图1. (左)石墨烯电子器件SEM照片 (右)石墨烯器件测试结果

　　

石墨烯器件直流特性

　　（二）SiC外延生长石墨烯器件

　　研究小组在SiC外延生长法制备的2英寸晶圆级石墨烯材料上，开发了完整的具有自主知识产权的石墨烯双栅器件工艺流程，实现了晶圆级石墨烯电子器件的大规模制备，如图2(a)所示。测试数据表明，器件整体性能达到GHz以上，最高截止频率达到4.6GHz(图2(b)所示)，器件成品率达到90%以上，成为国内首家公开报道在SiC外延方法生长石墨烯上制备出截止频率达GHz以上的团队。