电子束蒸发和热蒸发相比，好在哪里
电子束蒸发是基于钨丝的蒸发.大约 5 到 10 kV 的电流通过钨丝(位于沉积区域外以避免污染)并将其加热到发生电子热离子发射的点.使用永磁体或电磁体将电子聚焦并导向蒸发材料(放置在坩埚中).在电子束撞击蒸发丸表面的过程中,其动能转化为热量,释放出高能量(每平方英寸数百万瓦以上).因此,容纳蒸发材料的炉床必须水冷以避免熔化.
电子束蒸发与热蒸发最大的区别在于:电子束蒸发是用一束电子轰击物体,产生高能量进行蒸发, 热蒸发通过加热完成这一过程.与热蒸发相比,电子束蒸发提供了高能量;但将薄膜的厚度控制在 5nm 量级将是困难的.在这种情况下,带有厚度监控器的良好热蒸发器将更合适.
与热蒸发相比,电子束蒸发具有许多优点
电子束蒸发可以将材料加热到比热蒸发更高的温度.这允许高温材料和难熔金属(例如钨、钽或石墨)的非常高的沉积速率和蒸发.
电子束蒸发可以沉积更薄、纯度更高的薄膜.坩埚的水冷将电子束加热严格限制在仅由源材料占据的区域,从而消除了相邻组件的任何不必要的污染.
电子束蒸发源有各种尺寸和配置,包括单腔或多腔.
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