他们使用了一种叫做“角分辨光电子能谱”（ARPES）的技术将电子从氧化铜材料中撞击出来。据物理学家组织网12月22日（北京时间）报道，通过绘制这些被“驱逐”的电子的能量和动量的能谱，他们得以了解电子在材料内部的表现。最终，他们通过多种测量发现，在关键的临界温度点，赝能隙和超导性在为争抢电子而相互竞争。

　　斯坦福直线加速器中心的教授托马斯·德弗罗形象地解释说，赝能隙倾向于将那些试图进入超导状态的电子吞进去，电子忙着在赝能隙中跳舞，超导性试图插进来，电子却不让它加塞儿。之后，当材料进入超导状态时，赝能隙就缴械投降，把电子释放出来了。“这是我们获得的关于赝能隙和超导性相互竞争的最强烈证据。”

　　德弗罗说，科学家依然不知道是什么导致赝能隙的出现，这是这一领域最重要的问题之一，因为显然它在阻止超导体在更高的温度下工作。

　　但是科研人员认为这一研究结果为更深入的研究指明了方向。桥本表示，现在他们可以通过理论计算模拟出赝能隙和超导性之间的关系，并通过改变参数来弄明白赝能隙到底是什么。桥本认为，竞争可能仅仅是两者关系的一个方面，还有更多深奥的问题等待破解，比如，赝能隙对于超导性的出现是不是必要的？