日研究不怕消磁的存储新材料
日本理化研究所研究人员在28日的美国《物理评论通讯》杂志网络版上发表论文说，他们发现一种人工合成的镉锇氧化物在特定温度下由导体变为非磁性半导体的原因。这种特性使其能够成为不怕消磁的存储新材料。
根据理化研究所日前发表的新闻公报，多数物质在不同温度下其导电性能并不会发生变化，而有些种类的金属氧化物在温度变化时导电性能会发生改变。一种人工合成的镉锇氧化物在室温下拥有良好的导电性能，而被冷却到零下52摄氏度时，它会从导体转变成非磁性半导体。
来自理化研究所、东京大学、神户大学等机构的研究人员尝试利用大型同步辐射加速器SPring-8发出的X射线，观察这种镉锇氧化物中锇原子电子自旋的排列，发现这种氧化物转变为半导体的同时，电子自旋排列出现了两种方向。这种特殊的排列使氧化物整体的磁性消失，而两种自旋方向则可分别代表数据存储所必需的0和1两种状态。
公报指出，迄今的磁存储介质一旦靠近强磁场，存储的数据有被消除的危险。而这种镉锇氧化物由于没有磁性，因而不怕消磁，有望成为新的存储材料。不过，离实际应用还要解决诸多课题，比如如何使这种物质在室温下就能出现电子自旋排列改变，镉和锇的毒性处理等等。
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