为了制造出该三维光子晶体，科学家们先让一些细小的球簇拥在一起形成一块模板，接着，他们将一种广泛应用于半导体中的材料砷化镓（GaAs）沉积在模板上，让砷化镓通过模板填充球之间的缝隙。

　　砷化镓作为单个晶体开始从下往上生长，这个过程被称作外延生长技术，工业界一般使用该技术来制造平的、二维的单晶体半导体薄膜，但布劳恩团队却对这种技术进行了升级改造，用来制造错综复杂的三维结构。

　　这种自下而上的外延生长技术消除了制造三维光子结构普遍采用的自上而下构造方法可能导致的很多缺陷。另一个好处是，它让制造出层层堆积而成的半导体异质结构变得更方便。例如，可以通过先用砷化镓部分填充该模板，再用另一种材料填满，从而将一个量子势阱层引入光子晶体中。

　　一旦该模板被填满，科学家们就会移除球体，只留下一个复杂多孔的单晶体半导体三维结构，接着，他们用一层非常纤薄的具有更宽频带间隙的半导体包裹住整个结构以改进其性能并阻止表面复合。