这项实验结果预示，如果把居里温度更高的重Mn掺杂(Ga,Mn)As薄膜材料加工成纳米结构，有可能达到更高的居里温度，并且可以在更高的温度操作基于(Ga,Mn)As的半导体纳米自旋电子器件。

　　该项研究成果发表在《纳米快报》(Nano Letters, Vol. 11, 2584-2589 (2011))。该工作得到了国家自然科学基金委、科技部和中科院的经费支持。