相对于p-型有机半导体而言，n-型有机半导体还存在迁移率低和稳定性差的缺点，研究人员结合他们自己的研究结果，总结了最近5年n-型半导体在性能和分子设计上的发展，分析了目前阻碍n-型场效应晶体管研究发展的因素，重点从晶体管的结构与组成，分子设计和薄膜生长条件等方面，提出了解决方法以期突破n-型场效应晶体管目前研究的瓶颈。论文以Progress Report的形式发表在Adv. Mater., 2010, 22, 1331-1345上。
功能性有机场效应晶体管将扩展OFET应用领域，有机固体院重点实验室研究人员在这方面做了深入的研究，制备了高性能的有机薄膜，单晶的光晶体管器件以及多比特存储的有机场效应晶体管存储器件（Appl. Phys. Lett., 2009, 94, 143303; Adv. Funct. Mater., 2010, 20, 1019-1024; Adv. Mater., 2009, 21, 1954-1959)。最近，他们应《先进材料》杂志邀请撰写了综述性论文Functional Organic Field-Effect Transistors，并以内封面（图4）的形式发表（Adv. Mater. 2010, 22, 4427-4447）。