件领域具有广泛的应用价值。
