这些研究表明：氦离子注入所导致的纳米气泡能够有效地捕获氧原子和硅间隙子，这为今后研究如何制备低缺陷密度的超薄silicon-on-insulator (SOI) 材料提供了重要参考数据。

　　研究结果发表在Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B （269 (2011) 739-744）。

图1 30 keV，3×1016/cm2的氦离子注入单晶硅，退火前(a)和退火后(b)的截面电镜照片。可以清楚地看出退火前样品内部存在高密度的氦泡。