上述两台感应耦合等离子体-反应离子刻蚀（ICP-RIE）设备、以及一台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备是专为印度科学院（IISc）纳米电子研究中心（CEN）所要求的多种工艺而配置的，可应用于多晶硅、氧化硅、氮化硅及多种金属等化学材料的刻蚀工艺。除硅刻蚀工艺外，这些设备亦配置了刻蚀速率高、高频大功率晶体管所需的砷化镓和氮化镓刻蚀工艺。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备可增强氮化物沉积，可运用于微机电传感器、或作为惯性传感器结构材料运用于低温多晶硅薄膜。

　　印度科学院（IISc）电子及通讯工程系Navakanta Bhat教授评价："我们之所以选择牛津仪器的设备，是因其设备工艺具有良好的均匀性，且该公司为客户提供一流的支持。牛津仪器员工卓越的技术能力、为客户服务的工作热忱、以及视客户为合作伙伴的服务态度，令我们印象深刻。

　　我们新购的设备在我们国家是仅有的，将安装在纳米科学与工程研究中心 （CeNSE）新建大楼 （90,000平方英尺）中面积14,000平方英尺的无尘室。这一最先进的无尘室将安装一流的设备，以满足研究人员的各种需求，而牛津仪器的设备正好为我们提供了所需的广泛的工艺流程和尖端的技术，使印度科学院（IISc）能够在多领域进行技术前沿研究，包括纳米电子学、微机电系统等，这将有助于我们达成开发可商业化新技术的目标。"