同时，他们与复旦大学等单位合作，系统地研究了BFO外延薄膜的阻变特性与铁电极化的关系，获得了电阻转变受铁电极化控制的实验证据，为设计和开发新型高密度铁电电阻存储器提供了材料和物理基础。由铁电极化控制的电阻转变现象被称为铁电电致电阻，与普通电致电阻的产生机制不同。普通电致电阻行为多数被认为是由于与缺陷相关的导电通道的形成和断开引起，是缺陷控制的非稳态行为;而铁电电致电阻是受铁电极化的两个稳态控制的，具有更好的稳定性，所以铁电电阻存储可以克服普通电阻存储面临的稳定性问题。此外，传统的铁电存储器是利用铁电极化的两个方向表示二进制数据的，极化反转的速度很快，但是读取极化电荷的电压必须要高于骄顽电压，是破坏性读出，需要相应的恢复电路;而利用铁电电阻效应，可以通过电阻大小实现极化方向的读出，是小电压非破坏性读出，不需要恢复电路，可以降低能耗并获得更高的存储密度。相关工作发表在Adv.
Mater. 23, 1277 (2011).