在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关
在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关？
迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关。
迁移率=电荷量乘自由时间×有效质量。
平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间,即外电场下自由加速的时间。
迁移率是单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。载流子的有效质量与材料有关，不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的有效质量为0.5m0（m0是自由电子质量），砷化镓中电子的有效质量为0.07m0。空穴分重空穴和轻空穴，它们具有与电子不同的有效质量。半导体中载流子在低温下主要受到缺陷和杂质的散射，高温下主要受到由原子晶格振动产生的声子的散射。散射越强，迁移率越低。
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