图3. 采用CVD方法生长石墨烯制备晶圆级器件的图片和测试结果

　　在晶圆级石墨烯材料上制备出电子器件，不同于以往常用的微机械剥离法制备石墨烯上实现单个电子器件，它的实现为今后更深入的研究不同特征尺寸器件性能，为实现石墨烯基集成电路提供了重要的基础，也是石墨烯基电子器件大规模制备的先决条件，具有非常重大的意义。

　　在电子器件研制的过程中，研究小组非常重视自主知识产权的保护，已经申请近20项ZL，并有数篇论文已递交国际顶级科学杂志，极大提升了微电子所在石墨烯电子器件方面的科研实力。研究小组认为，应该把握石墨烯优异的物理特性与硅集成电路相结合，给集成电路带来革命性变革这一重大机遇，突破石墨烯材料和器件发展的关键技术，打造石墨烯从材料到器件的完整科研链条，实现我国半导体产业的发展和跨越。