菊池花样怎么形成的
菊池线 Kikuchi patterns 菊池正士（1902 年 8 月 25 日～1974 年 11 月 12 日，日本核物理学家，他最早(1928 年， 菊池正士 早于 TEM 的发明)发现了电子显微学中出现的菊池花样（Kikuchi patterns），并给出了正确 的理论解释。 kikuchi line 是个体效应，一般要看到它，要求晶体完整并足够厚。它的出现是基于严格 的布拉格反射，所以当转动晶体时，kikuchi line 会一起转动。菊池线对带轴的敏感程度远远 高于衍射斑点，所以需要带轴严格对正（比如照高分辨）时，必须使用菊池线。 拍摄菊池线太简单了：把光聚一聚，找一块儿别太薄的单晶，切换衍射。齐活！ 来自 Web Electron Microscopy Applications Software 的菊池线： 菊池线特征： (1) hkl 菊池线对与中心斑点到 hkl 衍射斑点的连 线正交， 而且菊池线对的间距与上述两个斑点的 距离相等。Rd=Lλ (2) 一般情况下，菊池线对的增强线在衍射斑点 附近，减弱线在透射斑点附近。 (3) hkl 菊池线对的中线对应于(hkl)面与荧光屏的 截线。两条中线的交点称为菊池极，为两晶面所 属晶带轴与荧光屏的交点。 (4) 倾动晶体时，菊池线好象与晶体固定在一起 一样发生明显的移动。精度达 0.1 ° 和高分辨像： 实例： 出现菊池线的条件 a) b) c) 样品晶体比较完整 样品内部缺陷密度较低。 在入射束方向上的厚度比较合适：1/2tc<t<tc 花样随样品厚度增加的变化如下： 斑点 → 斑点 + 菊池线 → 菊池线 菊池线对的几何特征： 菊池线对间距等于相应衍射斑点到中心斑点的距离； 菊池线对的中线可视为是(hkl)晶面与底片的交线； 线对公垂线与相应的斑点坐标矢量平行； 菊池线对在衍射图中的位置对样品晶体的取向非常敏感，详见下图 对称入射，即 B//[uvw]时，线对对称分布于中心斑点两侧； 双光束条件，即 s=0，亮线通过(hkl)斑点，暗线通过中心斑点； S+g>0 时，菊池线对分布于中心斑点的同一侧； S+g<0 时，菊池线对分布于中心斑点的两侧。 在旋转带轴的时候，沿着一个密排方向转动，总可以达到一个低指数带轴。 这是一个大致的转动过程，通过样品台的倾转，可以让晶轴和透射束方向平行，最后达到电 子衍射的效果是各向均一，亮度四周一致。这样才算转正。这种是通过倾转晶体样品使衍射 点到位，也就是我说的倒易球。
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