微波等离子体亚深微米刻蚀
利用微波电子回旋共振（ECR）可以产生高密度的等离子体，选择不同的活性种粒分别对硅、砷化镓等半导体，Al, Cu, W, Ti 等金属，SiO2, Si3N4, Al2O3等无机物质和聚酰亚胺等有机物质，进行选择性刻蚀，制备大规模集成电路的芯片。现在的刻蚀技术，主要是采用电子束或同步辐射束曝光后，用微波ECR等离子体或ICP等离子体进行亚深微米刻蚀，微波ECR等离子刻蚀精度可以达到纳米级。
利用微波电子回旋共振（ECR）可以产生高密度的等离子体，选择不同的活性种粒分别对硅、砷化镓等半导体，Al, Cu, W, Ti 等金属，SiO2, Si3N4, Al2O3等无机物质和聚酰亚胺等有机物质，进行选择性刻蚀，制备大规模集成电路的芯片。
现在的刻蚀技术，主要是采用电子束或同步辐射束曝光后，用微波ECR等离子体或ICP等离子体，进行亚深微米刻蚀。微波ECR等离子刻蚀精度的可以达到纳米级。
合肥宇正等离子体技术有限公司专业团队研制的微波ECR等离子体反应刻蚀机，早在1999年经中科院等离子体物理研究所、半导体所和北大、清华等专家鉴定，刻蚀指标达到：zui大刻蚀面积：6英寸片，刻蚀线宽小于0.2微米，刻蚀速率为：多晶硅每分钟5000埃（5000A/min），氧化硅每分钟800埃（800A/min），氮化硅每分钟4500埃（4500A/min）。合肥宇正等离子体技术有限公司在此基础上正在开发应用于半导体器件生产的微波等离子装置，如微波ＥＣＲ等离子体反应刻蚀装置、钝化膜制备装置、光刻胶、去胶机等。
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