PlasmaQuant® MS分析芯片制造过程中清洗液中的磷
在半导体行业需要应用ICP-MS监测芯片制造过程中的清洗液中磷的含量。磷的质荷比为31，会受到N15O16、Si28H1、N14O16H1等多原子离子的干扰，以至于背景信号特别高，检出限难以满足要求。故本实验采用冷焰条件，通过P31O16测试某芯片制造广生产过程中的清洗液。检出限低至0.037ug/L，同时对比了热焰情况下、ICPMS的测试结果及ICP-OES的测试结果，结果表明，三者结果相近。
挑战
通过P31O16测试P，避免N15O16、Si28H1、N14O16H1的干扰，获得更低检出限。
基体
1%HNO3
目的
检测低含量P
样品和试剂
表 1 校准曲线
仪器方法
表2 PQMS配置参数
结果
表3 测试结果
表4 标准曲线及LOD
讨论
本实验采用冷焰条件，通过P31O16测试某芯片制造广生产过程中的清洗液。线性相关系数0.999879，检出限低至0.0374ug/L。同时对比了冷焰条件、热焰条件下ICPMS的测试结果及ICP-OES的测试结果，结果表明，三者结果相近，充分证明了采用冷焰条件，通过测试P31O16测试样品中的P是一种可靠的方法。
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