等离子刻蚀机的激光干涉和预报式检测相关介绍
激光干涉
激光干涉终点法（IEP）是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化，当厚度变化停止时，则意味着到达了刻蚀终点。其原理是当激光垂直入射薄膜表面时，在透明薄膜前被反射的光线与穿透该薄膜后被下层材料反射的光线相互干涉。
预报式检测
随着主流半导体工艺技术由0.18 μm 逐渐转移到0.13 μm工艺，以及最新的90 nm 工艺成功研发及投入使用。半导体器件的特征尺寸进一步减小，栅氧层的厚度越来越薄。90 nm工艺中，栅氧层的厚度仅为1.2 nm。如果等离子体刻蚀工艺控制不好， 则非常容易出现栅氧层的损伤；同时， 所使用的晶片尺寸增至300mm， 暴露在等离子体轰击下的被刻蚀面积不断缩小，所检测到的终点信号的强度下降，信号的信噪比降低。所有这些因素都对终点检测技术本身及其测量结果的可靠性提出了更加严格的要求。在0.18 μm工艺时，使用单一的OES检测手段就可满足工艺需求；进入0.13 μm 工艺后，就必须结合使用OES 及IEP 两种检测手段。由于IEP技术可以在刻蚀终点到达之前进行预报，因而被称为预报式终点检测技术
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