新能源技术的EMI分析设计（二）
如果我们采用的IGBT功率器件开关改变电流的通路，可以测量到续流二极管反向恢复特性有高频振荡环流（本体二极管的反向恢复特性！）如果我们将IGBT采用宽禁带半导体SiC器件就可以改善其反向恢复电流的问题，同时提高效率！
SiC器件体二极管的1200V／10A反向恢复特性如下：反向恢复电流小不到3A；
注意在应用时，SiC的驱动设计和IGBT有相似的设计应用－参考如下：
A．如上图所示使用以Zener diode作为驱动的正负电压的控制方法
B．对于驱动IC而言，其看到的Vcc为0～24V，但对MOSFET而言，其Vgs得到数值由于zener diode的电压差，在Vout输出其负电压为－4V，而Vout输出为正电位位时将会为20V！
C．有的SiC MOS建议以－5～20V的范围SiCMOSFET组件可获得较佳的性能！
D．如果在使用上有Ringing问题，需要增加Snubber或在Gate端加入磁珠减少振荡情况！
2．我们再来分析逆变器＆电机：共模干扰源及耦合路径！
我们知道功率半导体电子线路其共模骚扰路径是我们EMI骚扰源的重要干扰来源；解决共模干扰是我们设计的关键！进行共模骚扰源的电子线路等效如下：
SiC器件替代IGBT；EMI更难？EMI传导＆辐射问题怎么破？逆变器＆电机：SiC器件开关du／dt＆di／dt在时域的噪声问题分析！
推荐
